表面活性化接合法によるゲルマニウムウェーハの室温直接接合

この論文は、室温の表面活性化結合 (SAB) によって作成された Ge/Ge 界面の機械的および電気的特性を報告します。保税済みげ/Geウェーハ熱処理なしでバルク材と同等の高い接合強度を実現しました。の結合が見られた。Geウェーハの接合と比較して、ウェーハ接合チャンバー内のバックグラウンド真空圧の影響を受けませんでした。Siウェーハ。 SABと低温プラズマ活性化接合(PAB)により形成された接合界面の電流電圧特性と微細構造を比較した。室温での SAB により、非常に低い抵抗率の接合が得られることが実証されました。

出典：イオプサイエンス

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