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PAM-XIAMEN は、化合物半導体 InSb ウェーハ – LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) によって成長したインジウム アンチモン ウェーハを、n 型、p 型、または異なる方向 (111) または (100) の半絶縁性のエピ対応または機械的グレードとして提供しています。 アンチモン化インジウムは、アンチモン化インジウム薄膜製造プロセス中の欠陥密度を低減することができます。