SiCウェハ

PAM-XIAMEN は SiC ウェーハとエピタキシーを提供します。SiC ウェーハは、優れた性能を備えた第 3 世代のワイドバンドギャップ半導体材料です。広いバンドギャップ、高い熱伝導率、高い絶縁破壊電界、高い固有温度、耐放射線性、優れた化学的安定性、高い電子飽和ドリフト率という利点があります。 また、SiCウェハは航空宇宙、鉄道輸送、太陽光発電、送電、新エネルギー車などの分野での応用が期待されており、パワーエレクトロニクス技術に革命的な変化をもたらすだろう。 Si面またはC面はエピレディグレードのCMPであり、窒素ガスで梱包され、各ウェーハは1つのウェーハコンテナに入れられ、100のクリーンクラスルームの下にあります。
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.