シリコン基板のシート抵抗を測定するにはどうすればよいですか？

シート抵抗とは、薄膜の単位面積当たりの抵抗を指し、抵抗率を厚さで割ったものに等しく、Ω/□で測定されます。シート抵抗は、一辺の長さが1mでも1mmでも、どのサイズの正方形でも端から端までの抵抗値は同じになる特性があります。

1. いつシリコンウェーハにシート抵抗を使用するには?

シート抵抗の概念は主に薄膜に対して提案されており、MEMS デバイスの電気設計をより便利にします。正方形の積み木みたいなものです。シート抵抗値がわかれば、ブロックの数 (抵抗の長さを幅で割ったもの) を数えるだけで、合計抵抗を計算するのは簡単です。したがって、ブロックとシート抵抗の導入により、設計担当者と製造担当者の間のコミュニケーションが大幅に容易になります。多結晶シリコンや注入単結晶シリコンの場合、注入深さ（接合深さ）を知る必要がなく、シート抵抗値がわかれば回路設計が容易に完了します。

2。方法Mを確保するシートR抵抗Sのアイコン?

4 プローブ法は、半導体材料の抵抗率とシート抵抗をテストするために一般的に使用される方法です。その基本原理は、サンプル上に 4 つのプローブを配置し、プローブ間の電流と電圧の関係を測定することで、サンプルの抵抗率とシート抵抗のパラメーターを計算できるというものです。四探針法は接触抵抗の影響を排除でき、測定精度が高いため、薄層材料のシート抵抗測定によく使用されます。

図1 四探針法による抵抗率測定

Four probes with a spacing of s; apply appropriate pressure to the probes and place them vertically on the silicon wafer to form an ohmic contact; Apply current I14 between two outer probes (1,4) to form a test circuit; Two intermediate probes (2, 3) are connected to a high impedance precision voltmeter, and the potential difference V23 is measured; The formula for calculating sheet resistance is:

R=（π/In2) * V₂₃/I₁₄

From the formula, the four probe method is independent of the thickness and shape of the thin film, making it convenient for testing and reading. There is no need to measure the film thickness or junction depth thickness to infer the resistivity.

If the resistivity of silicon wafers with a thickness greater than 0.1mm and a diameter of 2 inches or more needs to be measured, the calculation formula is:

ρ=2πs*V₂₃/I₁₄

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