パターン化された半導体ウェーハのすすぎ中の微細構造における表面相互作用と汚染物質輸送のコンピューターモデリング

パターンの微細構造をすすぐ半導体ウェーハモデル化されています。シミュレーション結果は、微細構造としてのtrenchの表面が単一の材料または2つの異なる材料で作られている2つのケースで提示されます。微細構造表面からの汚染物質除去のダイナミクス、および幾何学的構造への依存、表面の物理的特性、および汚染性拡散率が提示されます。結果は、2つの異なる材料を備えたトレンチの場合、トレンチベッドのクリーニングダイナミクスが材料の積み重ね順に強く依存することを示しています。上部材料の脱離率係数が少ない場合、汚染物質輸送のダイナミクスは、層の厚さに依存するある時点でより小さな速度を発達させます。

出典:サイエンスダイレクト

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