PAM アモイは FZ & MCZ シリコンインゴットとシリコンウェーハを提供します
PAM XIAMEN は FZ & MCZ シリコンインゴットとシリコンウェーハを提供します。
| 説明 | |||||||
| 成長方法 | — | MCZ | |||||
| 単結晶サイズ | インチ | 2～8 | |||||
| 導電性の種類 | — | N | P | ||||
| ドープされた元素 | — | P/Sb | B | ||||
| 結晶方位 | — | <111> | <110> | <100> | <111> | <110> | <100> |
| 抵抗率 | Ω.cm | 0.0015-100 | 0.001-100 | ||||
| RRG | % | 20 | 20 | ||||
| 酸素濃度 | 原子/cm3 | 1.00E+18 | 1.00E+18 | ||||
| 炭素濃度 | 原子/cm3 | 5.00E+16 | 5.00E+16 | ||||
| 直径 | ミリ | 55-157 | 55-157 | ||||
| 長さ | ミリ | 50-500 | 50-500 | ||||
| 脱臼 | EA/cm2 | N / A | N / A | ||||
| スワール(酸化後) | — | N / A | N / A | ||||
| 備考：上記パラメータはカスタマイズ可能です。 | |||||||
MCZシリコンウェーハに関するFAQ
Q：素朴な疑問なのですが、MCZインゴットの製造方法についてお聞きしたいのですが。
MCZの成長には3つの方法があると思いますが、あなたの工場ではどの方法を採用していますか？
1. 縦磁場法（電磁石による磁場をシリコン溶融面に垂直に印加する）
2. 横磁場法（電磁石による磁場をシリコン溶融面に平行に印加する）
3. カスプ磁場法（上下に一対の電磁石を配置し、逆向きの磁場を発生させます。）
また、お客様が MCZ シリコンインゴットを必要としているので、これも単なる好奇心から質問していますが、CZ だけで必要な仕様をすべて満たすことも可能でしょうか?
それとも仕様を満たすにはMCZでなければならないのでしょうか？
あ：MCZ単結晶シリコンインゴットを横磁場法で育成します。
磁場により比抵抗均一性 (RRV) が向上します。RRV に厳しい場合は MCZ を指定するお客様もいます。
その他のパラメータはCZと変わりません
MCZ メソッドの詳細については、こちらをお読みください。https://www.powerwaywafer.com/magnetic-czochralski.html.
直径150.7±0.3mmØの6インチFZシリコンインゴット
FZ真性アンドープシリコンインゴット、MCC寿命1000Ωcm以上
検出器グレードの CdZnTe インゴットにおける Te 含有物のサイズと分布
詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com,
にメールを送ってください[email protected] と [email protected]
1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Materials Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。 PAM-XIAMEN は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、加工基板および半導体デバイスを開発しています。 PAM-XIAMEN の技術により、半導体ウェーハの高性能化と低コストの製造が可能になります。
私たちの目標は、どんなに小さな注文やどんなに難しい質問であっても、お客様のすべての要件を満たすことです。
当社の適格な製品と満足のいくサービスを通じて、すべての顧客の持続的かつ収益性の高い成長を維持すること。