シリコンエピウェーハの販売

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PAM XIAMENは、シリコンエピウェーハを提供しています。

 

 

 

6インチエピタキシャルシリコンウェーハ

アイテム 基板 EPI コメント
サイズ タイプ ResΩcm サーフ。 厚いμm タイプ ResΩcm
PAM3053 6″Øx675μm n- Si：P [100] 0.001-0.002 P / EOx 0.016 n- Si：P 0.32-0.46 n / n +

4インチエピタキシャルシリコンウェーハ

アイテム 基板 EPI コメント
サイズ タイプ ResΩcm サーフ。 厚いμm タイプ ResΩcm
PAM3053 4″Øx360μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 20 n- Si：P 360〜440 n / n +
PAM3054 4″Øx400μm p- Si：B [111] 0.01-0.10 P / E 6.5 p- Si：B 3.6±10％ P / P / P +
22±1.5 p- Si：B 300±50
PAM3055 4″Øx525μm p- Si：B [111] 0.01-0.02 P / E 8.1±1 p- Si：B 4.5±10％ P / P / P +
6.85±0.75 p- Si：B 0.75±0.15
PAM3056 4″Øx380μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / EOx 10.5 p- Si：B 570±10％ p / p +
PAM3057 4″Øx440μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / E 20 p- Si：B 0.15±10％ P / P +
PAM3058 4″Øx440μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / E 20 p- Si：B 0.25±10％ P / P +
PAM3059 4″Øx525μm p- Si：B [111] 0.001-0.005 P / E 20 p- Si：B 175±10％ P / P +
PAM3060 4″Øx440μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / E 21 p- Si：B 150±10％ P / P +
PAM3061 4″Øx380μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / EOx 23 p- Si：B 200±10％ P / P +
PAM3062 4″Øx380μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / EOx 23 p- Si：B 80±10％ P / P +
PAM3063 4″Øx440μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / E 32 p- Si：B 600±10％ P / P +
PAM3064 4″Øx440μm p- Si：B [111] 0.01-0.02 P / E 32.5 p- Si：B 100±10％ P / P +
PAM3065 4″Øx380μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / EOx 40 p- Si：B 550±10％ P / P +
PAM3066 4″Øx525μm p- Si：B [111] 0.01-0.02 P / E 14 n- Si：P 2.5±0.3 N / P / P +
10 p- Si：B 15
PAM3067 4″Øx525μm p- Si：B [111] 0.01-0.02 P / E 14 n- Si：P 2.5±10％ n / p / p +
10 p- Si：B 9±10％
PAM3068 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 20 p- Si：B 10±1.5 P / N / N +
10 n- Si：P 5.5±0.7
PAM3069 4″Øx381μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 33 p- Si：B 12±10％ P / N / N +
10 n- Si：P 4±10％
PAM3070 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 33±5 p- Si：B 12±2 P / N / N +
9 n- Si：P 4
PAM3071 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 37 p- Si：B 35±10％ P / N / N +
16.5 n- Si：P 12.5±10％
PAM3072 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 45 p- Si：B 13±10％ P / N / N +
7±1 n- Si：P 12±10％
PAM3073 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 45 p- Si：B 14.5±10％ P / N / N +
7 n- Si：P 12±10％
PAM3074 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.002-0.005 P / E 88 p- Si：B 80.5±10％ P / N / N +
88 n- Si：P 27±10％
PAM3075 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.002-0.005 P / E 105 p- Si：B 0.0035±10％ P / N / N +
26 n- Si：P 5±10％
PAM3076 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 10.15 n- Si：P 3.8±0.5 N / N / N +
6.8±0.8 n- Si：P 0.55±0.15
PAM3077 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.004-0.008 P / EOx 16.5 n- Si：P 35±10％ N / N +
PAM3078 4″Øx508μm n- Si：As [111] 0.002-0.005 P / E 19±1.3 n- Si：P 25±5 N / N / N +
54.5±3.6 n- Si：P 4.4
PAM3079 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / EOx 20 n- Si：P 270±10％ N / N +
PAM3080 4″Øx400μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 20 n- Si：P 0.09±10％ N / N +
PAM3081 4″Øx400μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 20 n- Si：P 90±10％ N / N +
PAM3082 4″Øx400μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 20 n- Si：P 0.07±10％ N / N +
PAM3083 4″Øx400μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 20 n- Si：P 0.13±10％ N / N +
PAM3084 4″Øx400μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 20 n- Si：P 0.15±10％ N / N +
PAM3085 4″Øx400μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 20 n- Si：P 0.19±10％ N / N +
PAM3086 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 20 n- Si：P 65±10％ N / N +
PAM3087 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 20 n- Si：P 7±10％ N / N / N +
10 n- Si：P 2±0.4
PAM3088 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / EOx 21 n- Si：P 150±10％ N / N +
PAM3089 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 22.5 n- Si：P 12±10％ N / N / N +
28.5 n- Si：P 2±10％
PAM3090 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 26 n- Si：P 18±10％ N / N / N +
11 n- Si：P 2±10％
PAM3091 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 27 n- Si：P 220±10％ N / N +
PAM3092 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 27.5 n- Si：P >250 N / N +
PAM3093 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 28 n- Si：P 165±10％ N / N +
PAM3094 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 28 n- Si：P 11±10％ N / N / N +
43689 n- Si：P 43468
PAM3095 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 28 n- Si：P 43688 N / N / N +
43719 n- Si：P 43468
PAM3096 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 30 n- Si：P 11±10％ N / N / N / N +
15 n- Si：P 4±10％
5 n- Si：P 1.5±10％
PAM3097 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 39.5 n- Si：P 29±10％ N / N / N +
12 n- Si：P 4±10％
PAM3098 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.004-0.008 P / EOx 41.5 n- Si：P > 300±10％ N / N +
PAM3099 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.004-0.008 P / EOx 41.5 n- Si：P >200 N / N +
PAM3100 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.004-0.008 P / EOx 43 n- Si：P 600±10％ N / N +
PAM3101 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.004-0.008 P / EOx 43 n- Si：P >200 N / N +
PAM3102 4″Øx380μm n- Si：As [111] 0.004-0.008 P / EOx 43 n- Si：P 340±10％ N / N +
PAM3103 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 50 n- Si：P 36±4 N / N / N +
15 n- Si：P 5.4±0.7
PAM3104 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 75 n- Si：P 66±10％ N / N +
PAM3105 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 78 n- Si：P 25±10％ N / N +
PAM3106 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / EOx 78 n- Si：P 20±10％ N / N +
PAM3107 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 80 n- Si：P 17.5±10％ N / N +
PAM3108 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 80 n- Si：P 60±10％ N / N / N +
10 n- Si：P 2±1
PAM3109 4″Øx525μm n- Si：As [111] 0.0010-0.0035 P / E 80 n- Si：P 70±10％ N / N / N +
10 n- Si：P 2±1
PAM3110 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.008-0.020 P / E 22.5 p- Si：B 15±10％ P / N / N +
15 n- Si：P 6±0.9
PAM3111 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.008-0.020 P / E 38 p- Si：B 55±10％ P / N / N +
18 n- Si：P 10±10％
PAM3112 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 14 n- Si：P 4.25±10％ N / N +
PAM3113 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 15 n- Si：P 90±10％ N / N +
PAM3114 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 18 n- Si：P 0.25±10％ N / N +
PAM3115 4″Øx400μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 20 n- Si：P 75±10％ N / N +
PAM3116 4″Øx400μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 20 n- Si：P 136±10％ N / N +
PAM3117 4″Øx400μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 20 n- Si：P 101±10％ N / N +
PAM3118 4″Øx400μm n- Si：Sb [111] 0.006-0.020 P / E 20 n- Si：P 300±10％ N / N +
PAM3119 4″Øx400μm n- Si：Sb [111] 0.006-0.020 P / E 21 n- Si：P 400±10％ N / N +
PAM3120 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 22.5 n- Si：P 12.5±10％ N / N +
PAM3121 4″Øx400μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 25 n- Si：P 0.08±10％ N / N +
PAM3122 4″Øx400μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 25 n- Si：P 0.04±10％ N / N +
PAM3123 4″Øx360μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 37.5 n- Si：P 270±10％ N / N +
PAM3124 4″Øx400μm n- Si：Sb [111] 0.006-0.020 P / E 37.5 n- Si：P 85±10％ N / N +
PAM3125 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.008-0.020 P / E 58 n- Si：P 60±10％ N / N / N / N +
15 n- Si：P 8±10％
5 n- Si：P 3±10％
PAM3126 4″Øx460μm n- Si：Sb [111] 0.007-0.020 P / E 60 n- Si：P 40.5±4.5 N / N / N +
20 n- Si：P 10±2
PAM3127 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 60 n- Si：P 60±10％ N / N +
PAM3128 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 60 n- Si：P 58.75±10％ N / N +
PAM3129 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 70 n- Si：P 60±10％ N / N +
PAM3130 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 75 n- Si：P 125±10％ N / N +
PAM3131 4″Øx525μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 100 n- Si：P 420±10％ N / N +

3インチエピタキシャルシリコンウェーハ

アイテム 基板 EPI コメント
サイズ タイプ ResΩcm サーフ。 厚いμm タイプ ResΩcm
PAM3132 3″Øx508μm p- Si：B [111] 0.008-0.020 P / E 12.5 p- Si：B 2.35 p+
140±10 n- Si：P 33.6
PAM3133 3″Øx381μm n- Si：As [111-4°] 0.001-0.005 P / E 5.5 n- Si：P 0.31〜0.33 n / n +
PAM3134 3″Øx525μm n- Si：P [111] 0.001-0.005 P / E 4.5 n- Si：P 1.1 – 1.4 n / n +、24枚のウェーハのカセットに密封
PAM3135 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 5.5 n- Si：P 1.06±10％ N / N +
PAM3136 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 11 n- Si：P 17.5±10％ N / N +
PAM3137 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 12 n- Si：P 16±10％ N / N +
PAM3138 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 12 n- Si：P 2.1±10％ N / N +
PAM3139 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 12 n- Si：P 1.7±10％ N / N +
PAM3140 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 12 n- Si：P 1.3±10％ N / N +
PAM3141 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 12 n- Si：P 1.3±10％ N / N +
PAM3142 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 12 n- Si：P 1.8±10％ N / N +
PAM3143 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 13 n- Si：P 1.35±10％ N / N +
PAM3144 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 15.5 n- Si：P 9.5±10％ N / N +
PAM3145 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 15.5 n- Si：P 9.5±10％ N / N +
PAM3146 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 18 n- Si：P 0.05±10％ N / N +
PAM3147 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 22 n- Si：P 4.8±10％ N / N +
PAM3148 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 22 n- Si：P 4±10％ N / N +
PAM3149 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 22 n- Si：P 4±10％ N / N +
PAM3150 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 28 n- Si：P 16.5±10％ N / N +
PAM3151 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 28.5 n- Si：P 4±10％ N / N +
PAM3152 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 28.5 n- Si：P 20±10％ N / N +
PAM3153 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 30 n- Si：P 4.5±10％ N / N +
PAM3154 3″Øx355μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 34 n- Si：P 9.5±10％ N / N +
PAM3155 3″Øx355μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 34 n- Si：P 12±10％ N / N +
PAM3156 3″Øx355μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 34 n- Si：P 11±10％ N / N +
PAM3157 3″Øx355μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 36 n- Si：P 4±10％ N / N +
PAM3158 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 37.5 n- Si：P 0.6±10％ N / N +
PAM3159 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 41 n- Si：P 25±10％ N / N +
PAM3160 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 42 n- Si：P 20.5±10％ N / N +
PAM3161 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 42.5 n- Si：P 17±10％ N / N +
PAM3162 3″Øx355μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 52.5 n- Si：P 12.5±10％ N / N +
PAM3163 3″Øx381μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 56 n- Si：P 12±10％ N / N +
PAM3164 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 70 n- Si：P 73±10％ N / N +
PAM3165 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 72 n- Si：P 12.5±10％ N / N +
PAM3166 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 73 n- Si：P 84±10％ N / N +
PAM3167 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 75 n- Si：P 13±10％ N / N +
PAM3168 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 75 n- Si：P 11±10％ N / N +
PAM3169 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 80 n- Si：P 12±10％ N / N +
PAM3170 3″Øx375μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 85 n- Si：P 22.5±10％ N / N +
PAM3171 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 85 n- Si：P 19.5±10％ N / N +
PAM3172 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 85 n- Si：P 66±10％ N / N +
PAM3173 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 90 n- Si：P 41±10％ N / N / N +
18 n- Si：P 5±10％
PAM3174 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 96 n- Si：P 30±10％ N / N +
PAM3175 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 100 n- Si：P 16±10％ N / N +
PAM3176 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 100 n- Si：P 12±10％ N / N +
PAM3177 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 100 n- Si：P 20±10％ N / N +
PAM3178 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 100 n- Si：P 21±10％ N / N +
PAM3179 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 135 n- Si：P 35±10％ N / N +
PAM3180 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 140 n- Si：P 31±10％ N / N +
PAM3181 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 145 n- Si：P 38±10％ N / N +
PAM3182 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 145 n- Si：P 25±10％ N / N +
PAM3183 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 150 n- Si：P 44±10％ N / N +
PAM3184 3″Øx508μm n- Si：As [111] 0.001-0.005 P / E 158 n- Si：P 67±10％ N / N +
PAM3185 3″Øx381μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 8 n- Si：P 0.63±10％ N / N +
PAM3186 3″Øx381μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 22.5 n- Si：P 0.07±10％ N / N +
PAM3187 3″Øx381μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.020 P / E 30 n- Si：P 6.75±10％ N / N +
PAM3188 3″Øx330μm n- Si：Sb [111] 0.005-0.018 P / E 75 n- Si：P 40±10％ N / N / N +
25 n- Si：P 2.5±10％

100mm P / B（111）400μm.01-0.10 ohm-cm SSP 100mm P / B（100）525μm0.008-0.020 ohm-cm DSP
100±10 N / PHn 40 – 60 ohm-cm n / p +、エピ蒸着後の裏面研磨
利用可能な証明書

6.522±1.5 p- Si：B p- Si：B .6±10％300±50 P / P / P +

76.2mm N / As（111）0.001-0.005 ohm-cm SSP
75 n- Si：P 11±10％N / N +

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com,
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com

アモイパワーウェイアドバンスドマテリアルカンパニー（PAM-XIAMEN）は、1990年に設立された中国の半導体材料のリーディングカンパニーです。PAM-XIAMENは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板と半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMENのテクノロジーにより、半導体ウェーハの高性能化と低コスト化が可能になります。

私たちの目標は、どんなに小さな注文でも、どんなに難しい質問であっても、すべての要件を満たすことです。
弊社の認定製品と満足のいくサービスを通じて、すべての顧客の持続的で収益性の高い成長を維持するため。

2019-02-13

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