SAPPHIREウェハ

SAPPHIREウェハ

高品質サファイアウェーハは、A、C、M、または R 面の 2 インチから 8 インチまで用意されています。 単結晶サファイアウェハは加工が非常に難しい材料であるため、光電子部品の材料としてよく使用されます。 現在、超高輝度白色/青色 LED の品質は、窒化ガリウムエピタキシー (GaN) の材料品質と、LED GaN エピタキシーサファイア基板ウェーハの表面処理品質と密接に関係しています。 C面サファイアと蒸着されたII-V族およびII-VI族との間の格子定数不整合率膜は小さく、GaN エピタキシャル プロセスの高温耐性要件を満たしているため、サファイア ウェーハは白色/青色/緑色 LED の製造の重要な材料となっています。 サファイア ウェーハ サプライヤーの 1 つとして、PAM-XIAMEN は次のサファイア ウェーハ仕様を提供します。

C面サファイアウェーハ

2サファイアウェーハA面11-20単結晶AL2O3

材質:高純度> 99.996%、単結晶Al2O3
寸法:Φ50.8mm±0.1 mm
厚さ:0.50mm標準
格子定数:a = 4.785 A、c = 12.991 A
密度:3.98 g / cm3
向き:A面(11-20)0.2±0.1度オフ。
一次フラット方向:C平面
一次フラット長さ:16.0±1 mm
総厚さの変動:<10μm
ボウ:<10μm
ワープ:<10μm
研磨:片面研磨Ra <0.5 nm(AFM)、ダブルサイズ研磨はご要望に応じてご利用いただけます。

2サファイアウェーハM面10-10単結晶AL2O3

材質:高純度> 99.996%、単結晶Al2O3
寸法:Φ50.8mm±0.1 mm
厚さ:0.43mm標準
格子定数:a = 4.785 A、c = 12.991 A
密度:3.98 g / cm3
向き:M面(10-10)0.2±0.1度オフ。
一次平面配向:C面[11-20] +/- 0.2°
一次フラット長さ:16.0±1 mm
総厚さの変動:<10μm
ボウ:<10μm
ワープ:<10μm
研磨:片面研磨Ra <0.5 nm(AFM)、ダブルサイズ研磨はご要望に応じてご利用いただけます。

2サファイアウェーハR面1-102単結晶AL2O3

材質:高純度> 99.996%、単結晶Al2O3
寸法:Φ50.8mm±0.1 mm
厚さ:0.43mm標準
格子定数:a = 4.785 A、c = 12.991 A
密度:3.98 g / cm3
向き:R面(1-102)0.2±0.1度オフ。
一次フラット方向:投影されたC軸45 +/- 2度
一次フラット長さ:16.0±1 mm
総厚さの変動:<10μm
ボウ:<10μm
ワープ:<10μm
研磨:片面研磨Ra <0.5 nm(AFM)、ダブルサイズ研磨はご要望に応じてご利用いただけます。

2インチサファイアウェーハC-プレーンシングルまたはダブルサイドポリッシュAL2O3シングルクリスタル

材質:高純度> 99.99%、単結晶Al2O3
寸法:Φ50.8mm±0.1 mm
厚さ:SSPの場合は430um±25um、DSPの場合は400um±25um(その他の厚さはご要望に応じてご利用いただけます)
格子定数:a = 4.785 A、c = 12.991 A
密度:3.98 g / cm3
方向:C平面(0001)からM(1-100)0.2±0.1度オフ。
一次フラット方向:A面[11-20] +/- 0.2°
一次フラット長さ:16.0±1.0 mm
総厚変化(TTV):<5μm
ボウ:<10μm
ワープ:<10μm
研磨:片面研磨(SSP)前面エピレディ表面Ra <0.3 nm(AFM)、背面微粉砕Ra = 0.8〜1.2 um、または両面研磨(DSP)前面と背面両方のエピレディ表面Ra <0.3 nm(AFM)

3インチサファイアウェーハC-プレーンシングルまたはダブルサイドポリッシュAL2O3シングルクリスタル

材質:高純度> 99.99%単結晶Al2O3
直径:Φ76.2mm±0.1 mm
厚さ:650um±25um(SSP)、600または430um±25um(DSP)
格子定数:a = 4.785 A、c = 12.991 A
密度:3.98 g / cm3
向き:C面(0001)±0.3度、R面(1-102)、A面(11-20)、M面(10-10)があります。
一次平面配向:A面±0.3度
一次フラット長さ:22.0mm±1mm
総厚変動(TTV):<15μm
ボウ:<15μm
ワープ:<15μm
研磨:片面研磨(SSP)前面エピレディ表面Ra <0.5 nm(AFM)、背面微粉砕Ra = 0.8〜1.2 um、または両面研磨(DSP)前面と背面両方のエピレディ表面Ra <0.5 nm(AFM)

4インチサファイアウエハーC面シングルまたはダブルサイドポリッシュAL2O3シングルクリスタル

材質:高純度、> 99.99%、単結晶Al2O3
寸法:Φ100.0mm±0.1 mm
厚さ:650um±25um(SSP)、600um±25um(DSP)
格子定数:a = 4.785 A、c = 12.991 A
密度:3.98 g / cm3
向き:M面0.2±0.1度からC面サファイア(0001)、R面(1-102)、A面(11-20)、M面(10-10)が利用可能です。
一次平面配向:A面±0.2度
一次フラット長さ:30.0±1 mm
総厚変化(TTV):<20μm
ボウ:<20μm
ワープ:<20μm
研磨:片面研磨(SSP)前面エピレディ表面Ra <0.5 nm(AFM)、背面微粉砕Ra = 0.8〜1.2 um、または両面研磨(DSP)前面と背面両方のエピレディ表面Ra <0.5 nm(AFM)

6 インチ C 面 (0001) サファイア基板 (PAM210910-S)

アイテム 仕様
材料 高純度Al2O3
成長方法 ケンタッキー州
表面の向き C 面 (0001) オフ角度 0.2°±0.1°(M 軸); 0°±0.1°(A軸)
直径 150±0.2mm
厚さ 1300±25μm
TTV ≤15um
-20~0um
ワープ ≤25um
ウェーハエッジ T型またはR型
R面 R9
プライマリ フラット方向 A面±0.2°
一次平坦長さ セミノッチ/47.5±1.5mm
表面粗さ Ra≦0.3nm
裏面粗さ 0.8~1.2μm
レーザマーク 背面または前面 (背面を推奨)
パッケージ 25本/カセット、真空密閉、窒素充填、クラス100クリーンルーム

 

サファイアウエハー 200mm (PAM210910-S)

アイテム 仕様
材料 高純度Al2O3
表面の向き C面(0001)オフ 角度0°±0.3°(M軸)
直径 200±0.25mm
厚さ 725±25μm
TTV ≤20um
-30~0um
ワープ ≤25um
ウェーハエッジ T型またはR型
R面 R9またはR3
プライマリ フラット方向 A面±0.2°
一次平坦長さ セミノッチ/お客様設計
表面粗さ Ra≦0.3nm
裏面粗さ 0.8~1.2μm
レーザマーク 背面または前面 (背面を推奨)
パッケージ 25本/カセット、真空密閉、窒素充填、クラス100クリーンルーム

 

 

C-Planeサファイア基板

R-Planeサファイア基板とSSP

 

詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com.

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