SiCウェハ基板

SiCウェーハ基板

同社は、結晶成長、結晶処理、ウェーハ処理、研磨、洗浄、テストを統合した完全なSiC(シリコンカーバイド)ウェーハ基板生産ラインを持っています。 今日では、軸上または軸外で半絶縁性と導電性を備えた市販の4Hおよび6H SiCウェーハを供給しています。サイズは5x5mm2、10x10mm2、2”、3”、4”、6”で、欠陥抑制などの主要な技術を打ち破っています。 、種結晶処理と急速な成長、炭化ケイ素エピタキシー、デバイスなどに関連する基本的な研究開発の促進

 

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製品の説明

PAM-XIAMENは半導体を提供しますSiCウェーハ基板6H SiCの4H SiC(炭化ケイ素)研究者や業界の製造業者向けにさまざまな品質グレードで。 私たちは開発しましたSiC結晶成長 技術とSiC結晶ウェハ処理技術により、GaNエピタキシーデバイス(AlN / GaN HEMT再成長など)、パワーデバイス、高温デバイス、オプトエレクトロニクスデバイスに適用されるSiC基板を製造するための生産ラインを確立しました。 先進的でハイテクな材料研究および州の研究所と中国の半導体研究所の分野からの主要な製造業者によって投資された専門の炭化ケイ素ウェーハ会社として、私たちは現在のSiC基板の品質を継続的に改善し、大型基板を開発することに専念しています。

以下に詳細仕様を示します。

1. SiC Wafer Specifications

1.1 4H SIC、Nタイプ、6インチウェーハ仕様

基板特性 S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H 4H
直径 (150±0.5)mm  (150 ± 0.5) mm
厚さ (350±25)μm(500±25)μm
キャリアタイプ n型 n型
ドーパント n型 n型
比抵抗(RT) (0.015 – 0.028)Ω・cm  (0.015 – 0.028)Ω·cm
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2
TTV <15μm <15μm
<40μm <40μm
ワープ <60μm <60μm
面方位
軸オフ <11-20>に向かって4°0.5°、±します <11-20>に向かって4°0.5°、±します
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20> 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 47.50 mm±2.00 mm 47.50 mm±2.00 mm
二次フラット なし なし
表面仕上げ ダブル顔を研磨します ダブル顔を研磨します
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
高強度リストによるクラック なし(AB) 累積長さ≤20mm、単一長さ≤2mm(CD)
高輝度光による六角プレート 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≤0.1%(CD)
高輝度光によるポリタイプエリア なし(AB) 累積面積≦3%(CD)
ビジュアルカーボンインクルージョン 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≦3%(CD)
高輝度光による傷 なし(AB) 累積長さ≤1xウェーハ直径(CD)
エッジチップ なし(AB) 5枚入り、各1mm以下(CD)
高輝度光による汚染 なし -
使用可能な領域 ≥90% -
エッジ除外 3ミリメートル 3ミリメートル

1.2 4H SIC、高純度半絶縁性(HPSI)、6インチウェーハ仕様

4H SIC、Vドープ半絶縁性、6インチウェーハ仕様

基板特性 S4H-150-SI-PWAM-500 -
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H 4H
直径 (150±0.5)mm (150±0.5)mm
厚さ (500±25)μm (500±25)μm
キャリアタイプ 半絶縁性 半絶縁性
ドーパント Vドープまたは非ドープ Vドープまたは非ドープ
比抵抗(RT) >1E7Ω・cm >1E7Ω・cm
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2
TTV <15μm <15μm
<40μm <40μm
ワープ <60μm <60μm
面方位
軸上 <0001>±0.5° <0001>±0.5°
軸オフ なし なし
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20> 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 47.50 mm±2.00 mm 47.50 mm±2.00 mm
二次フラット なし なし
表面仕上げ ダブル顔を研磨します ダブル顔を研磨します
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
高強度リストによるクラック なし(AB) 累積長さ≤20mm、単一長さ≤2mm(CD)
高輝度光による六角プレート 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≤0.1%(CD)
高輝度光によるポリタイプエリア なし(AB) 累積面積≦3%(CD)
ビジュアルカーボンインクルージョン 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≦3%(CD)
高輝度光による傷 なし(AB) 累積長さ≤1xウェーハ直径(CD)
エッジチップ なし(AB) 5枚入り、各1mm以下(CD)
高輝度光による汚染 なし -
使用可能な領域 ≥90% -
エッジ除外 3ミリメートル  3mm

1.3 4H SIC、Nタイプ、4インチウェーハ仕様

基板特性 S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H 4H
直径 (100±0.5)mmの (100±0.5)mmの
厚さ (350±25)μm(500±25)μm
キャリアタイプ n型 n型
ドーパント 窒素 窒素
比抵抗(RT) (0.015 – 0.028)Ω・cm (0.015 – 0.028)Ω・cm
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2
TTV <10μm <10μm
<25μm <25μm
ワープ <の45μm <の45μm
面方位
軸上 <0001>±0.5° <0001>±0.5°
軸オフ <11-20>±0.5°に向かって4°または8° <11-20>±0.5°に向かって4°または8°
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20> 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°-
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°-
セカンダリフラット長 18.00±2.00ミリメートル 18.00±2.00ミリメートル
表面仕上げ ダブル顔を研磨します ダブル顔を研磨します
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
高強度リストによるクラック なし(AB) 累積長さ≤10mm、単長さ≤2mm(CD)
高輝度光による六角プレート 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≤0.1%(CD)
高輝度光によるポリタイプエリア なし(AB) 累積面積≦3%(CD)
ビジュアルカーボンインクルージョン 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≦3%(CD)
高輝度光による傷 なし(AB) 累積長さ≤1xウェーハ直径(CD)
エッジチップ なし(AB) 5枚入り、各1mm以下(CD)
高輝度光による汚染 なし -
使用可能な領域 ≥90% -
エッジ除外 2ミリメートル 2ミリメートル

1.4 4H SIC、高純度半絶縁性(HPSI)、4インチウェーハ仕様

4H SIC、Vドープ半絶縁、4インチウェーハ仕様

基板特性 S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H 4H
直径 (100±0.5)mmの (100±0.5)mmの
厚さ (350±25)μm(500±25)μm
キャリアタイプ 半絶縁性 半絶縁性
ドーパント Vドープまたは非ドープ Vドープまたは非ドープ
比抵抗(RT) >1E7Ω・cm >1E7Ω・cm
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2
TTV <10μm <10μm
<25μm <25μm
ワープ <の45μm <の45μm
面方位
軸上 <0001>±0.5° <0001>±0.5°
軸オフ なし なし
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20> 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°-
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°-
セカンダリフラット長 18.00±2.00ミリメートル 18.00±2.00ミリメートル
表面仕上げ ダブル顔を研磨します ダブル顔を研磨します
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
高強度リストによるクラック なし(AB) 累積長さ≤10mm、単長さ≤2mm(CD)
高輝度光による六角プレート 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≤0.1%(CD)
高輝度光によるポリタイプエリア なし(AB) 累積面積≦3%(CD)
ビジュアルカーボンインクルージョン 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≦3%(CD)
高輝度光による傷 なし(AB) 累積長さ≤1xウェーハ直径(CD)
エッジチップ なし(AB) 5枚入り、各1mm以下(CD)
高輝度光による汚染 なし -
使用可能な領域 ≥90% -
エッジ除外 2ミリメートル 2ミリメートル

1.5 4H NタイプSIC、3インチ(76.2mm)ウェーハ仕様

基板特性 S4H-76-N-PWAM-430 S4H-76-N-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (76.2±0.38)mmで
厚さ (350±25)μm(430±25)μm
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.015 - 0.028Ω・cmで
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2
TTV /ボウ/ワープ <25μmで
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル
0.875 "±0.125"
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 11.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
スクラッチ なし
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 2ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.6 4H半絶縁性SIC、3インチ(76.2mm)ウェーハ仕様

(高純度半絶縁(HPSI)SiC基板が利用可能です)

UBSTRATEプロパティ S4H-76-N-PWAM-430 S4H-76-N-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (76.2±0.38)mmで
厚さ (350±25)μm(430±25)μm
キャリアタイプ 半絶縁性
ドーパント Vドープまたは非ドープ
比抵抗(RT) >1E7Ω・cm
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2
TTV /ボウ/ワープ <25μmで
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル
0.875 "±0.125"
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 11.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
スクラッチ なし
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 2ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.7 4H NタイプSIC、2インチ(50.8mm)ウェーハ仕様

基板特性 S4H-51-N-PWAM-430 S4H-51-N-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)μm(330±25)μm(430±25)μm
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.012から0.0028Ω・cmで
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70)mmの
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.8 4H半絶縁性SIC、2インチ(50.8mm)ウェーハ仕様

(高純度半絶縁(HPSI)SiC基板が利用可能です)

基板特性 S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SEMI基板
ポリタイプ 4H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)μm(330±25)μm(430±25)μm
比抵抗(RT) >1E7Ω・cm
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2
面方位
軸上<0001>±0.5°
軸外3.5°から<11-20>±0.5°
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70ミリメートル
二次平面オリエンテーションSi面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.9 6H NタイプSIC、2インチ(50.8mm)ウェーハ仕様

基板特性 S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / D研究グレードDダミーグレード6H SiC基板
ポリタイプ 6H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)μm(330±25)μm(430±25)μm
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.02〜0.1Ω・cmで
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ <11-20>に向かって3.5°、0.5°、±します
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70ミリメートル
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.10 SiCシードクリスタルウェーハ:

アイテム サイズ タイプ 方向付け 厚さ MPD 研磨条件
1号 105ミリメートル 4H、Nタイプ C(0001)4度オフ 500 +/- 50um <= 1 / cm-2
2位 153mm 4H、Nタイプ C(0001)4度オフ 350 +/- 50um <= 1 / cm-2

 

4H Nタイプまたは半絶縁SIC、5mm * 5mm、10mm * 10mmウエハー仕様:厚さ:330μm/430μm

4H Nタイプまたは半絶縁SIC、15mm * 15mm、20mm * 20mmウエハー仕様:厚さ:330μm/430μm

a面SiCウェーハ、サイズ:40mm * 10mm、30mm * 10mm、20mm * 10mm、10mm * 10mm、以下の仕様:

6H / 4H N型厚み:330μm/430μmまたはカスタム

6H / 4H半絶縁厚さ:330μm/430μmまたはカスタム

 

1.11炭化ケイ素の材料特性

炭化ケイ素材料の特性    
ポリタイプ 単結晶4H 単結晶6H
格子パラメータ = 3.076Å = 3.073Å
  C = 10.053Å C = 15.117Å
スタッキングシーケンス ABCB ABCACB
バンドギャップ 3.26 eVの 3.03 eVの
密度 3.21・103 kg / m3 3.21・103 kg / m3
サーム。 膨張係数 4~5×10 -6 / K 4~5×10 -6 / K
屈折率 なし= 2.719 なし= 2.707
  NE = 2.777 NE = 2.755
誘電率 9.6 9.66
熱伝導率 490 W / mKで 490 W / mKで
ブレークダウン電界 2〜4・108 V / m 2〜4・108 V / m
飽和ドリフト速度 2.0・105 m / s 2.0・105 m / s
電子移動度 800cm2 / V・S 400cm2 / V・S
正孔移動度 115cm2 / V・S 90cm2 / V・S
モース硬度 ~9 ~9

 

2.SiCウェーハについて

炭化ケイ素ウェーハは、優れた熱力学的および電気化学的特性を備えています。

熱力学の観点から、炭化ケイ素の硬度は、20°Cのモース硬度で9.2〜9.3と高くなっています。 最も硬い素材のひとつで、ルビーのカットに使用できます。 SiCウェーハの熱伝導率は銅の熱伝導率を上回っており、Siの3倍、GaAsの8〜10倍です。 また、SiCウェーハの熱安定性が高く、常圧で溶融することはできません。

電気化学の観点から、裸の炭化ケイ素ウェーハは、ワイドバンドギャップと耐破壊性の特徴を持っています。 SiC基板ウェーハのバンドギャップはSiの3倍、破壊電界はSiの10倍であり、耐食性は非常に強い。

したがって、SiCベースのSBDおよびMOSFETは、高周波、高温、高電圧、高電力、および耐放射線環境での作業に適しています。 同じ電力レベルの条件下で、SiCデバイスを使用して、電気ドライブと電子制御のボリュームを削減し、より高い電力密度とコンパクトな設計のニーズを満たすことができます。 一方では、炭化ケイ素基板ウェーハ製造技術は成熟しており、SiCウェーハのコストは現在競争力があります。 一方、インテリジェンスと電化のトレンドは進化し続けています。 従来の自動車は、SiCパワー半導体に対する大きな需要をもたらしました。 したがって、世界のSiCウェーハ市場は急速に成長しています。

 

3. SiCウェーハのQ&A

3.1 SiCウェーハがシリコンウェーハと同じように幅広い用途になるための障壁は何ですか?

1. SiCの物理的および化学的安定性のため、SiCの結晶成長は非常に困難であり、SiC半導体デバイスとその電子アプリケーションの開発を深刻に妨げています。

2.スタッキングシーケンスが異なる(多形とも呼ばれる)SiC構造には多くの種類があるため、電子グレードのSiC結晶の成長が妨げられます。 3C SiC、4H SiC、6hSiCなどのSiCの多形。

 

3.2どのようなSiCウェーハを提供していますか?

必要なものは立方相に属し、立方(c)、六角形(H)、菱形(R)があります。 私たちが持っているのは4Hや6hのように六角形で、Cは3C炭化ケイ素のように立方体です。

 

4.以下のサブカタログを参照してください。

4H N型SiC
4Hは、SiC半絶縁します
SiCのインゴット
ラッピングされたウェーハ
ウェーハ研磨

100ミリメートルシリコンカーバイド

6H SiCウェハ

PAM-厦門は、高純度半絶縁性SiC基板をゲットできます!

SiC(シリコンカーバイド)ブールクリスタル

シックチップ

グラフェン成長用HPSI SiCウェーハ

Thick Silicon Carbide Substrate

なぜ高純度の半絶縁性SiCウェーハが必要なのですか?

SiCウェーハのフォノン特性

成長ファセット

SiCウェーハの色が異なるのはなぜですか?

4H-SiC種結晶

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