PAM XIAMEN offers SiC Epi Film (3C) on Silicon Wafer

The only pure cubic polytype, 3C-SiC, has many advantages for MOS device applications over the other polytypes due to the smaller band gap. In addition, the electron Hall mobility is isotropic and higher compared with these of 4H and 6H polytypes [1]. Most important is that this polytype can be grown on silicon substrates hence there is significant. We supplys 3C- SiC film on Silicon upto 8″ wafer

4 "のSiC-3C N型フィルム及びCMPをシリコン（100）N型ウェハの両側のエピタキシャル成長後、3.2ミクロンの膜厚研磨後

シリコン（100）N型ウェハエピタキシャル成長後、フィルムの両側の4 "のSiC-3C N型フィルム及びCMP：1.3ミクロン

4「エピタキシャル成長後のシリコン（100）ウェハの両側にCMPなどのSiC-3Cアンドープエピフィルム、2.2ミクロンの厚さ、

4「エピタキシャル成長後のシリコン（100）ウェハの両側にCMPなどのSiC-3Cアンドープエピフィルム、2.3ミクロンの厚さ、

エピタキシャル成長後のシリコン（100）ウェハの両側にCMPなどのSiC-3Cアンドープエピフィルム、2.2ミクロンの厚さ、10x10x0.525 MM

エピタキシャル成長後のシリコン（100）ウェハの両側のSiC-3C CMPアンドープエピフィルム、2.2ミクロンの厚さに、SiC-3CP-4から013、5x5x0.525mm-1

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com、
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com

1990年に発見、アモイPowerwayアドバンストマテリアル株式会社（PAM-厦門）は、中国での半導体材料のリーディングカンパニーです。PAM-厦門は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、操作基板および半導体装置を開発します。PAM-厦門の技術は、より高いパフォーマンスと半導体ウエハの低コストの製造を可能にします。

品質は私たちの最優先事項です。 PAM-厦門はISO9001されています：2008、所有していると認定製品のかなり大きな範囲を提供することができます株式4現代facoriesは、お客様のさまざまなニーズを満たすために、そしてすべての注文は、当社の厳格な品質system.Testレポートが提供されて扱われなければなら各出荷、および各ウエハの保証です。