SiC Wafer Substrate
同社には、結晶の成長、クリスタル処理、ウェーハ加工、研磨、クリーニング、テストを統合する完全なSIC（炭化シリコン）ウェーハ基板生産ラインがあります。現在、私たちは市販の4Hおよび6H SICウェーファーを軸または軸外での半断熱と導電率を備えており、利用可能なサイズ：5x5mm2,10x10mm2、2”、3 "、4"、6 "、8インチを供給し、欠陥抑制、種子の結晶加工、迅速な成長などの主要な技術を突破し、迅速な成長を促進します。
- Description
説明
Pam-Xiamenは半導体を提供しますSiCウェハ 基板、6H SiCのと4H SiC（炭化ケイ素）研究者および産業メーカー向けのさまざまな品質グレードで。開発しましたSiC結晶成長 テクノロジーとSiC結晶ウエハ処理技術は、GANエピタキシーデバイス（ALN/GAN HEMT REGROWTHなど）、電源デバイス、高温デバイス、オプトエレクトロニックデバイスに適用されるSIC基質を製造するための生産ラインを確立しました。高度でハイテクの材料研究および州の研究所および中国の半導体研究所の分野から大手メーカーが投資したプロのシリコン炭化物ウェーハ会社として、私たちは現在のSIC基板の品質を継続的に改善し、大規模な基質を開発することに専念しています。
ここに詳細な仕様を示します：
1. SiCウェハ仕様
1.1 8インチSiCウェハ仕様
|
8インチN型SiC基板 |
|||
| アイテム | 成績 | Bグレード | Cグレード |
| 直径 | 200±0.2mm | ||
| 厚さ | 500±25μm | ||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 表面の向き | <11-20>に向かって4°±0.5° | ||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| ノッチの向き | [1-100]±5° | ||
| ノッチ深さ | 1~1.5mm | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | 0.01～0.03Ω・cm | NA |
| LTV | ≦5μm(10mm×10mm) | ≤10μm (10mm*10mm) | ≤15μm (10mm*10mm) |
| TTV | ≦10μm | ≤15μm | ≤20μm |
| 弓 | -25μm~25μm | -45μm~45μm | -65μm~65μm |
| ワープ | ≦35μm | ≦50μm | ≦70μm |
| マイクロパイプ密度 | ≤2ea/cm2 | ≤10ea/cm2 | ≤50ea/cm2 |
| 金属含有量 | ≤1E11 原子/cm2 | ≤1E11 原子/cm2 | NA |
| TSD | ≤500ea/cm2 | ≤1000ea/cm2 | NA |
| BPD | ≤2000ea/cm2 | ≤5000ea/cm2 | NA |
| テッド | ≤7000ea/cm2 | ≤10000ea/cm2 | NA |
| 表面粗さ（Si面） | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm |
| 前面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤100(サイズ≥0.3μm) | NA | NA |
| 傷 | ≤5、全長≤直径 | NA | NA |
| エッジチップ/インデント/亀裂/染色/ 汚染 |
なし | なし | NA |
| ポリタイプ領域 | なし | ≤20% (累積面積) | ≤30% (累積面積) |
| フロントマーキング | なし | ||
| 裏面仕上げ | C面研磨 | ||
| 傷 | NA | NA | NA |
| バック欠陥エッジチップ/インデント | なし | なし | NA |
| 裏粗さ | Ra≤5nm | Ra≤5nm | Ra≤5nm |
| バックマーキング | ノッチ(右側) | ||
| エッジ | 面取り | 面取り | 面取り |
| パッケージング | 真空パッケージを備えたEPIの準備。マルチワーファーまたはシングルウェーハカセットパッケージ | ||
注：「NA」にはリクエストがありません。言及されていない項目は、Semi-STDを参照する場合があります。
1.2 200mmウルトラプライムSIC基板
| アイテム | 200mm N型SiCウェハ、DSP |
| グレード | ウルトラプライムグレード |
| 直径 | 200±0.2mm |
| 厚さ | 350±25um |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | N型窒素 |
| オリエンテーション | <11-20>方向に4°±0.15° |
| ノッチの向き | {1-100}±5° |
| ノッチ深さ | 1~1.5mm |
| 比抵抗 | 0.015～0.025Ω・cm |
| LTV | ≤3μm(10*10mm) |
| TTV | ≤7μm |
| 弓 | -20~20um |
| ワープ | ≤30μm |
| Si面粗さ | Ra≤0.2nm |
| MPD | <0.2ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤1e11原子/cm2（al、cr、fe、ni、cu、zn、pb、na、k、ti、ca、v、mn） |
| TSD | ≤200ea/cm2 |
| BPD | ≤1000ea/cm2 |
| テッド | ≤3000ea/cm2 |
| フロント品質 | |
| 前面 | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | ≤100ea/ウェーハ(サイズ≥0.3um) |
| 傷 | ≤5ea/nm、全長≤直径 |
| エッジチップ/インデント/亀裂/汚れ/汚染 | なし |
| ポリタイプ領域 | なし |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| バック品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | NA |
| バック欠陥（エッジチップ/インデント） | なし |
| 裏面粗さ | Ra≤5nm |
| 背面のレーザーマーキング | 右にノッチを付ける |
| エッジ | 面取り |
| パッケージ | 真空パッケージ、マルチワーファー/シングルウェーハカセットを備えたEPIの準備 |
1.3 150mmウルトラプライムSIC基質
| アイテム | 150mm N タイプ SiC ウェハー、DSP |
| グレード | ウルトラプライムグレード |
| 直径 | 150±0.2mm |
| 厚さ | 350±25um |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | N型窒素 |
| オリエンテーション | <11-20>方向に4°±0.15° |
| プライマリ フラット方向 | {1-100}±5° |
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm |
| セカンダリフラット | なし |
| 比抵抗 | 0.016～0.024Ω・cm |
| LTV | ≤2μm(10*10mm) |
| TTV | ≦5μm |
| 弓 | -15～15μm |
| ワープ | ≤20μm |
| Si面粗さ | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| MPD | <0.15ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10 原子/cm2 |
| BPD | ≤600ea/cm2 |
| TSD | ≤100ea/cm2 |
| フロント品質 | |
| 前面 | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ(サイズ≥0.3um) |
| 傷 | ≤2EA/nm、合計長さ1/2*直径 |
| オレンジ色の皮/ピット/亀裂/汚染/汚れ/縞 | なし |
| エッジの欠け/凹み/割れ | なし |
| ポリタイプ領域 | なし |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| バック品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | ≤5ea/nm、全長≤直径 |
| バック欠陥（エッジチップ/インデント） | なし |
| 裏面粗さ | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| 背面のレーザーマーキング | 上端から1mm |
| エッジ | 面取り |
| パッケージ | 真空パッケージ、マルチワーファー/シングルウェーハカセットを備えたEPIの準備 |
1.4 4H SIC、Nタイプ、6インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B生産グレードC/D研究グレードDダミーグレード4H SIC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (150±0.5)mm | (150±0.5)mm |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアの種類 | n型 | n型 |
| ドーパント | n型 | n型 |
| 抵抗率 (RT) | (0.015～0.028)Ω・cm | (0.015～0.028)Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（SI-Face CMP Epi-Ready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） | |
| FWHM | a <30 arcsec b/c/d <50 arcsec | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2d≤50cm-2 | |
| TTV | <15μm | <15μm |
| 弓 | <40μm | <40μm |
| ワープ | <60μm | <60μm |
| 表面の向き | ||
| 軸オフ | <11-20>方向に4°±0.5° | <11-20>方向に4°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 47.50mm±2.00mm | 47.50mm±2.00mm |
| 二次フラット | なし | なし |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ20mm、単一長さ2mm （CD） |
| 高強度の光によるヘックスプレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプの領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ1 xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 3ミリメートル | 3ミリメートル |
1.5 4H SIC、高純度セミ挿入（HPSI）、6インチウェーハ仕様
4H SIC、Vドープセミ挿入、6インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-150-SI-PWAM-500 | ||
| 説明 | A：生産グレード、B：研究グレード、C：ダミーグレード4H SIC基質 | ||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 直径 | 150±0.2 mm | ||
| 厚さ | 500±25μm | ||
| キャリアの種類 | 半絶縁 | ||
| ドーパント | Vドープ | ||
| 表面の向き | |||
| 軸上 | <0001> | ||
| 軸オフ | 0±0.25° | ||
| ノッチオリエンテーション | [1-100]±5.0° | ||
| ノッチ深さ | 1〜1.25mm | ||
| 抵抗率 (RT) | A：≥1e8ohm.cm | B：100％面積> 1e5ohm.cm | C：50％面積> 1e5ohm.cm |
| 表面粗さ | ≤0.2nm（5*5um、si-face cmp epiready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） | ||
| FWHM | A：≤45Arcsec | B：≤ARCSEC | C：≤100ARCSEC |
| マイクロパイプ密度 | A：≤1EA/CM2 | B：≤5EA/CM2 | C：≤10EA/CM2 |
| TTV | ≦5μm | ≦10μm | ≤15μm |
| 弓 | -25μm~25μm | -35μm〜35μm | -45μm~45μm |
| ワープ | ≦35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 六角形の空洞 | なし | NA | |
| 炭素包含密度 | ≤1EA/CM2 | NA | |
| 粒子 | ≤60EA/ウェーハ（サイズ以上0.3um） | NA | |
| 傷 | ≤5、総長さ≤diameter | 合計長さ2*直径 | NA |
| 金属不純物 | ≤5E12原子/cm2 | ≤5E12原子/cm2 | NA |
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | ||
1.6 4H SIC、Nタイプ、4インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B生産グレードC/D研究グレードDダミーグレード4H SIC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (100±0.5)mm | (100±0.5)mm |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアの種類 | n型 | n型 |
| ドーパント | 窒素 | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | (0.015～0.028)Ω・cm | (0.015～0.028)Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（SI-Face CMP Epi-Ready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） | |
| FWHM | a <30 arcsec b/c/d <50 arcsec | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2d≤50cm-2 | |
| TTV | <10μm | <10μm |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <の45μm | <の45μm |
| 表面の向き | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 32.50mm±2.00mm | 32.50mm±2.00mm |
| 二次平面方向 | SI-FACE：90°CW。オリエンテーションからフラット±5° - | |
| Cフェイス：90°CCW。オリエンテーションからフラット±5° - | ||
| 二次平面長 | 18.00±2.00mm | 18.00±2.00mm |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ10mm、単一長さ2mm （CD） |
| 高強度の光によるヘックスプレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプの領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ1 xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.7 4H SIC、高純度セミ挿入（HPSI）、4インチウェーハ仕様
4H SIC、Vドープ半挿入、4インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B生産グレードC/D研究グレードDダミーグレード4H SIC基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (100±0.5)mm | (100±0.5)mm |
| 厚さ | （350±25）μm（500±25）μm | |
| キャリアの種類 | 半絶縁 | 半絶縁 |
| ドーパント | Vドープ | Vドープ |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（SI-Face CMP Epi-Ready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） | |
| FWHM | a <30 arcsec b/c/d <50 arcsec | |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2d≤50cm-2 | |
| TTV | <10μm | <10μm |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <の45μm | <の45μm |
| 表面の向き | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | なし | なし |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 32.50mm±2.00mm | 32.50mm±2.00mm |
| 二次平面方向 | SI-FACE：90°CW。オリエンテーションからフラット±5° - | |
| Cフェイス：90°CCW。オリエンテーションからフラット±5° - | ||
| 二次平面長 | 18.00±2.00mm | 18.00±2.00mm |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ10mm、単一長さ2mm （CD） |
| 高強度の光によるヘックスプレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプの領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ1 xウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.8 4H NタイプSIC、3インチ（76.2mm）ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B生産グレードC/D研究グレードDダミーグレード4H SIC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (76.2±0.38)mm |
| 厚さ | （350±25）μm（430±25）μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.015～0.028Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（SI-Face CMP Epi-Ready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） |
| FWHM | a <30 arcsec b/c/d <50 arcsec |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2d≤50cm-2 |
| TTV/ボウ/ワープ | <25μmで |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 22.22mm±3.17mm |
| 0.875インチ±0.125インチ | |
| 二次平面方向 | SI-FACE：90°CW。オリエンテーションからフラット±5° |
| Cフェイス：90°CCW。オリエンテーションからフラット±5° | |
| 二次平面長 | 11.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光によるクラック | エンジニアチームに相談してください |
| 視覚炭素包含累積領域 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度の光による傷 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光による汚染 | エンジニアチームに相談してください |
1.9 4H半挿入SIC、3インチ（76.2mm）ウェーハ仕様
（高純度半挿入（HPSI）SIC基板が利用可能）
| 基板の特性 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B生産グレードC/D研究グレードDダミーグレード4H SIC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (76.2±0.38)mm |
| 厚さ | （350±25）μm（430±25）μm |
| キャリアの種類 | 半絶縁 |
| ドーパント | Vドープ |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（SI-Face CMP Epi-Ready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） |
| FWHM | a <30 arcsec b/c/d <50 arcsec |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2d≤50cm-2 |
| TTV/ボウ/ワープ | <25μmで |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 22.22mm±3.17mm |
| 0.875インチ±0.125インチ | |
| 二次平面方向 | SI-FACE：90°CW。オリエンテーションからフラット±5° |
| Cフェイス：90°CCW。オリエンテーションからフラット±5° | |
| 二次平面長 | 11.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光によるクラック | エンジニアチームに相談してください |
| 視覚炭素包含累積領域 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度の光による傷 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光による汚染 | エンジニアチームに相談してください |
1.10 4H NタイプSIC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B生産グレードC/D研究グレードDダミーグレード4H SIC基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.012～0.0028Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（SI-Face CMP Epi-Ready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） |
| FWHM | a <30 arcsec b/c/d <50 arcsec |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2d≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70)mm |
| 二次平面方向 | SI-FACE：90°CW。オリエンテーションからフラット±5° |
| Cフェイス：90°CCW。オリエンテーションからフラット±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光によるクラック | エンジニアチームに相談してください |
| 視覚炭素包含累積領域 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度の光による傷 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光による汚染 | エンジニアチームに相談してください |
1.11 4H半挿入SIC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
（高精度の半断熱（HPSI）SIC基板が利用可能）
| 基板の特性 | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| 説明 | A/B生産グレードC/D研究グレードDダミーグレード4H半基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（SI-Face CMP Epi-Ready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） |
| FWHM | a <30 arcsec b/c/d <50 arcsec |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2B≤5cm-2C≤30cm-2d≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸<0001>±0.5° | |
| 軸3.5°<11-20>±0.5°に向かって | |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70mm |
| セカンダリフラットオリエンテーションSI-FACE：90°CW。オリエンテーションからフラット±5° | |
| Cフェイス：90°CCW。オリエンテーションからフラット±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光によるクラック | エンジニアチームに相談してください |
| 視覚炭素包含累積領域 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度の光による傷 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光による汚染 | エンジニアチームに相談してください |
1.12 6H NタイプSIC、2インチ（50.8mm）ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B生産グレードC/D研究グレードDダミーグレード6H SIC基板 |
| ポリタイプ | 6H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | （250±25）μm（330±25）μm（430±25）μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.02～0.1Ω・cm |
| 表面粗さ | <0.5 nm（SI-Face CMP Epi-Ready）; <1 nm（C-顔の光学ポリッシュ） |
| FWHM | a <30 arcsec b/c/d <50 arcsec |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2B≤2cm-2C≤15cm-2d≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に3.5°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70mm |
| 二次平面方向 | SI-FACE：90°CW。オリエンテーションからフラット±5° |
| Cフェイス：90°CCW。オリエンテーションからフラット±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ（最大） | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光によるクラック | エンジニアチームに相談してください |
| 視覚炭素包含累積領域 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度の光による傷 | エンジニアチームに相談してください |
| 高強度光による汚染 | エンジニアチームに相談してください |
1.13 12 インチ SiC 基板ウェハ
|
12 インチ (300mm) 4H-SiC 基板仕様(PAM07282026) |
|
| パラメーター | 値 |
| 直径 | 300.0±0.5mm |
| 厚さ | 700±50μm |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | n型窒素 |
| 面方位 | NA |
| ノッチオリエンテーション | <1-100>±5° |
| ノッチ深さ | 1～1.25mm |
| 抵抗率 | NA |
| TTV | NA |
| 弓 | NA |
| ワープ | NA |
| マイクロパイプ密度 | NA |
| 目に見える炭素含有物 | NA |
| 金属不純物 | NA |
| TSD | NA |
| BPD | NA |
| テッド | NA |
| SF(2mm*2mm) | NA |
| 総使用可能エリア(2mm*2mm) | NA |
| 前面品質 | |
| フロント | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | NA |
| 傷 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/亀裂/汚染/ピンホール | NA |
| エッジの欠け/凹み | NA |
| ポリタイプ領域 | NA |
| 正面粗さ | NA |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| 裏面の品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | NA |
| エッジの欠け/凹み | NA |
| 裏面粗さ | NA |
| 背面のレーザーマーキング | ノッチの真上 |
| エッジ | 面取り |
| パッケージング | 窒素充填または真空、エピ対応のマルチ/枚葉カセット |
注: 「NA」は要件がないことを意味します。
1.14 SiC 種結晶ウェハ:
| アイテム | サイズ | タイプ | オリエンテーション | 厚さ | MPD | 研磨条件 |
| 1号 | 105ミリメートル | 4H、Nタイプ | C(0001)4度オフ | 500 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
| 2位 | 153mm | 4H、Nタイプ | C(0001)4度オフ | 350 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
4H Nタイプまたは半挿入SIC、5mm*5mm、10mm*10mmウェーハ仕様：厚さ：330μm/430μm
4H Nタイプまたは半挿入SIC、15mm*15mm、20mm*20mmウェーハ仕様：厚さ：330μm/430μm
AプレーンSICウェーハ、サイズ：40mm*10mm、30mm*10mm、20mm*10mm、10mm*10mm、以下の仕様：
6H/4H Nタイプの厚さ：330μm/430μmまたはカスタム
6H/4H半挿入厚さ：330μm/430μmまたはカスタム
1.15 炭化ケイ素の材料特性
| 炭化シリコン材料特性 | ||
| ポリタイプ | 単結晶 4H | 単結晶 6H |
| 格子パラメータ | = 3.076Å | = 3.073Å |
| C = 10.053Å | C = 15.117Å | |
| スタッキングシーケンス | ABCB | ABCACB |
| バンドギャップ | 3.26 eVの | 3.03 eVの |
| 密度 | 3.21・103kg/m3 | 3.21・103kg/m3 |
| サーム。 膨張係数 | 4~5×10 -6 / K | 4~5×10 -6 / K |
| 屈折率 | なし= 2.719 | なし= 2.707 |
| NE = 2.777 | NE = 2.755 | |
| 誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導率 | 490 W / mKで | 490 W / mKで |
| 破壊電界 | 2-4・108V/m | 2-4・108V/m |
| 飽和ドリフト速度 | 2.0・105m/秒 | 2.0・105m/秒 |
| 電子移動度 | 800cm2/V・S | 400cm2/V・S |
| ホールモビリティ | 115cm2/V・S | 90cm2 / V・S |
| モース硬度 | 〜9 | 〜9 |
2. SiCウェハについて
炭化シリコンウェーハは、優れた熱力学的および電気化学的特性を持っています。
熱力学の観点から、炭化シリコンの硬度は、20°CでMOHSで9.2〜9.3程度です。これは最も難しい素材の1つであり、ルビーを切断するために使用できます。 SICウェーハの熱伝導率は銅の熱伝導率を超えており、Siの3倍、GAAの8〜10倍です。また、SICウェーハの熱安定性は高く、通常の圧力の下で溶けることは不可能です。
電気化学の観点から見ると、Bare Silicon Carbide Waferには、広いバンドのギャップと故障抵抗の特徴があります。 SIC基質ウェーハのバンドギャップはSIの3倍であり、分解電界はSIの電界の10倍であり、その腐食抵抗は非常に強いです。
したがって、SICベースのSBDとMOSFETは、高周波、高温、高電圧、高出力、および放射線耐性環境での作業により適しています。同じ電力レベルの条件下では、SICデバイスを使用して、電力密度とコンパクトな設計のニーズを満たし、電気ドライブと電子制御の量を減らすことができます。一方では、炭化シリコン基板ウェーハ製造技術は成熟しており、SICウェーハコストは現在競争力があります。一方、知性と電化の傾向は進化し続けています。従来の車は、SICパワー半導体に大きな需要をもたらしました。したがって、グローバルSICウェーハ市場は急速に成長しています。
3. SiCウェーハのQ&A
3.1 SICウェーハの障壁は、シリコンウェーハと同じ幅広いアプリケーションになりつつありますか？
1. SICの物理的および化学的安定性により、SICの結晶成長は非常に困難であり、SIC半導体デバイスとその電子アプリケーションの開発を深刻に妨げます。
2.異なる積み重ねシーケンス（多型とも呼ばれる）を持つ多くの種類のSIC構造があるため、電子グレードSICクリスタルの成長が妨げられています。 3C SIC、4H SIC、6H SICなどのSICの多型。
3.2どのようなSICウェーハを提供していますか？
必要なものは立方相に属し、立方体（c）、六角形（h）、菱形（r）があります。私たちが持っているのは、4Hや6Hなどの六角形であり、Cは3C炭化シリコンのような立方体です。
