SiC(炭化ケイ素)ブール結晶

SiC(炭化ケイ素)ブール結晶

PAM-厦門SiC(炭化ケイ素)ブールクリスタルを提供しています。サイズは2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、長さは5~10mmまたは10~15mmの2種類があります。 10mm などの固定サイズも可能です。以下の 4 インチサイズと 6 インチサイズの仕様を参照してください。

1. SiCブール結晶の仕様

No.1: 4 インチ SiC ブールクリスタル、量産グレード
ポリタイプ: 生産 - 4H
直径: 生産-100,0 mm +/-0,2 mm
キャリアタイプ: Production-N-type
抵抗率: 製品-0,015~0,028 Ohm-cm
方向: 生産 – 4,0˚±0,5˚
一次平面方向: 製造 {10-10}±5,0˚
一次平坦長さ: 製造 32,5 mm±2,5 mm
二次フラット方位 (5%): Production-Si 面、オリエンテーション フラットから 90° CCW/C 面、オリエンテーション フラットから 90° CCW
二次平坦長さ: 製造 - 18.0 mm±2.0 mm。
高強度光による亀裂: 生成 - 半径方向の深さでそれぞれ ≤1 mm
高強度光による六角プレート: 生産量 <5% (累積面積 <5%)
マイクロパイプ密度: 生産-<5 /сm2
オプション1:厚さ: 10~15mm
オプション2:厚さ: 5~10mm

No.2: 4インチ SiC ブールクリスタル、ダミーグレード
ポリタイプ: ダミー- 4H
直径: -100,0 mm+/-0,2 mm
キャリアタイプ:Nタイプ
抵抗率: -0,015~0,028 Ohm-cm
方向:-4,0°±0,5°
プライマリフラット方向:{10-10}±5,0˚
一次平坦長さ:32,5 mm±2,5 mm
二次平面方位(5%):Si 面オリフラから反時計回り 90 度/C 面オリフラから反時計回り 90 度
二次平坦長さ: -18.0 mm±2.0 mm。
高強度光による亀裂:- 半径方向の深さ 3 mm ≤ 4 mm
高強度光による六角プレート: <10% (累積面積 <10%)
マイクロパイプ密度:<5 0/μm2
オプション1:厚さ: 10~15mm
オプション2:厚さ: 5~10mm

No.3: 6 インチ SiC ブールクリスタル、量産グレード
ポリタイプ: 生産 - 4H
直径: 生産-150,0 mm +/-0,2 mm
キャリアタイプ: Production-N-type
抵抗率: 製品-0,015~0,028 Ohm-cm
方向: 生産 – 4,0˚±0,5˚
一次平面方向: 製造 {10-10}±5,0˚
一次フラット長さ: 製造 47.5 mm±2.5 mm
二次フラット方向: N/A
二次平坦長さ: N/A
高強度光による亀裂: 生成 - 半径方向の深さでそれぞれ ≤1 mm
高強度光による六角プレート: 生産量 <5% (累積面積 <5%)
マイクロパイプ密度: 生産-<5 /сm2
オプション1:厚さ: 10~15mm
オプション2:厚さ: 5~10mm

No.4: 6インチSiCブールクリスタル、ダミーグレード
ポリタイプ: ダミー – 4H
直径: 150,0 mm+/-0,2 mm
キャリアタイプ:Nタイプ
抵抗率: 0,015~0,028 Ohm-cm
方向: 4,0°±0,5°
一次平面方向: {10-10}±5,0˚
一次平坦長さ:47,5 mm±2,5 mm
二次フラット方向: N/A
二次平坦長さ: N/A
高輝度光によるクラック:3mm
半径方向の深さ ≤ 4 mm
高強度光による六角プレート: <10% (累積面積 <10%)
マイクロパイプ密度: -<50 /сm2
オプション1:厚さ: 10~15mm
オプション2:厚さ: 5~10mm

 

SiC(炭化ケイ素)ブール結晶

SiC(炭化ケイ素)ブール結晶

 

 

 

 

 

 

 

 

2.なぜSiCインゴットに高温アニールが必要なのですか?

PVT 昇華によって製造された SiC 結晶には、通常、転位、マイクロチャネル、積層欠陥、複数種類の介在物や介在物などの欠陥があります。 そして、上記の欠陥構造と周囲の正常な格子点との間の歪みなどのこれらの欠陥は、周囲に応力場を発生させます。 SiC 結晶の不均一な成長によっても応力が発生します。 応力が存在すると後工程(丸め加工、平面研削、多芯線切断等)でクラックが発生しやすくなり、SiCウェーハの歩留まりが大幅に低下します。

SiC 結晶の品質を向上させ、構造欠陥や熱応力を軽減するには、SiC 結晶を高温でアニールする必要があります。 この工程は基本的に「加熱→保温→冷却」の3つの工程に分かれており、これを何度も繰り返します。 SiC 結晶の高温耐性により、熱応力を最小限に抑えるために、SiC ウェーハのアニール温度は比較的高く、一般的には約 1800℃です。

詳細については、電子メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

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