SiCウェーハ基板
同社は、結晶成長、結晶処理、ウェーハ処理、研磨、洗浄、テストを統合した完全なSiC（シリコンカーバイド）ウェーハ基板生産ラインを持っています。 今日では、軸上または軸外で半絶縁性と導電性を備えた市販の4Hおよび6H SiCウェーハを供給しています。サイズは5x5mm2、10x10mm2、2”、3”、4”、6”で、欠陥抑制などの主要な技術を打ち破っています。 、種結晶処理と急速な成長、炭化ケイ素エピタキシー、デバイスなどに関連する基本的な研究開発の促進
- 説明
製品の説明
PAM-XIAMENは半導体を提供しますSiCウェーハ基板、6H SiCのと4H SiC（炭化ケイ素）研究者や業界の製造業者向けにさまざまな品質グレードで。 私たちは開発しましたSiC結晶成長 技術とSiC結晶ウェハ処理技術により、GaNエピタキシーデバイス（AlN / GaN HEMT再成長など）、パワーデバイス、高温デバイス、オプトエレクトロニクスデバイスに適用されるSiC基板を製造するための生産ラインを確立しました。 先進的でハイテクな材料研究および州の研究所と中国の半導体研究所の分野からの主要な製造業者によって投資された専門の炭化ケイ素ウェーハ会社として、私たちは現在のSiC基板の品質を継続的に改善し、大型基板を開発することに専念しています。
以下に詳細仕様を示します。
1. SiCウェーハの仕様
1.1 4H SIC、Nタイプ、6インチウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| 説明 | A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | （150±0.5）mm | (150±0.5)mm |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアタイプ | n型 | n型 |
| ドーパント | n型 | n型 |
| 比抵抗（RT） | （0.015 – 0.028）Ω・cm | (0.015～0.028)Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） | |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 | |
| TTV | <15μm | <15μm |
| 弓 | <40μm | <40μm |
| ワープ | <60μm | <60μm |
| 面方位 | ||
| 軸オフ | <11-20>に向かって4°0.5°、±します | <11-20>に向かって4°0.5°、±します |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | 47.50 mm±2.00 mm | 47.50 mm±2.00 mm |
| 二次フラット | なし | なし |
| 表面仕上げ | ダブル顔を研磨します | ダブル顔を研磨します |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度リストによるクラック | なし（AB） | 累積長さ≤20mm、単一長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤0.1％（CD） |
| 高輝度光によるポリタイプエリア | なし（AB） | 累積面積≦3％（CD） |
| ビジュアルカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≦3％（CD） |
| 高輝度光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≤1xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚入り、各1mm以下（CD） |
| 高輝度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能な領域 | ≥90％ | - |
| エッジ除外 | 3ミリメートル | 3ミリメートル |
1.2 4H SIC、高純度半絶縁性（HPSI）、6インチウェーハ仕様
4H SIC、Vドープ半絶縁性、6インチウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-150-SI-PWAM-500 | - |
| 説明 | A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | （150±0.5）mm | （150±0.5）mm |
| 厚さ | （500±25）μm | （500±25）μm |
| キャリアタイプ | 半絶縁性 | 半絶縁性 |
| ドーパント | Vドープまたは非ドープ | Vドープまたは非ドープ |
| 比抵抗（RT） | >1E7Ω・cm | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） | |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2 | |
| TTV | <15μm | <15μm |
| 弓 | <40μm | <40μm |
| ワープ | <60μm | <60μm |
| 面方位 | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | なし | なし |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | 47.50 mm±2.00 mm | 47.50 mm±2.00 mm |
| 二次フラット | なし | なし |
| 表面仕上げ | ダブル顔を研磨します | ダブル顔を研磨します |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度リストによるクラック | なし（AB） | 累積長さ≤20mm、単一長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤0.1％（CD） |
| 高輝度光によるポリタイプエリア | なし（AB） | 累積面積≦3％（CD） |
| ビジュアルカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≦3％（CD） |
| 高輝度光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≤1xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚入り、各1mm以下（CD） |
| 高輝度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能な領域 | ≥90％ | - |
| エッジ除外 | 3ミリメートル | 3mm |
1.3 4H SIC、Nタイプ、4インチウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| 説明 | A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | （100±0.5）mmの | （100±0.5）mmの |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアタイプ | n型 | n型 |
| ドーパント | 窒素 | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | （0.015 – 0.028）Ω・cm | （0.015 – 0.028）Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） | |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 | |
| TTV | <10μm | <10μm |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <の45μm | <の45μm |
| 面方位 | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>±0.5°に向かって4°または8° | <11-20>±0.5°に向かって4°または8° |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル | ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°- | |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°- | ||
| セカンダリフラット長 | 18.00±2.00ミリメートル | 18.00±2.00ミリメートル |
| 表面仕上げ | ダブル顔を研磨します | ダブル顔を研磨します |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度リストによるクラック | なし（AB） | 累積長さ≤10mm、単長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤0.1％（CD） |
| 高輝度光によるポリタイプエリア | なし（AB） | 累積面積≦3％（CD） |
| ビジュアルカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≦3％（CD） |
| 高輝度光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≤1xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚入り、各1mm以下（CD） |
| 高輝度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能な領域 | ≥90％ | - |
| エッジ除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.4 4H SIC、高純度半絶縁性（HPSI）、4インチウェーハ仕様
4H SIC、Vドープ半絶縁、4インチウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| 説明 | A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | （100±0.5）mmの | （100±0.5）mmの |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアタイプ | 半絶縁性 | 半絶縁性 |
| ドーパント | Vドープまたは非ドープ | Vドープまたは非ドープ |
| 比抵抗（RT） | >1E7Ω・cm | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） | |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2 | |
| TTV | <10μm | <10μm |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <の45μm | <の45μm |
| 面方位 | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | なし | なし |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル | ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°- | |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°- | ||
| セカンダリフラット長 | 18.00±2.00ミリメートル | 18.00±2.00ミリメートル |
| 表面仕上げ | ダブル顔を研磨します | ダブル顔を研磨します |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度リストによるクラック | なし（AB） | 累積長さ≤10mm、単長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≤0.1％（CD） |
| 高輝度光によるポリタイプエリア | なし（AB） | 累積面積≦3％（CD） |
| ビジュアルカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05％（AB） | 累積面積≦3％（CD） |
| 高輝度光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≤1xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚入り、各1mm以下（CD） |
| 高輝度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能な領域 | ≥90％ | - |
| エッジ除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.5 4H NタイプSIC、3インチ（76.2mm）ウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-76-N-PWAM-430 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 説明 | A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | （76.2±0.38）mmで |
| 厚さ | （350±25）μm（430±25）μm |
| キャリアタイプ | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | 0.015 - 0.028Ω・cmで |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 |
| TTV /ボウ/ワープ | <25μmで |
| 面方位 | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | 0.5°±<11-20>に向かって4度または8° |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル |
| 0.875 "±0.125" | |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 11.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.6 4H半絶縁性SIC、3インチ（76.2mm）ウェーハ仕様
（高純度半絶縁（HPSI）SiC基板が利用可能です）
| UBSTRATEプロパティ | S4H-76-N-PWAM-430 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 説明 | A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | （76.2±0.38）mmで |
| 厚さ | （350±25）μm（430±25）μm |
| キャリアタイプ | 半絶縁性 |
| ドーパント | Vドープまたは非ドープ |
| 比抵抗（RT） | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2 |
| TTV /ボウ/ワープ | <25μmで |
| 面方位 | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | 0.5°±<11-20>に向かって4度または8° |
| プライマリオリエンテーションフラット | 5.0°±<11-20> |
| プライマリフラット長 | ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル |
| 0.875 "±0.125" | |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 11.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.7 4H NタイプSIC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
| 基板特性 | S4H-51-N-PWAM-430 S4H-51-N-PWAM-430 |
| 説明 | A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | （50.8±0.38）mmで |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| キャリアタイプ | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | 0.012から0.0028Ω・cmで |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 |
| 面方位 | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | 0.5°±<11-20>に向かって4度または8° |
| プライマリオリエンテーションフラット | 平行{1-100}±5° |
| プライマリフラット長 | 16.00±1.70）mmの |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 8.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.8 4H半絶縁性SIC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
（高純度半絶縁（HPSI）SiC基板が利用可能です）
| 基板特性 | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| 説明 | A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SEMI基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | （50.8±0.38）mmで |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| 比抵抗（RT） | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2D≤50cm-2 |
| 面方位 | |
| 軸上<0001>±0.5° | |
| 軸外3.5°から<11-20>±0.5° | |
| プライマリオリエンテーションフラット | 平行{1-100}±5° |
| プライマリフラット長 | 16.00±1.70ミリメートル |
| 二次平面オリエンテーションSi面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 8.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.9 6H NタイプSIC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
| 基板特性 | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| 説明 | A / B製造グレードC / D研究グレードDダミーグレード6H SiC基板 |
| ポリタイプ | 6H |
| 直径 | （50.8±0.38）mmで |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| キャリアタイプ | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 比抵抗（RT） | 0.02〜0.1Ω・cmで |
| 表面粗さ | <0.5 nm（Si-face CMP Epi-ready）; <1 nm（C-面光学研磨） |
| FWHM | A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2D≤50cm-2 |
| 面方位 | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>に向かって3.5°、0.5°、±します |
| プライマリオリエンテーションフラット | 平行{1-100}±5° |
| プライマリフラット長 | 16.00±1.70ミリメートル |
| 二次オリエンテーションフラット | Si面：90°cw。 オリエンテーションフラットから±5° |
| C面：90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5° | |
| セカンダリフラット長 | 8.00±1.70ミリメートル |
| 表面仕上げ | シングルまたはダブルフェース研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能な領域 | ≥90％ |
| エッジ除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による亀裂 | エンジニアチームにご相談ください |
| ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による傷 | エンジニアチームにご相談ください |
| 高輝度光による汚染 | エンジニアチームにご相談ください |
1.10 SiCシードクリスタルウェーハ：
| アイテム | サイズ | タイプ | 方向付け | 厚さ | MPD | 研磨条件 |
| 1号 | 105ミリメートル | 4H、Nタイプ | C（0001）4度オフ | 500 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
| 2位 | 153mm | 4H、Nタイプ | C（0001）4度オフ | 350 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
4H Nタイプまたは半絶縁SIC、5mm * 5mm、10mm * 10mmウエハー仕様：厚さ：330μm/430μm
4H Nタイプまたは半絶縁SIC、15mm * 15mm、20mm * 20mmウエハー仕様：厚さ：330μm/430μm
a面SiCウェーハ、サイズ：40mm * 10mm、30mm * 10mm、20mm * 10mm、10mm * 10mm、以下の仕様：
6H / 4H N型厚み：330μm/430μmまたはカスタム
6H / 4H半絶縁厚さ：330μm/430μmまたはカスタム
1.11炭化ケイ素の材料特性
| 炭化ケイ素材料の特性 | ||
| ポリタイプ | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子パラメータ | = 3.076Å | = 3.073Å |
| C = 10.053Å | C = 15.117Å | |
| スタッキングシーケンス | ABCB | ABCACB |
| バンドギャップ | 3.26 eVの | 3.03 eVの |
| 密度 | 3.21・103 kg / m3 | 3.21・103 kg / m3 |
| サーム。 膨張係数 | 4~5×10 -6 / K | 4~5×10 -6 / K |
| 屈折率 | なし= 2.719 | なし= 2.707 |
| NE = 2.777 | NE = 2.755 | |
| 誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導率 | 490 W / mKで | 490 W / mKで |
| ブレークダウン電界 | 2〜4・108 V / m | 2〜4・108 V / m |
| 飽和ドリフト速度 | 2.0・105 m / s | 2.0・105 m / s |
| 電子移動度 | 800cm2 / V・S | 400cm2 / V・S |
| 正孔移動度 | 115cm2 / V・S | 90cm2 / V・S |
| モース硬度 | ~9 | ~9 |
2.SiCウェーハについて
炭化ケイ素ウェーハは、優れた熱力学的および電気化学的特性を備えています。
熱力学の観点から、炭化ケイ素の硬度は、20°Cのモース硬度で9.2〜9.3と高くなっています。 最も硬い素材のひとつで、ルビーのカットに使用できます。 SiCウェーハの熱伝導率は銅の熱伝導率を上回っており、Siの3倍、GaAsの8〜10倍です。 また、SiCウェーハの熱安定性が高く、常圧で溶融することはできません。
電気化学の観点から、裸の炭化ケイ素ウェーハは、ワイドバンドギャップと耐破壊性の特徴を持っています。 SiC基板ウェーハのバンドギャップはSiの3倍、破壊電界はSiの10倍であり、耐食性は非常に強い。
したがって、SiCベースのSBDおよびMOSFETは、高周波、高温、高電圧、高電力、および耐放射線環境での作業に適しています。 同じ電力レベルの条件下で、SiCデバイスを使用して、電気ドライブと電子制御のボリュームを削減し、より高い電力密度とコンパクトな設計のニーズを満たすことができます。 一方では、炭化ケイ素基板ウェーハ製造技術は成熟しており、SiCウェーハのコストは現在競争力があります。 一方、インテリジェンスと電化のトレンドは進化し続けています。 従来の自動車は、SiCパワー半導体に対する大きな需要をもたらしました。 したがって、世界のSiCウェーハ市場は急速に成長しています。
3. SiCウェーハのQ＆A
3.1 SiCウェーハがシリコンウェーハと同じように幅広い用途になるための障壁は何ですか？
1. SiCの物理的および化学的安定性のため、SiCの結晶成長は非常に困難であり、SiC半導体デバイスとその電子アプリケーションの開発を深刻に妨げています。
2.スタッキングシーケンスが異なる（多形とも呼ばれる）SiC構造には多くの種類があるため、電子グレードのSiC結晶の成長が妨げられます。 3C SiC、4H SiC、6hSiCなどのSiCの多形。
3.2どのようなSiCウェーハを提供していますか？
必要なものは立方相に属し、立方（c）、六角形（H）、菱形（R）があります。 私たちが持っているのは4Hや6hのように六角形で、Cは3C炭化ケイ素のように立方体です。
4.以下のサブカタログを参照してください。
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