SiCのインゴット

SiCのインゴット

PAM-XIAMENは、研究者および業界メーカー向けに、さまざまな品質グレードの軸上または軸外4Hまたは6Hポリタイプのn型SiCインゴットを提供しています。サイズは2インチから4インチ、厚さは5-10mmから> 15mmです。

1.SiCインゴットの仕様

4」4H炭化ケイ素
商品番号 タイプ 方向付け 厚さ グレード マイクロパイプ密度 表面 使用可能な領域
  N型
S4H-100-N-SIC-C0510-AC-D 4「4H-N 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *
S4H-100-N-SIC-C1015-AC-C 4「4H-N 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル C <50 / cm 2で AS-カット *
3」4H炭化ケイ素
商品番号 タイプ 方向付け 厚さ グレード マイクロパイプ密度 表面 使用可能な領域
  N型
S4H-76-N-SIC-C0510-AC-D 3「4H-N 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *
S4H-76-N-SIC-C1015-AC-D 3「4H-N 0°/ 4°±0.5° 10〜15ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *
S4H-76-N-SIC-C0510-AC-C 3「4H-N 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル C <50 / cm 2で AS-カット *
S4H-76-N-SIC-C1015-AC-C 3「4H-N 0°/ 4°±0.5° 10〜15ミリメートル C <50 / cm 2で AS-カット *
2」4H炭化ケイ素
商品番号 タイプ 方向付け 厚さ グレード マイクロパイプ密度 表面 使用可能な領域
  N型
S4H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2「4H-N 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *
S4H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2「4H-N 0°/ 4°±0.5° 10〜15ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *
S4H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2「4H-N 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル C <50 / cm 2で AS-カット *
S4H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2「4H-N 0°/ 4°±0.5° 10〜15ミリメートル C <50 / cm 2で AS-カット *
2「6Hシリコンカーバイド
商品番号 タイプ 方向付け 厚さ グレード マイクロパイプ密度 表面 使用可能な領域
  N型
S6H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2「6H-N 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *
S6H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2「6H-N 0°/ 4°±0.5° 10〜15ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *
S6H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2「6H-N 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル C <50 / cm 2で AS-カット *
S6H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2「6H-N 0°/ 4°±0.5° 10〜15ミリメートル C <50 / cm 2で AS-カット *
  半絶縁性
S6H-51-SI-SIC-C0510-AC-D 2「6H-SI 0°/ 4°±0.5° 5〜10ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *
S6H-51-SI-SIC-C1015-AC-D 2「6H-SI 0°/ 4°±0.5° 10〜15ミリメートル D <100 / cm 2で AS-カット *

 

2.SiCインゴットの進捗状況について

現在、世界でSiCインゴットを製造するための標準的な方法は、種結晶昇華法です。 原理は、誘導または抵抗加熱を使用して閉じたるつぼシステムを加熱し、成長源として固体混合物をより高い温度でるつぼの底に置き、より低い温度でるつぼの上部に種結晶を固定することです。 。 SiCインゴットの成長源は、成長源と種結晶の間の温度勾配によって形成される圧力勾配によって駆動され、低圧および高温で昇華および分解してガス状物質を生成します。 これらのガス状物質は自然に低温種結晶位置に輸送され、過飽和の発生によりSiCウェーハインゴットが成長します。

詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.

2018-08-07

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