PSSパターン化サファイア基板ウェーハ

PSSパターン化サファイア基板ウェーハ

PAM-厦門 offers PSS patterned sapphire substrate for high brightness GaN based LED EPI growing application. The patterned sapphire substrate wafer サファイア基板上にドライエッチングマスクを成長させることです。 マスクは、標準的なフォトリソグラフィープロセスによって刻印されています。 その後、ICPエッチング技術によりサファイアをエッチングし、その間にマスクを剥がします。 その後、サファイア上にGaN材料を成長させ、GaN材料の垂直エピタキシーが水平エピタキシーになります。 パターン化されたサファイア基板の詳細は以下のとおりです。

パターン化されたサファイア基板

PSSサファイア基板

1。S仕様化のS パターン化されたサファイア基板

パラメータ 仕様 ユニット
材料 高純度単結晶Al2O3
直径 50.8±0.1
厚さ 430±10
全体の厚さの変動 ≤10
一次フラット長さ 16.0±1.0
一次フラットオリエンテーション 平面±0.2
前面品質 エピタキシャル対応
裏面粗さ 1.0±0.1
表面配向A 0°オフ±0.1
表面配向M 0.2°オフ±0.10
表面配向R R9
-10〜0
ワープ ≤15
パターン幅 2.7±0.15
パターンの高さ 1.7±0.15
パターンピッチ 3.0±0.05

2。LEDにパターン化サファイア基板を選択する理由

On the one hand, the cone-shaped patterned sapphire substrate wafer can effectively reduce the dislocation density of the GaN epitaxial material(the patterned sapphire substrate dislocation is low), thereby reducing the non-radiative recombination of the active area, reducing the reverse leakage current, and improving the life of the LED. On the other hand, the light emitted from the active region is scattered multiple times by the interface of GaN and sapphire substrate, and the exit angle of total reflection light is changed, increasing the probability that the light of the flip-chip LED emerges from the sapphire substrate, thereby improving the extraction efficiency of the light.

要約すると、ナノパターン化されたサファイア基板上に成長したLEDの放射光の明るさは、従来のLEDよりも大幅に改善されています。 逆リーク電流が低減され、LEDの寿命が延びます。

A patterned sapphire substrate belongs to the semiconductor industry. As a high-brightness epitaxial material, it is the source material of the LED lighting industry. Meanwhile, using PSS Al2O3 wafer to grow epitaxial wafers is the most effective way to improve the brightness of the chip. It is also the best choice for the high-power and high-brightness epitaxial wafers.

詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com.

この記事を共有します