CZT Detector
PAM-XIAMEN supplies a series of CZT products, which are including detectors, modules, probes, systems, amplifiers, analyzers, supply and furnace.
- Description
製品の説明
An extensive product line of CZT can be provided by PAM-XIAMEN, involving CZT detectors, CZT modules, CZT probes, CZT systems, CZT amplifiers, CZT analyzers, CZT supply and crystal growth furnace. Find more product details, please view below:
1. CZT Detector
1.1 CZT Pixilated Detector (old)
1.2 CZT平面検出器
1.3 α/β/γ線検出器分化
1.4 CZTα線検出器
1.5 CZT非対称検出器
1.7 CZT High Resolution Pixel Detector (old)
1.10 CZT高密度ピクセル検出器
2. CZT Module
2.1 SPCカウントモジュール
2.2 SPCW広範囲放射線量モジュール
2.4 CZTマルチピクセルフォトンカウンティングモジュール
3. CZT Probe
3.2 CZTプローブ
3.3 大型CZTスペクトルプローブ
3.4 CZTプローブ-2
3.5 CZTα線プローブ
4. CZT System
4.1 X-ray Photon Counting Imaging System (old)
4.2 MXA-128X線フォトンカウンティングイメージングシステム
4.4 α-Ray Vacuum Testing System (new)
5. CZT Amplifier
5.1 メインアンプ
5.2 電荷に敏感なプリアンプチップ
5.3 電荷に敏感なプリアンプ (old)
5.4 CZTプリアンプ
6. CZT Analyzer
6.1 Analog Multi-channel Analyzer (old)
6.3 CZT Portable Spectrum Analyzer (old)
6.4 Digital Multi-Channel Analyzer (new)
7. Other CZT Products
7.1 高電圧電源
7.2 Crystal growth furnace (old)
7.3 CZT Portable Radionuclide Identifier (new)
Therein, CZT based detectors from PAM-XIAMEN by solid-state detector technology for X-ray or gamma-ray has better energy resolution compared with scitillation crystal based detector. We list the specifications of CZT Planar Detector, CZT Pixilated Detector, CZT Co-Planar Gri Detector as follows for example:
| 1.1 CZT Pixilated Detector | ||
| 仕様書 | ||
| アプリケーション | SPECT、γカメラ | X線撮影 |
| 動作温度範囲 | -20℃〜40℃ | |
| 典型的なエネルギー分解能 | <6.5%@59.5キロ電子ボルト | - |
| 計数率 | - | > 2MのCPS /ピクセル |
| 典型的な行列 | エリアアレイ検出器：8×8 | エリアアレイ検出器：8×8 |
| 線形アレイ検出器：1×16 | 線形アレイ検出器：1×16 | |
| 水晶の最大寸法 | 40×40×5mmの3 | |
| 注意 | 他の電極パターンも利用できます | |
標準の8×8ピクセルCZT検出器アセンブリ
標準の8×8ピクセルCZT検出器アセンブリ
| 1.2 CZT Planar Detector | |||
| 仕様書 | |||
| HV | 200 V〜500 V | ||
| エネルギー範囲 | 〜200keVの20keVで | ||
| 動作温度範囲 | -20℃〜40℃ | ||
| サイズ（mm 3） | 5×5×2 | 10×10×2 | |
| 59.5キロ電子ボルト@エネルギー分解能 | カウンターグレード | > 15％ | > 15％ |
| 弁別グレード | 7％〜15％ | 8％〜15％ | |
| 分光器グレード | <7％ | <8％ | |
| 注意 | 他のサイズもご利用いただけます | ||
標準の5×5×2mm3CZTアセンブリ
標準の10×10×2mm3CZTアセンブリ
| 1.5 CZT Hemispherical Detector | ||
|
HV：200 V〜千V |
動作温度範囲：-20℃〜40℃ |
|
| エネルギー範囲：50KeVで〜3 MeVの | 典型的なエネルギー分解能：<3％@ 662 KeV | |
| 標準サイズ（mm 3）：4×4×2、5×5×2.5、10×10×5 | ||
| CZT Co-Planar Grid Detectors |
| 仕様書 |
| HV：+1000 V〜+ 3000V |
| エネルギー範囲：50KeVで〜3 MeVの |
| 動作温度範囲：-20℃〜40℃ |
| 典型的なエネルギー分解能：<4％@ 662 KeV |
| ピーク・ツー・コンプトン比：3〜5 |
| 標準サイズ（mm 3）：10×10×5、10×10×10 |
現在、CZT検出器の2つの重要な開発方向は、複数の大容量並列検出器と表面要素アレイ検出器です。 前者は、体積が1cmを超える複数のCdZnTe結晶アレイで構成されています。 このタイプの検出器は、サイズが小さく、全体の検出効率が低い単一の検出器の欠点を解決し、測定時間を大幅に短縮します。 ポータブル分光計システムに特に適しており、環境、港湾、鉄道貨物などの放射性モニタリングに使用できます。後者はCdZnTe結晶面要素アレイで構成され、このCZT検出器技術は主にエネルギースペクトルイメージングで使用されます。核医学、天体物理学および他の分野で。
CZT検出器の開発と使用により、高性能で高効率の光子を得ることが可能になりました。 高品質の継続的な改善によりCdZnTe半導体結晶準備技術、キャリア収集プロセスのさらなる理解、および高速低ノイズマイクロエレクトロニクスの開発により、CdZnTe検出器は確実に幅広い分野に適用されます。
あなたも好きかも...
-
ナノファブリケーションフォトレジスト
PAM-XIAMENフォトレジスト付きフォトレジストプレートを提供
-
自立GaN基板
PAM-XIAMENは、UHB-LEDおよびLD用の自立型（窒化ガリウム）GaN基板ウェーハの製造技術を確立しました。 水素化物気相エピタキシー（HVPE）技術によって成長した当社のGaN基板は、欠陥密度が低くなっています。
-
CdZnTeの（CZT）ウェハー
テルル化カドミウム亜鉛（CdZnTeまたはCZT）は、放射線を効果的に電子に変換できる新しい半導体であり、主に赤外線薄膜エピタキシー基板、X線検出器およびガンマ線CdZnTe検出器で使用されます。 -
テストウェーハモニターウェーハダミーウェーハ
ダミーウェーハメーカーとして、PAM-XIAMENはシリコーンダミーウェーハ/テストウェーハ/モニターウェーハを提供しています。これは、製造プロセスの初期の安全性を向上させるために製造装置で使用され、プロセスフォームの納品チェックと評価に使用されます。 ダミーのシリコンウェーハは実験やテストによく使用されるため、ほとんどの場合、そのサイズと厚さが重要な要素になります。 100mm、150mm、200mm、または300mmのダミーウェーハが利用可能です。
-
Ge（ゲルマニウム）単結晶およびウェーハ
PAM-XIAMENは、2インチ、3インチ、4インチ、および6インチのゲルマニウムウェーハを提供します。これは、VGF / LECによって成長したGeウェーハの略です。 ホール効果実験には、低濃度にドープされたP型およびN型ゲルマニウムウェーハも使用できます。 室温では、結晶性ゲルマニウムはもろく、可塑性はほとんどありません。 ゲルマニウムには半導体特性があります。 高純度のゲルマニウムに3価の元素（インジウム、ガリウム、ホウ素など）をドープして、P型ゲルマニウム半導体を取得します。 五価元素（アンチモン、ヒ素、リンなど）をドープして、N型ゲルマニウム半導体を取得します。 ゲルマニウムは、高い電子移動度や高い正孔移動度など、優れた半導体特性を備えています。 -
SiCのエピタキシー
シリコンカーバイドデバイスの開発のために、6Hまたは4H基板上にカスタム薄膜（シリコンカーバイド）SiCエピタキシーを提供します。 SiCエピウェーハは、主にショットキーダイオード、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、接合電界効果に使用されます。 -
InAsのウェハ
PAM-XIAMENは、LEC（Liquid Encapsulated Czochralski）によって、n型、p型、または異なる方向の半絶縁性（111）または（100）のエピレディまたはメカニカルグレードとして成長する化合物半導体InAsウェーハ–インジウムヒ素ウェーハを提供します。 さらに、InAs単結晶は電子移動度が高く、ホールデバイスの製造に理想的な材料です。
-
GaAs（ガリウム砒素）ウエハース
As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor C doped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, C doped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.
