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GaN系テンプレート
PAM-XIAMENのテンプレート製品は、サファイアに堆積された(窒化ガリウム)GaNテンプレート、(窒化アルミニウム)AlNテンプレート、(窒化アルミニウムガリウム)AlGaNテンプレート、および(窒化インジウムガリウム)InGaNテンプレートの結晶層で構成されています。 -
GaN系HEMTエピタキシャルウェハ
窒化ガリウム (GaN) HEMT (高電子移動度トランジスタ) は、次世代の RF パワー トランジスタ技術です。 GaN テクノロジーのおかげで、PAM-XIAMEN は現在、サファイアまたはシリコン上の AlGaN/GaN HEMT エピ ウェーハと、サファイア テンプレート上の AlGaN/GaN を提供しています。