SiC Wafer Substrate
同社は、結晶成長、結晶処理、ウェーハ処理、研磨、洗浄、テストを統合した完全なSiC（炭化ケイ素）ウェーハ基板生産ラインを持っています。現在、当社はオンアクシスまたはオフアクシスで半絶縁性と導電性を備えた市販の4Hおよび6H SiCウェーハを供給しており、利用可能なサイズは5x5mm2、10x10mm2、2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、8インチであり、欠陥抑制、種結晶処理、高速成長などの主要技術を突破し、炭化ケイ素エピタキシー、デバイスなどに関連する基礎研究開発を推進しています。
- Description
説明
PAM-厦門は半導体を提供しますSiCウェハ 基板、6H SiCのと4H SiC（炭化ケイ素）研究者や業界メーカー向けにさまざまな品質グレードを用意しています。私たちが開発したのは、SiC結晶成長 テクノロジーとSiC結晶ウエハ加工技術を活用し、GaNエピタキシーデバイス（AlN/GaN HEMT再成長など）、パワーデバイス、高温デバイス、光電子デバイスに応用されるSiC基板を製造する生産ラインを確立しました。先進的・ハイテク材料研究分野の大手メーカーや国家機関、中国の半導体研究所から投資を受けた炭化ケイ素ウェーハの専門会社として、当社は現在のSiC基板の品質向上と大型基板の開発に継続的に取り組んでいます。
詳細な仕様を次に示します。
1. SiCウェハ仕様
1.1 8インチSiCウェハ仕様
|
8インチN型SiC基板 |
|||
| アイテム | 成績 | Bグレード | Cグレード |
| 直径 | 200±0.2mm | ||
| 厚さ | 500±25μm | ||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 表面の向き | <11-20>に向かって4°±0.5° | ||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| ノッチの向き | [1-100]±5° | ||
| ノッチ深さ | 1~1.5mm | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | 0.01～0.03Ω・cm | NA |
| LTV | ≦5μm(10mm×10mm) | ≤10μm (10mm*10mm) | ≤15μm (10mm*10mm) |
| TTV | ≦10μm | ≤15μm | ≤20μm |
| 弓 | -25μm~25μm | -45μm~45μm | -65μm~65μm |
| ワープ | ≦35μm | ≦50μm | ≦70μm |
| マイクロパイプ密度 | ≤2ea/cm2 | ≤10ea/cm2 | ≤50ea/cm2 |
| 金属含有量 | ≤1E11 原子/cm2 | ≤1E11 原子/cm2 | NA |
| TSD | ≤500ea/cm2 | ≤1000ea/cm2 | NA |
| BPD | ≤2000ea/cm2 | ≤5000ea/cm2 | NA |
| テッド | ≤7000ea/cm2 | ≤10000ea/cm2 | NA |
| 表面粗さ（Si面） | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm |
| 前面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤100(サイズ≥0.3μm) | NA | NA |
| 傷 | ≤5、全長≤直径 | NA | NA |
| エッジの欠け/凹み/ひび割れ/汚れ/ 汚染 |
なし | なし | NA |
| ポリタイプ領域 | なし | ≤20% (累積面積) | ≤30% (累積面積) |
| フロントマーキング | なし | ||
| 裏面仕上げ | C面研磨 | ||
| 傷 | NA | NA | NA |
| 背面欠陥エッジ欠け/凹み | なし | なし | NA |
| 裏粗さ | Ra≤5nm | Ra≤5nm | Ra≤5nm |
| バックマーキング | ノッチ(右側) | ||
| エッジ | 面取り | 面取り | 面取り |
| パッケージング | 真空包装でエピ対応可能。マルチウェーハまたはシングルウェーハのカセットパッケージング | ||
注: 「NA」はリクエストがないことを意味します。記載されていない項目は SEMI-STD を参照している場合があります。
1.2 200mm ウルトラプライム SiC 基板
| アイテム | 200mm N型SiCウェハ、DSP |
| グレード | ウルトラプライムグレード |
| 直径 | 200±0.2mm |
| 厚さ | 350±25um |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | N型窒素 |
| オリエンテーション | <11-20>方向に4°±0.15° |
| ノッチの向き | {1-100}±5° |
| ノッチ深さ | 1~1.5mm |
| 比抵抗 | 0.015～0.025Ω・cm |
| LTV | ≤3μm(10*10mm) |
| TTV | ≤7μm |
| 弓 | -20~20um |
| ワープ | ≤30μm |
| Si面粗さ | Ra≤0.2nm |
| MPD | <0.2ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤1E11 原子/cm2(Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Pb、Na、K、Ti、Ca、V、Mn) |
| TSD | ≤200ea/cm2 |
| BPD | ≤1000ea/cm2 |
| テッド | ≤3000ea/cm2 |
| フロント品質 | |
| 前面 | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | ≤100ea/ウェーハ(サイズ≥0.3um) |
| 傷 | ≤5ea/nm、全長≤直径 |
| エッジ欠け/凹み/亀裂/汚れ/汚れ | なし |
| ポリタイプ領域 | なし |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| バック品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | NA |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし |
| 裏面粗さ | Ra≤5nm |
| 背面のレーザーマーキング | 右にノッチを付ける |
| エッジ | 面取り |
| パッケージ | 真空パッケージングによるエピ対応、マルチウェーハ/シングルウェーハカセット |
1.3 150mm ウルトラプライム SiC 基板
| アイテム | 150mm N タイプ SiC ウェハー、DSP |
| グレード | ウルトラプライムグレード |
| 直径 | 150±0.2mm |
| 厚さ | 350±25um |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | N型窒素 |
| オリエンテーション | <11-20>方向に4°±0.15° |
| プライマリ フラット方向 | {1-100}±5° |
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm |
| セカンダリフラット | なし |
| 比抵抗 | 0.016～0.024Ω・cm |
| LTV | ≤2μm(10*10mm) |
| TTV | ≦5μm |
| 弓 | -15～15μm |
| ワープ | ≤20μm |
| Si面粗さ | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| MPD | <0.15ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10 原子/cm2 |
| BPD | ≤600ea/cm2 |
| TSD | ≤100ea/cm2 |
| フロント品質 | |
| 前面 | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ(サイズ≥0.3um) |
| 傷 | ≤2ea/nm、全長≤1/2*直径 |
| オレンジの皮/穴/ひび割れ/汚染/汚れ/縞模様 | なし |
| エッジの欠け/凹み/割れ | なし |
| ポリタイプ領域 | なし |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| バック品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | ≤5ea/nm、全長≤直径 |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし |
| 裏面粗さ | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| 背面のレーザーマーキング | 上端から1mm |
| エッジ | 面取り |
| パッケージ | 真空パッケージングによるエピ対応、マルチウェーハ/シングルウェーハカセット |
1.4 4H SIC、Nタイプ、6インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (150±0.5)mm | (150±0.5)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (500±25)μm | |
| キャリアの種類 | n型 | n型 |
| ドーパント | n型 | n型 |
| 抵抗率 (RT) | (0.015～0.028)Ω・cm | (0.015～0.028)Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) | |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | <15μm | <15μm |
| 弓 | <40μm | <40μm |
| ワープ | <60μm | <60μm |
| 表面の向き | ||
| 軸オフ | <11-20>方向に4°±0.5° | <11-20>方向に4°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 47.50mm±2.00mm | 47.50mm±2.00mm |
| 二次フラット | なし | なし |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ≤20mm、単一の長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≦1 x ウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度の光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 3ミリメートル | 3ミリメートル |
1.5 4H SIC、高純度半絶縁(HPSI)、6インチウェーハ仕様
4H SIC、Vドープ半絶縁、6インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-150-SI-PWAM-500 | ||
| 説明 | A: プロダクショングレード、B: 研究グレード、C: ダミーグレード 4H SiC 基板 | ||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 直径 | 150±0.2 mm | ||
| 厚さ | 500±25μm | ||
| キャリアの種類 | 半絶縁 | ||
| ドーパント | Vドープ | ||
| 表面の向き | |||
| 軸上 | <0001> | ||
| 軸オフ | 0±0.25° | ||
| ノッチオリエンテーション | [1-100]±5.0° | ||
| ノッチ深さ | 1〜1.25mm | ||
| 抵抗率 (RT) | A：≥1e8ohm.cm | B：100％面積> 1e5ohm.cm | C：50％面積> 1e5ohm.cm |
| 表面粗さ | ≤0.2 nm (5*5um、Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) | ||
| FWHM | A：≤45Arcsec | B：≤ARCSEC | C：≤100ARCSEC |
| マイクロパイプ密度 | A：≤1EA/CM2 | B：≤5EA/CM2 | C：≤10EA/CM2 |
| TTV | ≦5μm | ≦10μm | ≤15μm |
| 弓 | -25μm~25μm | -35μm〜35μm | -45μm~45μm |
| ワープ | ≦35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 六角形の空洞 | なし | NA | |
| 炭素包含密度 | ≤1EA/CM2 | NA | |
| 粒子 | ≤60EA/ウェーハ（サイズ以上0.3um） | NA | |
| 傷 | ≤5、総長さ≤diameter | 合計長さ2*直径 | NA |
| 金属不純物 | ≤5E12原子/cm2 | ≤5E12原子/cm2 | NA |
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | ||
1.6 4H SIC、Nタイプ、4インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (100±0.5)mm | (100±0.5)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (500±25)μm | |
| キャリアの種類 | n型 | n型 |
| ドーパント | 窒素 | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | (0.015～0.028)Ω・cm | (0.015～0.028)Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) | |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | <10μm | <10μm |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <の45μm | <の45μm |
| 表面の向き | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 32.50mm±2.00mm | 32.50mm±2.00mm |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5°- | |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5°- | ||
| 二次平面長 | 18.00±2.00mm | 18.00±2.00mm |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ≤10mm、単一の長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≦1 x ウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度の光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.7 4H SIC、高純度半絶縁(HPSI)、4インチウェーハ仕様
4H SIC、V ドープ半絶縁、4 インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (100±0.5)mm | (100±0.5)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (500±25)μm | |
| キャリアの種類 | 半絶縁 | 半絶縁 |
| ドーパント | Vドープ | Vドープ |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) | |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | <10μm | <10μm |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <の45μm | <の45μm |
| 表面の向き | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | なし | なし |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 32.50mm±2.00mm | 32.50mm±2.00mm |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5°- | |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5°- | ||
| 二次平面長 | 18.00±2.00mm | 18.00±2.00mm |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ≤10mm、単一の長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≦1 x ウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度の光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.8 4H N タイプ SIC、3 インチ (76.2mm) ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (76.2±0.38)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (430±25)μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.015～0.028Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV/ボウ/ワープ | <25μmで |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 22.22mm±3.17mm |
| 0.875インチ±0.125インチ | |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5° |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 11.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.9 4H 半絶縁 SIC、3 インチ (76.2mm) ウェーハ仕様
(高純度半絶縁性(HPSI)SiC基板も対応可能です)
| 基板の特性 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (76.2±0.38)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (430±25)μm |
| キャリアの種類 | 半絶縁 |
| ドーパント | Vドープ |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV/ボウ/ワープ | <25μmで |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 22.22mm±3.17mm |
| 0.875インチ±0.125インチ | |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5° |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 11.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.10 4H N タイプ SIC、2 インチ (50.8mm) ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | (250±25)μm (330±25)μm (430±25)μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.012～0.0028Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70)mm |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5° |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.11 4H 半絶縁 SIC、2 インチ (50.8mm) ウェーハ仕様
(高純度半絶縁性(HPSI)SiC基板も対応可能です)
| 基板の特性 | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| 説明 | A/B プロダクショングレード C/D リサーチグレード D ダミーグレード 4H SEMI 基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | (250±25)μm (330±25)μm (430±25)μm |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸上<0001>±0.5° | |
| 軸外 3.5° <11-20> 方向 ± 0.5° | |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70mm |
| 二次平面配向 Si 面:90° CW。オリフラより±5° | |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.12 6H N タイプ SIC、2 インチ (50.8mm) ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 6H SiC 基板 |
| ポリタイプ | 6H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | (250±25)μm (330±25)μm (430±25)μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.02～0.1Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に3.5°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70mm |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5° |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.13 12 インチ SiC 基板ウェハ
|
12 インチ (300mm) 4H-SiC 基板仕様(PAM07282026) |
|
| パラメーター | 値 |
| 直径 | 300.0±0.5mm |
| 厚さ | 700±50μm |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | n型窒素 |
| 面方位 | NA |
| ノッチオリエンテーション | <1-100>±5° |
| ノッチ深さ | 1～1.25mm |
| 抵抗率 | NA |
| TTV | NA |
| 弓 | NA |
| ワープ | NA |
| マイクロパイプ密度 | NA |
| 目に見える炭素含有物 | NA |
| 金属不純物 | NA |
| TSD | NA |
| BPD | NA |
| テッド | NA |
| SF(2mm*2mm) | NA |
| 総使用可能エリア(2mm*2mm) | NA |
| 前面品質 | |
| フロント | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | NA |
| 傷 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/亀裂/汚染/ピンホール | NA |
| エッジの欠け/凹み | NA |
| ポリタイプ領域 | NA |
| 正面粗さ | NA |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| 裏面の品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | NA |
| エッジの欠け/凹み | NA |
| 裏面粗さ | NA |
| 背面のレーザーマーキング | ノッチの真上 |
| エッジ | 面取り |
| パッケージング | 窒素充填または真空、エピ対応のマルチ/枚葉カセット |
注: 「NA」は要件がないことを意味します。
1.14 SiC 種結晶ウェハ:
| アイテム | サイズ | タイプ | オリエンテーション | 厚さ | MPD | 研磨条件 |
| 1号 | 105ミリメートル | 4H、Nタイプ | C(0001)4度オフ | 500 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
| 2位 | 153mm | 4H、Nタイプ | C(0001)4度オフ | 350 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
4H N タイプまたは半絶縁 SIC、5mm * 5mm、10mm * 10mm ウェーハ仕様: 厚さ: 330μm/430μm
4H N タイプまたは半絶縁 SIC、15mm * 15mm、20mm * 20mm ウェーハ仕様: 厚さ: 330μm/430μm
a面SiCウェーハ、サイズ: 40mm * 10mm、30mm * 10mm、20mm * 10mm、10mm * 10mm、以下の仕様:
6H/4H Nタイプ 厚さ:330μm/430μmまたはカスタム
6H/4H 半絶縁厚さ: 330μm/430μm またはカスタム
1.15 炭化ケイ素の材料特性
| 炭化ケイ素の材料特性 | ||
| ポリタイプ | 単結晶 4H | 単結晶 6H |
| 格子パラメータ | = 3.076Å | = 3.073Å |
| C = 10.053Å | C = 15.117Å | |
| スタッキングシーケンス | ABCB | ABCACB |
| バンドギャップ | 3.26 eVの | 3.03 eVの |
| 密度 | 3.21・103kg/m3 | 3.21・103kg/m3 |
| サーム。 膨張係数 | 4~5×10 -6 / K | 4~5×10 -6 / K |
| 屈折率 | なし= 2.719 | なし= 2.707 |
| NE = 2.777 | NE = 2.755 | |
| 誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導率 | 490 W / mKで | 490 W / mKで |
| 破壊電界 | 2-4・108V/m | 2-4・108V/m |
| 飽和ドリフト速度 | 2.0・105m/秒 | 2.0・105m/秒 |
| 電子移動度 | 800cm2/V・S | 400cm2/V・S |
| ホールモビリティ | 115cm2/V・S | 90cm2 / V・S |
| モース硬度 | 〜9 | 〜9 |
2. SiCウェハについて
炭化ケイ素ウェーハは、優れた熱力学的特性および電気化学的特性を持っています。
熱力学的観点から見ると、炭化ケイ素の硬度は 20°C のモース硬度で 9.2 ～ 9.3 と高くなります。最も硬い材料の一つであり、ルビーのカットに使用されます。 SiC ウェーハの熱伝導率は銅の熱伝導率を上回り、Si の 3 倍、GaAs の 8 ～ 10 倍です。また、SiCウェーハは熱安定性が高く、常圧下では溶融することがありません。
電気化学の観点から見ると、ベアシリコンカーバイドウェハは広いバンドギャップと耐破壊性という特徴を持っています。 SiC基板ウエハのバンドギャップはSiの3倍、破壊電界はSiの10倍であり、耐食性が非常に強いです。
したがって、SiC ベースの SBD および MOSFET は、高周波、高温、高電圧、高電力、および耐放射線環境での動作により適しています。同じ電力レベルの条件下では、SiC デバイスを使用して電気ドライブと電子制御の体積を削減し、より高い電力密度とコンパクトな設計のニーズを満たすことができます。一方で、炭化ケイ素基板ウェハ製造技術は成熟しており、SiC ウェハのコストは現在競争力があります。その一方で、インテリジェント化と電動化のトレンドは進化し続けています。従来の自動車は、SiC パワー半導体に対する莫大な需要をもたらしました。このようにして、世界のSiCウェーハ市場は急速に成長しています。
3. SiCウェーハのQ&A
3.1 シリコンウェーハと同様に広く応用されるSiCウェーハの障壁は何ですか?
1.SiCの物理的および化学的安定性により、SiCの結晶成長は非常に困難であり、SiC半導体デバイスおよびその電子応用の開発に重大な妨げとなっています。
2.異なる積層順序（多形性とも呼ばれます）を持つ多くの種類のSiC構造が存在するため、電子グレードのSiC結晶の成長が妨げられます。 3C SiC、4H SiC、6h SiC などの SiC の多形。
3.2 どのような種類の SiC ウェハを提供していますか?
必要なものは立方晶系に属し、立方晶系(c)、六方晶系(H)、斜方晶系(R)があります。私たちが持っているものは4Hや6hのような六方晶系であり、Cは3C炭化ケイ素のような立方晶系です。
4. 以下のサブカタログを参照してください。
4H N型SiC
4H半絶縁SiC
SiCのインゴット
ラップウェーハ
研磨ウェーハ
