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  • ゲルマニウムウェーハ
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    Ge（ゲルマニウム）単結晶およびウェーハ
    PAM-XIAMEN は、2 インチ、3 インチ、4 インチ、および 6 インチのゲルマニウム ウェーハを提供しています。これは、VGF / LEC によって成長させた Ge ウェーハの略です。 低濃度ドープの P 型および N 型ゲルマニウム ウェーハは、ホール効果の実験にも使用できます。 結晶ゲルマニウムは室温では脆く、可塑性がほとんどありません。 ゲルマニウムは半導体の性質を持っています。 高純度ゲルマニウムに三価元素（インジウム、ガリウム、ホウ素など）をドープすると、P 型ゲルマニウム半導体が得られます。 5価元素（アンチモン、ヒ素、リンなど）をドープしてN型ゲルマニウム半導体を得る。 ゲルマニウムは、高い電子移動度や高い正孔移動度など、優れた半導体特性を備えています。