SICアプリケーション

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SICアプリケーション

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SiCの物理的および電子的特性により、炭化ケイ素ベースのデバイスは、SiおよびGaAsデバイスと比較して、短波長オプトエレクトロニクス、高温、耐放射線、および高出力/高周波電子デバイスに最適です
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製品の説明

SiCのアプリケーション

SiCの物理的および電子的特性により、シリコンカーバイド based device are well suitable for short wavelength optoelectronic, high temperature, radiation resistant, and high-power/high-frequency electronic devices,compared with Si and GaAs based device.

III-V Nitride Deposition

GaN, AlxGa1-xN and InyGa1-yN epitaxial layers on up to SiC substrate or sapphire substrate.

For PAM-XIAMEN Gallium Nitride Epitaxy on Sapphire Templates,please review:

https://www.powerwaywafer.com/GaN-Templates.html

For Gallium Nitride Epitaxy on SiC Templates,which are used to fabrication of blue light emitting diodes and and nearly solar blind UV photodetectors

Optoelectronic Devices

SiC based devices are:

low lattice mismatch forIII-nitride epitaxial layers

high thermal conductivity

monitoring of combustion processes

all sorts of UV-detection

Due to SiC material properties, SiC-based electronics and devices can work in very hostile environment,which can work under high temperature, high power and high radiation conditions

High Power Devices

Due to SiC’s properties:

Wide Energy Bandgap (4H-SiC: 3.26eV, 6H-SiC: 3.03eV)

High electrical breakdown field(4H-SiC: 2-4*108 V/m, 6H-SiC: 2-4*108 V/m )

High saturation drift velocity(4H-SiC:2.0*105 m/s, 6H-SiC:2.0*105 m/s)

High thermal conductivity(4H-SiC: 490 W/mK,  6H-SiC: 490 W/mK )

Which are used for fabrication of very high-voltage, high-power devices such as diodes, power transitors, and high power microwave devices.Compared to conventional Si-devices SiC-based power device offers:

faster switching speed

higher voltages

下の寄生抵抗

小さいサイズ

高温機能により必要な冷却が少ない

SiCはGaAsまたはSiよりも熱伝導率が高く、SiCデバイスは理論的にはGaAsまたはSiよりも高い電力密度で動作できます。 広いバンドギャップと高い臨界電界を組み合わせたより高い熱伝導率は、高出力が重要な望ましいデバイス機能である場合、SiC半導体に利点を与えます。

現在、炭化ケイ素（SiC）はハイパワーMMICに広く使用されています

アプリケーション。 SiCはまたのための基質として使用されます エピタキシャル

成長 より高出力のMMICデバイスのためのGaNの使用

高温デバイス

SiCは熱伝導率が高いため、他の半導体材料よりも熱を素早く伝導します。

これにより、SiCデバイスは非常に高い電力レベルで動作し、発生する大量の過剰な熱を放散することができます。

高周波パワーデバイス

SiCベースのマイクロ波エレクトロニクスは、無線通信とレーダーに使用されます

 

SiC基板の詳細なアプリケーションについては、炭化ケイ素の詳細アプリケーション .

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