最大直径12 "
Height≤17 "
ハイdensity≤2.19グラム/ cm 3で
高純度> 99.99％
高分解性（熱膨張の優れた係数）

最大直径8 "
Height≤18 "
保証純度> 99.99％
それは何回も（層間の優れた構造）のために使用することができます
高い結晶形成率。 （これは、異方性を調整することにより、高い結晶形成速度を保証することができます）

最大直径12 "
Height≤17 "
ハイdensity≤2.19グラム/ cm 3で
高純度> 99.99％
高分解性（熱膨張の優れた係数）

Height≤17 "
ハイdensity≤2.19グラム/ cm 3で
高純度> 99.99％
高分解性（熱膨張の優れた係数）
高温で全く変形しない（これは、真空中で2300℃の高温に耐えることができます）
長寿命の時間

アンモニア雰囲気中で真空環境2700℃2300℃の高温に耐えることができます。
高純度（> 99.99％）。 そして、それはガスの不純物を放出しない時に高温でのサービス。
良好な靭性。 これは、黒鉛の六方晶構造に類似しています。
高温での良好な絶縁。 体積抵抗率は3.11×1011Ω・cmです。
化学的不活性。 、酸、アルカリ、有機溶剤の良好な耐食性。
これは、熱伝導を防止することにより、熱の無駄を減らすことができます

PBN材料は、アンモニア雰囲気中で2300℃真空中2700℃の高温に耐えることができます。
高純度（> 99.99％）。 そして、それは、高温下でのガス不純物を解放しません。
良好な靭性。 これは、黒鉛の六方晶構造に類似しています。
高温下で良好な断熱材。
化学的不活性。 、酸、アルカリ、有機溶剤の良好な耐食性

強力な接着力は、落ちるのは簡単ではないこと。
腐食からグラファイトを保護するために、
炭素を解放するからグラファイトを防ぐために、
絶縁

表面加熱と良好な温度分布。
磁場の影響を受けません。
高純度、それは偉大な熱で少しガスを放出します。
これは、接触加熱のために適合させることができます。
高い加熱速度;
長寿命。
、酸、アルカリ、有機溶剤の良好な耐食性

MOCVD（有機金属化学気相成長法）がマトリックス上に半導体薄膜を成長させるための特別なプロセスです。 これは、気相エピタキシャル（VPE）成長に基づいて開発された、およびVPEの新技術となっています。 MOCVDによって成長した結晶の原料は、有機金属化合物と水素化物です。 後は、グループVの要素によって形成される群からの一般金属Ⅱ又はⅢ、Ⅵ。 基板上に気相エピタキシャル成長は、熱分解反応の方法を、以下、グループⅢ-V、Ⅱ-Ⅵ、および複数の固体溶液のそれらの薄い層の結晶材料の半導電性化学化合物を得ます。