SiC基板

PAM-厦門は、研究者や産業メーカーの異なる品質等級に半導体シリコンカーバイドウェハー、6H SiC及び4HのSiCを提供しています。 私たちは、SiC結晶成長技術とSiCウェハ処理技術を開発しました。

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製品の説明

PAM-厦門は、半導体を提供しています炭化ケイ素ウエハー,6H SiCの4HのSiC研究者や業界メーカーの異なる品質等級インチ 我々は開発していますSiC結晶成長 技術とSiC結晶ウェハ加工技術は、GaN系エピタキシャルデバイス、パワーデバイス、高温デバイス及び光電子デバイスに適用される製造業者のSiC基板に生産ラインを確立しました。 高度なハイテク素材の研究や国家機関、中国の半導体研究室の分野の大手メーカーが投資専門会社として、我々は継続的に、現在、基板の品質を向上させ、大きなサイズの基板を開発するために専念しています。

ここでは詳細な仕様を示しています。

炭化珪素材料特性

ポリタイプ 単結晶4H 単結晶6H
格子パラメータ = 3.076Å = 3.073Å
C = 10.053Å C = 15.117Å
スタッキングシーケンス ABCB ABCACB
バンドギャップ 3.26 eVの 3.03 eVの
密度 3.21・103キログラム/メートル3 3.21・103キログラム/立方メートル
サーム。 膨張係数 4-5×10-6/ K 4-5×10-6/ K
屈折率 なし= 2.719 なし= 2.707
NE = 2.777 NE = 2.755
誘電率 9.6 9.66
熱伝導率 490 W / mKで 490 W / mKで
ブレークダウン電界 2-4・108V / m 2-4・108V / m
飽和ドリフト速度 2.0・105ミズ 2.0・105ミズ
電子移動度 800センチメートル2/ V・S 400センチメートル2/ V・S
正孔移動度 115センチメートル2/ V・S 90センチメートル2/ V・S
モース硬度 ~9 ~9

6H n型SiC、2 "(50.8ミリメートル)WAFER SPECIFICATION

基板特性 S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430
説明 A / Bの製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード6H SiCの基板
ポリタイプ 6H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)マイクロメートル(330±25)マイクロメートル(430±25)μmで
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.02〜0.1Ω・cmで
表面粗さ <0.5nmで(Si面CMPエピレディ); <1nmの(光学研磨を対向C-)
FWHM <30秒角のB / C / D <50秒角
マイクロパイプ密度 +≤1cm-2A≤10cm-2B≤30cm-2C≤50cm-2D≤100cm-2
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ <11-20>に向かって3.5°、0.5°、±します
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70ミリメートル
二次オリエンテーションフラット Si面:90度CW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
C-顔:90°CCW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェハボックスまたはマルチウェハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル

 

4H半絶縁性SiC、2 "(50.8ミリメートル)WAFER SPECIFICATION

(高純度半絶縁性(HPSISiC基板利用可能です)

基板特性 S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430
説明 A / Bの製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SEMI基板
ポリタイプ 4H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)マイクロメートル(330±25)マイクロメートル(430±25)μmで
比抵抗(RT) > 1E5のΩ・cmで
表面粗さ <0.5nmで(Si面CMPエピレディ); <1nmの(光学研磨を対向C-)
FWHM <30秒角のB / C / D <50秒角
マイクロパイプ密度 +≤1cm-2A≤10cm-2B≤30cm-2C≤50cm-2D≤100cm-2
面方位
軸上の<0001>±0.5°
<11-20>軸に向かって3.5°オフ±0.5°
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70ミリメートル
二次オリエンテーションフラットSi面:90度CW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
C-顔:90°CCW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェハボックスまたはマルチウェハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル

4H N型又は半絶縁性SiC、5ミリメートル* 5ミリメートル、10ミリメートル* 10ミリメートルWAFER仕様:厚さ:330μm/430μm

4H N型またはSIC半絶縁性、15ミリメートル* 15ミリメートル、20ミリメートル* 20ミリメートルWAFER仕様:厚さ:330μm/430μm

4H n型SiC、2 "(50.8ミリメートル)WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430
説明 A / Bの製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4HのSiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)マイクロメートル(330±25)マイクロメートル(430±25)μmで
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.012から0.0028Ω・cmで
表面粗さ <0.5nmで(Si面CMPエピレディ); <1nmの(光学研磨を対向C-)
FWHM <30秒角のB / C / D <50秒角
マイクロパイプ密度 +≤1cm-2A≤10cm-2B≤30cm-2C≤50cm-2D≤100cm-2
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70)mmの
二次オリエンテーションフラット Si面:90度CW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
C-顔:90°CCW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェハボックスまたはマルチウェハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル

 

4H n型SiC、3 "(76.2ミリメートル)WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430
説明 A / Bの製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4HのSiC 基板
ポリタイプ 4H
直径 (76.2±0.38)mmで
厚さ (350±25)マイクロメートル(430±25)μmで
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.015 - 0.028Ω・cmで
表面粗さ <0.5nmで(Si面CMPエピレディ); <1nmの(光学研磨を対向C-)
FWHM <30秒角のB / C / D <50秒角
マイクロパイプ密度 +≤1cm-2A≤10cm-2B≤30cm-2C≤50cm-2D≤100cm-2
TTV /ボウ/ワープ <25μmで
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル
0.875 "±0.125"
二次オリエンテーションフラット Si面:90度CW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
C-顔:90°CCW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
セカンダリフラット長 11.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェハボックスまたはマルチウェハボックス
スクラッチ なし
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 2ミリメートル

 

4H半絶縁性SiC、3 "(76.2ミリメートル)WAFER SPECIFICATION

(高純度半絶縁性(HPSISiCの基板利用可能です)

基板特性 S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430
説明 A / Bの製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4HのSiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (76.2±0.38)mmで
厚さ (350±25)マイクロメートル(430±25)μmで
キャリアタイプ 半絶縁性
ドーパント V
比抵抗(RT) > 1E5のΩ・cmで
表面粗さ <0.5nmで(Si面CMPエピレディ); <1nmの(光学研磨を対向C-)
FWHM <30秒角のB / C / D <50秒角
マイクロパイプ密度 +≤1cm-2A≤10cm-2B≤30cm-2C≤50cm-2D≤100cm-2
TTV /ボウ/ワープ <25μmで
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル
0.875 "±0.125"
二次オリエンテーションフラット Si面:90度CW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
C-顔:90°CCW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
セカンダリフラット長 11.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェハボックスまたはマルチウェハボックス
スクラッチ なし
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 2ミリメートル

 

4H n型SiC、4 "(100ミリメートル)WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-100-N-PWAM-330 S4H-100-N-PWAM-430
説明 A / Bの製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4HのSiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (100.8±0.38)mmで
厚さ (350±25)マイクロメートル(430±25)μmで
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.015 - 0.028Ω・cmで
表面粗さ <0.5nmで(Si面CMPエピレディ); <1nmの(光学研磨を対向C-)
FWHM <30秒角のB / C / D <50秒角
マイクロパイプ密度 +≤1cm-2A≤10cm-2B≤30cm-2C≤50cm-2D≤100cm-2
TTV /ボウ/ワープ <の45μm
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル
二次オリエンテーションフラット Si面:90度CW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
C-顔:90°CCW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
セカンダリフラット長 18.00±2.00ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェハボックスまたはマルチウェハボックス
スクラッチ なし
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 2ミリメートル

4H N型又は半絶縁性SiC、5ミリメートル* 5ミリメートル、10ミリメートル* 10ミリメートルWAFER仕様:厚さ:330μm/430μm

4H N型またはSICを半絶縁、15ミリメートル* 15ミリメートル、20ミリメートル* 20ミリメートルWAFER仕様:厚さ:330μm/430μm

面SiCウェハ、サイズ:40ミリメートル* 10ミリメートル、30ミリメートル* 10ミリメートル、20ミリメートル* 10ミリメートル、10ミリメートル* 10ミリメートル、スペック以下:

6H / 4H N型厚さ:330μm/430μmまたはカスタム

6H / 4H半絶縁厚さ:330μm/430μmまたはカスタム

4H SIC、半絶縁、4 "(100ミリメートル)WAFER SPECIFICATION

(高純度半絶縁性(HPSISiCの基板利用可能です)

基板特性 S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500
説明 A / Bの製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4HのSiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (100±0.5)mmの
厚さ (350±25)マイクロメートル(500±25)μmで
キャリアタイプ 半絶縁性
ドーパント V
比抵抗(RT) > 1E5のΩ・cmで
表面粗さ <0.5nmで(Si面CMPエピレディ); <1nmの(光学研磨を対向C-)
FWHM <30秒角のB / C / D <50秒角
マイクロパイプ密度 A≤5cm-2B≤15cm-2C≤50cm-2D≤100cm-2
TTV /ボウ/ワープ TTV <10μM; TTV <25μmで、WARP <の45μm
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ なし
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル
二次オリエンテーションフラット Si面:90度CW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
C-顔:90°CCW。 ±5°のオリエンテーションフラットから
セカンダリフラット長 18.00±2.00ミリメートル
表面仕上げ ダブル顔を研磨します
パッケージング シングルウェハボックスまたはマルチウェハボックス
総累積長さ1×ウェーハ直径に<8つの傷
クラック なし
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 2ミリメートル

 

4H SIC、N-TYPE、6 "(150ミリメートル)WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-150-N-PWAM-350   
説明 ダミーグレード2
ポリタイプ 4H
直径 (150±0.2)mmの
厚さ (350±25)μmで
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.015 - 0.028Ω・cmで
表面粗さ <0.5nmで(Si面CMPエピレディ); <1nmの(光学研磨を対向C-)
マイクロパイプ密度 N / A
TTV ≤30μm
≤120μm
ワープ ≤150μm
面方位
軸オフ <11-20>に向かって4°0.5°、±します
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<10-10>
プライマリフラット長 ±2.50ミリメートル47.50ミリメートル
表面仕上げ ダブル顔を研磨します
エッジ除外 3ミリメートル
パッケージング シングルウェハボックスまたはマルチウェハボックス

サブカタログ下記をご覧ください。

6Hのn型のSiC
4H N型SiC
4Hは、SiC半絶縁します
SiCのインゴット
ラッピングされたウェーハ
ウェーハ研磨

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