製品タグ - インジウムアンチモン化ウェハ

PAM-XIAMEN は、化合物半導体 InSb ウェハ – LEC (液体カプセル化チョクラルスキー) によって成長させた、n 型、p 型、または異なる方位 (111) または (100) の半絶縁性のエピレディまたはメカニカルグレードとして成長させたインジウムアンチモン化ウェハを提供しています。 等電子ドーピング（N ドーピングなど）されたインジウム アンチモン化物は、インジウム アンチモン化物薄膜製造プロセス中の欠陥密度を低減できます。