PAM XIAMEN は、150 μm ギャップの THz 光伝導アンテナを提供しています。
準備されたテラヘルツ光伝導アンテナの種類には、さまざまなパラメータを備えたダイオペ アンテナ、ストリップ ライン アンテナ、ボウタイ アンテナ、およびアンテナ アレイが含まれます。 アンテナギャップは2μmから1mmまで、お客様の設計によるアンテナの製作も可能です。 最も一般的に使用されるアンテナは、100μm、150μm、および 200μm のギャップを持つものです。 アンテナはアンテナマウントに取り付けられており、バイアスソースに簡単に接続できます。 次の表に、150 μm ギャップ アンテナの主なパラメータを示します。
150 μm ギャップ THz 光伝導アンテナの性能
| アイテム | パラメーター |
| ブレークダウン電界 (kV/cm) | > 20 |
| 平均出力 (mW) | > 1 mW (@200V バイアス電圧) |
| スペクトルの怒り (THz) | 0.1-3.0 |
| 信号対雑音比 | > 10000 (@RH=60%) |
| 信号対雑音比 | > 20000 (@ドライ N2 パージ) |
| テラヘルツピークパワーの安定性 | < 0.1% (@100 分のテスト) |
詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com,
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com
1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。 PAM-Xiamen は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、エンジニアリング基板、および半導体デバイスを開発しています。 PAM-XIAMEN の技術は、半導体ウエハーのより高性能で低コストの製造を可能にします。
PAM-XIAMEN は、第 1 世代のゲルマニウム ウェーハから、基板成長を伴う第 2 世代のガリウム砒素、および Ga、Al、In、As、および P に基づく III-V シリコン ドープ n 型半導体材料のエピタキシーまで、高度な結晶成長およびエピタキシー技術を開発しています。 MBE または MOCVD によって第 3 世代に成長: LED およびパワー デバイス アプリケーション用の炭化ケイ素および窒化ガリウム。