SiC Wafer Substrate
同社は、結晶成長、結晶処理、ウェーハ処理、研磨、洗浄、テストを統合した完全なSiC（炭化ケイ素）ウェーハ基板生産ラインを持っています。現在、当社はオンアクシスまたはオフアクシスで半絶縁性と導電性を備えた市販の4Hおよび6H SiCウェーハを供給しており、利用可能なサイズは5x5mm2、10x10mm2、2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、8インチであり、欠陥抑制、種結晶処理、高速成長などの主要技術を突破し、炭化ケイ素エピタキシー、デバイスなどに関連する基礎研究開発を推進しています。
- Description
説明
PAM-厦門は半導体を提供しますSiCウェハ 基板、6H SiCのと4H SiC（炭化ケイ素）研究者や業界メーカー向けにさまざまな品質グレードを用意しています。私たちが開発したのは、SiC結晶成長 テクノロジーとSiC結晶ウエハ加工技術を活用し、GaNエピタキシーデバイス（AlN/GaN HEMT再成長など）、パワーデバイス、高温デバイス、光電子デバイスに応用されるSiC基板を製造する生産ラインを確立しました。先進的・ハイテク材料研究分野の大手メーカーや国家機関、中国の半導体研究所から投資を受けた炭化ケイ素ウェーハの専門会社として、当社は現在のSiC基板の品質向上と大型基板の開発に継続的に取り組んでいます。
詳細な仕様を次に示します。
1. SiCウェハ仕様
1.1 8インチSiCウェハ仕様
|
8インチN型SiC基板 |
|||
| アイテム | 成績 | Bグレード | Cグレード |
| 直径 | 200±0.2mm | ||
| 厚さ | 500±25μm | ||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 表面の向き | <11-20>に向かって4°±0.5° | ||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| ノッチの向き | [1-100]±5° | ||
| ノッチ深さ | 1~1.5mm | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | 0.01～0.03Ω・cm | NA |
| LTV | ≦5μm(10mm×10mm) | ≤10μm (10mm*10mm) | ≤15μm (10mm*10mm) |
| TTV | ≦10μm | ≤15μm | ≤20μm |
| 弓 | -25μm~25μm | -45μm~45μm | -65μm~65μm |
| ワープ | ≦35μm | ≦50μm | ≦70μm |
| マイクロパイプ密度 | ≤2ea/cm2 | ≤10ea/cm2 | ≤50ea/cm2 |
| 金属含有量 | ≤1E11 原子/cm2 | ≤1E11 原子/cm2 | NA |
| TSD | ≤500ea/cm2 | ≤1000ea/cm2 | NA |
| BPD | ≤2000ea/cm2 | ≤5000ea/cm2 | NA |
| テッド | ≤7000ea/cm2 | ≤10000ea/cm2 | NA |
| 表面粗さ（Si面） | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm |
| 前面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤100(サイズ≥0.3μm) | NA | NA |
| 傷 | ≤5、全長≤直径 | NA | NA |
| エッジの欠け/凹み/ひび割れ/汚れ/ 汚染 |
なし | なし | NA |
| ポリタイプ領域 | なし | ≤20% (累積面積) | ≤30% (累積面積) |
| フロントマーキング | なし | ||
| 裏面仕上げ | C面研磨 | ||
| 傷 | NA | NA | NA |
| 背面欠陥エッジ欠け/凹み | なし | なし | NA |
| 裏粗さ | Ra≤5nm | Ra≤5nm | Ra≤5nm |
| バックマーキング | ノッチ(右側) | ||
| エッジ | 面取り | 面取り | 面取り |
| パッケージング | 真空包装でエピ対応可能。マルチウェーハまたはシングルウェーハのカセットパッケージング | ||
注: 「NA」はリクエストがないことを意味します。記載されていない項目は SEMI-STD を参照している場合があります。
1.2 200mm ウルトラプライム SiC 基板
| アイテム | 200mm N型SiCウェハ、DSP |
| グレード | ウルトラプライムグレード |
| 直径 | 200±0.2mm |
| 厚さ | 350±25um |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | N型窒素 |
| オリエンテーション | <11-20>方向に4°±0.15° |
| ノッチの向き | {1-100}±5° |
| ノッチ深さ | 1~1.5mm |
| 比抵抗 | 0.015～0.025Ω・cm |
| LTV | ≤3μm(10*10mm) |
| TTV | ≤7μm |
| 弓 | -20~20um |
| ワープ | ≤30μm |
| Si面粗さ | Ra≤0.2nm |
| MPD | <0.2ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤1E11 原子/cm2(Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Pb、Na、K、Ti、Ca、V、Mn) |
| TSD | ≤200ea/cm2 |
| BPD | ≤1000ea/cm2 |
| テッド | ≤3000ea/cm2 |
| フロント品質 | |
| 前面 | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | ≤100ea/ウェーハ(サイズ≥0.3um) |
| 傷 | ≤5ea/nm、全長≤直径 |
| エッジ欠け/凹み/亀裂/汚れ/汚れ | なし |
| ポリタイプ領域 | なし |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| バック品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | NA |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし |
| 裏面粗さ | Ra≤5nm |
| 背面のレーザーマーキング | 右にノッチを付ける |
| エッジ | 面取り |
| パッケージ | 真空パッケージングによるエピ対応、マルチウェーハ/シングルウェーハカセット |
1.3 150mm ウルトラプライム SiC 基板
| アイテム | 150mm N タイプ SiC ウェハー、DSP |
| グレード | ウルトラプライムグレード |
| 直径 | 150±0.2mm |
| 厚さ | 350±25um |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | N型窒素 |
| オリエンテーション | <11-20>方向に4°±0.15° |
| プライマリ フラット方向 | {1-100}±5° |
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm |
| セカンダリフラット | なし |
| 比抵抗 | 0.016～0.024Ω・cm |
| LTV | ≤2μm(10*10mm) |
| TTV | ≦5μm |
| 弓 | -15～15μm |
| ワープ | ≤20μm |
| Si面粗さ | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| MPD | <0.15ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10 原子/cm2 |
| BPD | ≤600ea/cm2 |
| TSD | ≤100ea/cm2 |
| フロント品質 | |
| 前面 | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ(サイズ≥0.3um) |
| 傷 | ≤2ea/nm、全長≤1/2*直径 |
| オレンジの皮/穴/ひび割れ/汚染/汚れ/縞模様 | なし |
| エッジの欠け/凹み/割れ | なし |
| ポリタイプ領域 | なし |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| バック品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | ≤5ea/nm、全長≤直径 |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし |
| 裏面粗さ | Ra≤0.2nm(5*5um) |
| 背面のレーザーマーキング | 上端から1mm |
| エッジ | 面取り |
| パッケージ | 真空パッケージングによるエピ対応、マルチウェーハ/シングルウェーハカセット |
1.4 4H SIC、Nタイプ、6インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (150±0.5)mm | (150±0.5)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (500±25)μm | |
| キャリアの種類 | n型 | n型 |
| ドーパント | n型 | n型 |
| 抵抗率 (RT) | (0.015～0.028)Ω・cm | (0.015～0.028)Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) | |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | <15μm | <15μm |
| 弓 | <40μm | <40μm |
| ワープ | <60μm | <60μm |
| 表面の向き | ||
| 軸オフ | <11-20>方向に4°±0.5° | <11-20>方向に4°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 47.50mm±2.00mm | 47.50mm±2.00mm |
| 二次フラット | なし | なし |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ≤20mm、単一の長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≦1 x ウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度の光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 3ミリメートル | 3ミリメートル |
1.5 4H SIC、高純度半絶縁(HPSI)、6インチウェーハ仕様
4H SIC、Vドープ半絶縁、6インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-150-SI-PWAM-500 | ||
| 説明 | A: プロダクショングレード、B: 研究グレード、C: ダミーグレード 4H SiC 基板 | ||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 直径 | 150±0.2 mm | ||
| 厚さ | 500±25μm | ||
| キャリアの種類 | 半絶縁 | ||
| ドーパント | Vドープ | ||
| 表面の向き | |||
| 軸上 | <0001> | ||
| 軸オフ | 0±0.25° | ||
| ノッチオリエンテーション | [1-100]±5.0° | ||
| ノッチ深さ | 1〜1.25mm | ||
| 抵抗率 (RT) | A：≥1e8ohm.cm | B：100％面積> 1e5ohm.cm | C：50％面積> 1e5ohm.cm |
| 表面粗さ | ≤0.2 nm (5*5um、Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) | ||
| FWHM | A：≤45Arcsec | B：≤ARCSEC | C：≤100ARCSEC |
| マイクロパイプ密度 | A：≤1EA/CM2 | B：≤5EA/CM2 | C：≤10EA/CM2 |
| TTV | ≦5μm | ≦10μm | ≤15μm |
| 弓 | -25μm~25μm | -35μm〜35μm | -45μm~45μm |
| ワープ | ≦35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 六角形の空洞 | なし | NA | |
| 炭素包含密度 | ≤1EA/CM2 | NA | |
| 粒子 | ≤60EA/ウェーハ（サイズ以上0.3um） | NA | |
| 傷 | ≤5、総長さ≤diameter | 合計長さ2*直径 | NA |
| 金属不純物 | ≤5E12原子/cm2 | ≤5E12原子/cm2 | NA |
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | ||
1.6 4H SIC、Nタイプ、4インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (100±0.5)mm | (100±0.5)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (500±25)μm | |
| キャリアの種類 | n型 | n型 |
| ドーパント | 窒素 | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | (0.015～0.028)Ω・cm | (0.015～0.028)Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) | |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | <10μm | <10μm |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <の45μm | <の45μm |
| 表面の向き | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 32.50mm±2.00mm | 32.50mm±2.00mm |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5°- | |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5°- | ||
| 二次平面長 | 18.00±2.00mm | 18.00±2.00mm |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ≤10mm、単一の長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≦1 x ウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度の光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.7 4H SIC、高純度半絶縁(HPSI)、4インチウェーハ仕様
4H SIC、V ドープ半絶縁、4 インチウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 | |
| ポリタイプ | 4H | 4H |
| 直径 | (100±0.5)mm | (100±0.5)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (500±25)μm | |
| キャリアの種類 | 半絶縁 | 半絶縁 |
| ドーパント | Vドープ | Vドープ |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) | |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 | |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | <10μm | <10μm |
| 弓 | <25μm | <25μm |
| ワープ | <の45μm | <の45μm |
| 表面の向き | ||
| 軸上 | <0001>±0.5° | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | なし | なし |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 32.50mm±2.00mm | 32.50mm±2.00mm |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5°- | |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5°- | ||
| 二次平面長 | 18.00±2.00mm | 18.00±2.00mm |
| 表面仕上げ | 両面研磨済み | 両面研磨済み |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 高強度による亀裂リスト | なし（AB） | 累積長さ≤10mm、単一の長さ≤2mm（CD） |
| 高輝度光による六角プレート | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤0.1%（CD) |
| 高強度光によるポリタイプ領域 | なし（AB） | 累積面積≤3%（CD) |
| 視覚的なカーボンインクルージョン | 累積面積≤0.05%(AB) | 累積面積≤3%（CD) |
| 高強度の光による傷 | なし（AB） | 累積長さ≦1 x ウェーハ直径（CD） |
| エッジチップ | なし（AB） | 5枚まで可、各1mm以内（CD） |
| 高強度の光による汚染 | なし | - |
| 使用可能エリア | ≥90％ | - |
| エッジの除外 | 2ミリメートル | 2ミリメートル |
1.8 4H N タイプ SIC、3 インチ (76.2mm) ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (76.2±0.38)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (430±25)μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.015～0.028Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV/ボウ/ワープ | <25μmで |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 22.22mm±3.17mm |
| 0.875インチ±0.125インチ | |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5° |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 11.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.9 4H 半絶縁 SIC、3 インチ (76.2mm) ウェーハ仕様
(高純度半絶縁性(HPSI)SiC基板も対応可能です)
| 基板の特性 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (76.2±0.38)mm |
| 厚さ | (350±25)μm (430±25)μm |
| キャリアの種類 | 半絶縁 |
| ドーパント | Vドープ |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV/ボウ/ワープ | <25μmで |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±5.0° |
| 一次平坦長さ | 22.22mm±3.17mm |
| 0.875インチ±0.125インチ | |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5° |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 11.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| スクラッチ | なし |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 2ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.10 4H N タイプ SIC、2 インチ (50.8mm) ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 4H SiC 基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | (250±25)μm (330±25)μm (430±25)μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.012～0.0028Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に4°または8°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70)mm |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5° |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.11 4H 半絶縁 SIC、2 インチ (50.8mm) ウェーハ仕様
(高純度半絶縁性(HPSI)SiC基板も対応可能です)
| 基板の特性 | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| 説明 | A/B プロダクショングレード C/D リサーチグレード D ダミーグレード 4H SEMI 基板 |
| ポリタイプ | 4H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | (250±25)μm (330±25)μm (430±25)μm |
| 抵抗率 (RT) | >1E7Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸上<0001>±0.5° | |
| 軸外 3.5° <11-20> 方向 ± 0.5° | |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70mm |
| 二次平面配向 Si 面:90° CW。オリフラより±5° | |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.12 6H N タイプ SIC、2 インチ (50.8mm) ウェーハ仕様
| 基板の特性 | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| 説明 | A/B 製品グレード C/D 研究グレード D ダミーグレード 6H SiC 基板 |
| ポリタイプ | 6H |
| 直径 | (50.8±0.38)mm |
| 厚さ | (250±25)μm (330±25)μm (430±25)μm |
| キャリアの種類 | n型 |
| ドーパント | 窒素 |
| 抵抗率 (RT) | 0.02～0.1Ω・cm |
| 表面粗さ | < 0.5 nm (Si 面 CMP エピ対応); <1 nm (C 面光学研磨) |
| FWHM | A<30 秒角 B/C/D <50 秒角 |
| マイクロパイプ密度 | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| 表面の向き | |
| 軸上 | <0001>±0.5° |
| 軸オフ | <11-20>方向に3.5°±0.5° |
| プライマリ フラット方向 | 平行{1-100} ±5° |
| 一次平坦長さ | 16.00±1.70mm |
| 二次平面方向 | Si面：90°CW。オリフラより±5° |
| C面：90°反時計回り。オリフラより±5° | |
| 二次平面長 | 8.00±1.70mm |
| 表面仕上げ | 片面または両面研磨 |
| パッケージング | シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
| エッジの除外 | 1ミリメートル |
| 拡散照明によるエッジチップ (最大) | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度光によるクラック | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 視覚的炭素 介在物累積面積 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による傷 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
| 高強度の光による汚染 | 弊社のエンジニアチームにご相談ください |
1.13 12 インチ SiC 基板ウェハ
|
12 インチ (300mm) 4H-SiC 基板仕様(PAM07282026) |
|
| パラメーター | 値 |
| 直径 | 300.0±0.5mm |
| 厚さ | 700±50μm |
| ポリタイプ | 4H |
| ドーパント | n型窒素 |
| 面方位 | NA |
| ノッチオリエンテーション | <1-100>±5° |
| ノッチ深さ | 1～1.25mm |
| 抵抗率 | NA |
| TTV | NA |
| 弓 | NA |
| ワープ | NA |
| マイクロパイプ密度 | NA |
| 目に見える炭素含有物 | NA |
| 金属不純物 | NA |
| TSD | NA |
| BPD | NA |
| テッド | NA |
| SF(2mm*2mm) | NA |
| 総使用可能エリア(2mm*2mm) | NA |
| 前面品質 | |
| フロント | シ |
| 表面仕上げ | Si面CMP |
| 粒子 | NA |
| 傷 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/亀裂/汚染/ピンホール | NA |
| エッジの欠け/凹み | NA |
| ポリタイプ領域 | NA |
| 正面粗さ | NA |
| 前面レーザーマーキング | なし |
| 裏面の品質 | |
| 裏面仕上げ | C面研磨 |
| 傷 | NA |
| エッジの欠け/凹み | NA |
| 裏面粗さ | NA |
| 背面のレーザーマーキング | ノッチの真上 |
| エッジ | 面取り |
| パッケージング | 窒素充填または真空、エピ対応のマルチ/枚葉カセット |
注: 「NA」は要件がないことを意味します。
1.14 SiC 種結晶ウェハ:
| アイテム | サイズ | タイプ | オリエンテーション | 厚さ | MPD | 研磨条件 |
| 1号 | 105ミリメートル | 4H、Nタイプ | C(0001)4度オフ | 500 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
| 2位 | 153mm | 4H、Nタイプ | C(0001)4度オフ | 350 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | – |
4H N タイプまたは半絶縁 SIC、5mm * 5mm、10mm * 10mm ウェーハ仕様: 厚さ: 330μm/430μm
4H N タイプまたは半絶縁 SIC、15mm * 15mm、20mm * 20mm ウェーハ仕様: 厚さ: 330μm/430μm
a面SiCウェーハ、サイズ: 40mm * 10mm、30mm * 10mm、20mm * 10mm、10mm * 10mm、以下の仕様:
6H/4H Nタイプ 厚さ:330μm/430μmまたはカスタム
6H/4H 半絶縁厚さ: 330μm/430μm またはカスタム
1.15 炭化ケイ素の材料特性
| 炭化ケイ素の材料特性 | ||
| ポリタイプ | 単結晶 4H | 単結晶 6H |
| 格子パラメータ | = 3.076Å | = 3.073Å |
| C = 10.053Å | C = 15.117Å | |
| スタッキングシーケンス | ABCB | ABCACB |
| バンドギャップ | 3.26 eVの | 3.03 eVの |
| 密度 | 3.21・103kg/m3 | 3.21・103kg/m3 |
| サーム。 膨張係数 | 4~5×10 -6 / K | 4~5×10 -6 / K |
| 屈折率 | なし= 2.719 | なし= 2.707 |
| NE = 2.777 | NE = 2.755 | |
| 誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導率 | 490 W / mKで | 490 W / mKで |
| 破壊電界 | 2-4・108V/m | 2-4・108V/m |
| 飽和ドリフト速度 | 2.0・105m/秒 | 2.0・105m/秒 |
| 電子移動度 | 800cm2/V・S | 400cm2/V・S |
| ホールモビリティ | 115cm2/V・S | 90cm2 / V・S |
| モース硬度 | 〜9 | 〜9 |
2. SiCウェハについて
炭化ケイ素ウェーハは、優れた熱力学的特性および電気化学的特性を持っています。
In terms of thermodynamics, the hardness of silicon carbide is as high as 9.2-9.3 on the Mohs at 20°C. It is one of the hardest materials and can be used to cut rubies. The SiC wafer thermal conductivity exceeds that of copper, which is 3 times that of Si and 8-10 times that of GaAs. And SiC wafer thermal stability is high, it is impossible to be melted under normal pressure.
In terms of electrochemistry, bare silicon carbide wafer has the characteristics of wide band gap and breakdown resistance. The band gap of SiC substrate wafer is 3 times that of Si, and breakdown electric field is 10 times that of Si, and its corrosion resistance is extremely strong.
Therefore, SiC-based SBDs and MOSFETs are more suitable for working in high-frequency, high-temperature, high-voltage, high-power, and radiation-resistant environments. Under the conditions of the same power level, SiC devices can be used to reduce the volume of electric drives and electronic controls, meeting the needs of higher power density and compact design. On the one hand, silicon carbide substrate wafer fabrication technology is mature, and the SiC wafer cost is competitive currently. On the other hand, the trend of intelligence and electrification continues to evolve. The traditional cars has brought huge demand for SiC power semiconductors. Thus, the global SiC wafer market is growing rapidly.
3. Q&A of SiC Wafer
3.1 What is the barrier of SiC wafer becoming a wide application same as silicon wafer?
1.Due to the physical and chemical stability of SiC, the crystal growth of SiC is extremely difficult, which seriously hinders the development of SiC semiconductor devices and their electronic applications.
2.Since there are many kinds of SiC structures with different stacking sequences (also known as polymorphism) , the growth of electronic grade SiC crystal is hindered. The polymorphs of SiC, such as 3C SiC, 4H SiC and 6h SiC.
3.2 What kind of SiC wafer do you offer?
What you need belongs to cubic phase, there are cubic (c), hexagonal (H) and rhombic (R). what we have are hexagonal, such as 4H and 6h, C is cubic, like 3C silicon carbide.
4. Please see below sub-catalogue:
4H N Type SiC
4H Semi-insulating SiC
SiC Ingots
Lapped Wafers
Polishing Wafer
PAM-XIAMEN Offers High Purity Semi-Insulating SiC substrate
SiC(Silicon Carbide) Boule Crystal
HPSI SiC Wafer for Graphene Growth
Thick Silicon Carbide Substrate
Why do We Need High Purity Semi-insulating SiC Wafer?
Phonon Properties of SiC Wafer
