熱酸化またはウェット アンド ドライ熱酸化物 (Sio2) を施したシリコン ウエハー

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熱酸化またはウェット アンド ドライ熱酸化物 (Sio2) を施したシリコン ウエハー

熱酸化または湿式および乾式熱酸化物 (SiO2) を備えたシリコンウェーハは在庫あり、酸化膜 (SiO2) はカスタム可能です

在庫はありますが、以下に限定されません。

ウェーハNo.c ウェーハサイズ 研磨/酸化面 タイプ/方向 ウェーハの厚さ(um) 酸化厚さ 抵抗率(Ω・cm) 数量(個)
PAM-厦門-ウエハース-#O01 1 " SSP、両方酸化 P100 525±10 300nm <0.005 290
PAM-厦門-ウエハース-#O02 2 " SSP、両方酸化 P100 500±20 3um 1-10 24
PAM-アモイ-ウェーハ-#O03 2 " DSP、両方酸化 N100 285±15 1um 1-10 50
PAM-アモイ-ウェーハ-#O04 2 " SSP、両方酸化 P100 430±10 300nm <0.005 5
PAM-厦門-ウエハース-#O05 3 " SSP、両方酸化 100 400±10 2um >10000 20
PAM-アモイ-ウェーハ-#O06 4 " SSP、両方酸化 100 400±10 2um >10000 25
PAM-厦門-ウエハース-#O07 4 " SSP、両方酸化 N111 435-465 2um(1.6um) 0.01-0.015 22
PAM-アモイ-ウェーハ-#O08 4 " SSP、単一酸化 P100 500±10 1um 3-8 21
PAM-厦門-ウエハース-#O09 4 " SSP、両方酸化 P111 525±15 500nm 0.001-0.009 18
パム-アモイ-ウェーハ-#O10 4 " SSP、単一酸化 100 400±10 500nm 3000-5000 23
パム-アモイ-ウェーハ-#O11 4 " DSP、両方酸化 N100 400±10 500nm 1-10 6
パム-アモイ-ウェーハ-#O12 4 " SSP、両方酸化 N100 500um 500nm 5-10 1
パム-アモイ-ウェーハ-#O13 4 " SSP、両方酸化 N100 500um 280nm/320nm 0.01-0.05 20
パム-アモイ-ウェーハ-#O14 4 " SSP、両方酸化 P100 700±10 300～310nm 0.001-0.002 18
パム-厦門-ウエハース-#O15 4 " SSP、両方酸化 P100 700±10 305±5nm乾燥酸素酸化 <0.1 54
パム-アモイ-ウェーハ-#O16 4 " DSP、両方酸化 100 525±10 200nm >10000 19
パム-厦門-ウエハース-#O17 4 " SSP、両方酸化 100 500±25 200nm >10000 3
パム-厦門-ウエハース-#O18 4 " SSP、両方酸化 P100 500±20 150nm <0.0015 3
パム-厦門-ウエハース-#O19 4 " SSP、両方酸化 P111 500um 50～80nm <0.05 2
パム-アモイ-ウェーハ-#O20 2 " DSP、両方酸化 100FZ 500±50 500±50nm 5000-8000 25
パム-アモイ-ウェーハ-#O21 6 " SSP、両方酸化 N100 510±15 200nm >6000 45
パム-厦門-ウエハース-#O22 6 " SSP、両方酸化 P111 645±25 500nm 5-25 16
パム-アモイ-ウェーハ-#O23 6 " DSP、単一酸化 100 650um 500nm >5000 15
パム-アモイ-ウェーハ-#O24 6 " SSP、両方酸化 P100 675±25 500nm 0.5-100 1
パム-厦門-ウエハース-#O25 6 " SSP、両方酸化 100 625±25 2um — 23
パム-アモイ-ウェーハ-#O26 6 " SSP、両方酸化 N100 650±50 2.8um 0.1-100 50
パム-厦門-ウエハース-#O27 12 " DSP、両方酸化 P100 775±25 2um±10% 1-100 25
パム-厦門-ウエハース-#O28 8 " SSP、両方酸化 — — — — 36
パム-厦門-ウエハース-#O29 4 " SSP、両方酸化 P100 500±25 310nm 0.01-0.09 12
PAM-アモイ-ウェーハ-#O30 4 " SSP、両方酸化 P100 515±15 315nm 0.008-0.012 16
パム-アモイ-ウェーハ-#O31 5 " SSP、両方酸化 N100 525±15 300nm以上 <0.005 33
パム-アモイ-ウェーハ-#O32 4 " SSP、単一酸化 P100 525±10 100nm 0.001-0.006 1
パム-厦門-ウエハース-#O33 6 " SSP、両方酸化 P100 675±25 8um±5% 10-20 48
パム-アモイ-ウェーハ-#O34 12 " DSP、両方酸化 — — — — 120
パム-アモイ-ウェーハ-#O35 6 " SSP、両方酸化 — 625±25 2um — 4
パム-アモイ-ウェーハ-#O36 3 " SSP、両方酸化 P100 375±25 280±20nm <0.005 29
パム-厦門-ウエハース-#O37 4 " SSP、両方酸化 100FZ 525±20 1um >100 7
パム-厦門-ウエハース-#O38 4 " SSP、両方酸化 N100 525±25 1um 0.008-0.02 13
パム-厦門-ウエハース-#O39 6 " DSP、両方酸化 P100 450±15 300nm >5000 27
パム-アモイ-ウェーハ-#O40 4 " SSP、両方酸化 N100 500±10 6um 1-10 11
パム-厦門-ウエハース-#O41 8 " SSP、両方酸化 P100 700（>650） 500nm 0.5-100 140
パム-厦門-ウエハース-#O42 8 " SSP、両方酸化 P100 725±25 300nm 1-100 15
パム-厦門-ウエハース-#O43 4 " SSP、両方酸化 N100 525±25 300nmドライ酸素酸化 0.001-0.005 25
パム-アモイ-ウェーハ-#O44 3 " SSP、両方酸化 100FZ 400±10 2um >10000 25
パム-厦門-ウエハース-#O45 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 270～280nm 0.01-0.02 1
パム-厦門-ウエハース-#O46 4 " SSP、両方酸化 P111 510-540 25nm 0.006-0.0075 25
パム-厦門-ウエハース-#O47 8 " SSP、両方酸化 — 700um 200nm～500nm — 390
パム-厦門-ウエハース-#O48 8 " SSP、両方酸化 — — — — 174
パム-厦門-ウエハース-#O49 2 " SSP、両方酸化 N111 400±15 290nm 0.01-0.02 20
パム-アモイ-ウェーハ-#O50 4 " SSP、単一酸化 P100 525±25 300nm 0.01-0.09 3
パム-厦門-ウエハース-#O51 4 " SSP、単一酸化 N100 525±20 305±5nm 0.01-0.02 10
パム-厦門-ウエハース-#O52 3 " SSP、両方酸化 N100 381±20 300nmドライ酸素酸化 <0.005 20
パム-厦門-ウエハース-#O53 4 " SSP、両方酸化 N100 450±25 280±20nm 0.01-0.02 56
パム-厦門-ウエハース-#O54 3 SSP、両方酸化 P100 380±20 90nmプロセス 1-10 18
パム-厦門-ウエハース-#O55 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 280nm >10000 23
パム-厦門-ウエハース-#O56 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 300nmドライ酸素酸化 0.001-0.005 5
パム-厦門-ウエハース-#O57 5 " SSP、両方酸化 N100 525±15 280nm <0.005 30
パム-厦門-ウエハース-#O58 5 " SSP、両方酸化 N100 525±25 280nm 0.001-0.005 25
パム-厦門-ウエハース-#O59 4 " SSP、単一酸化 N100 520±20 280±2nm 0.01-0.02 25
パム-アモイ-ウェーハ-#O60 4 " SSP、単一酸化 N100 450±25 300±5nm乾燥酸素酸化 0.01-0.02 19
パム-アモイ-ウェーハ-#O61 4 " SSP、単一酸化 N100 450±25 300±5nm 0.01-0.02 25
パム-厦門-ウエハース-#O62 4 " SSP、単一酸化 N100 520±20 283～290nm 0.01-0.02 25
パム-アモイ-ウェーハ-#O63 4 " SSP、単一酸化 N100 520±20 300～305nm 0.002-0.004 20
パム-厦門-ウエハース-#O64 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 100nm 1-10 17
パム-アモイ-ウェーハ-#O65 4 " SSP、単一酸化 N100 510±10 500nm 0.01-0.02 6
パム-厦門-ウエハース-#O66 4 " SSP、単一酸化 N100 525±25 100nm 0.002-0.004 4
パム-アモイ-ウェーハ-#O67 4 " DSP、両方酸化 N100 750±20 500nm 2-10 9
パム-厦門-ウエハース-#O68 4 " SSP、単一酸化 P100 500±10 100nm 3-8 19
パム-厦門-ウエハース-#O69 4 " SSP、単一酸化 P100 500±10 500nm 3-8 20
パム-厦門-ウエハース-#O70 2 " SSP、両方酸化 P100 675±20 285nm >10 25
パム-厦門-ウエハース-#O71 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 285nm 0.01-0.02 28
パム-厦門-ウエハース-#O72 8 " SSP、両方酸化 P100 725±25 500nm 0.1-100 68
パム-厦門-ウエハース-#O73 4 " DSP、両方酸化 P100 480±10 300nm 1-10 13
パム-厦門-ウエハース-#O74 5 " SSP、両方酸化 N100 600-650 285nm 0.003-0.005 100
パム-厦門-ウエハース-#O75 5 " SSP、両方酸化 N100 500-550 285nm <0.004 175
パム-厦門-ウエハース-#O76 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 275nm 0.001-0.005 25
パム-厦門-ウエハース-#O77 4 " SSP、両方酸化 P100 485±25 275nm 0.01-0.02 150
パム-厦門-ウエハース-#O78 4 " SSP、両方酸化 N100 525±25 90nmプロセス 0.002-0.004 91
パム-厦門-ウエハース-#O79 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 285nm 0.001-0.005 25
パム-アモイ-ウェーハ-#O80 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 271～282nm 0.01-0.02 50
パム-厦門-ウエハース-#O81 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 275nm 0.001-0.005 200
パム-厦門-ウエハース-#O82 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 273～282nm 0.001-0.005 50
パム-厦門-ウエハース-#O83 5 " SSP、単一酸化 N100 525±25 295～300nm 0.02 16
パム-厦門-ウエハース-#O84 6 " SSP、両方酸化 — 675±25 300nm 1-30 23
パム-厦門-ウエハース-#O85 4 " SSP、両方酸化 N100 475-525 100nm 0.01-0.02 125
パム-厦門-ウエハース-#O86 4 " SSP、両方酸化 N100 450um 280nm 0.02-0.025 100
パム-厦門-ウエハース-#O87 4 " SSP、両方酸化 P100 500±10 280nm <0.0015 75
パム-厦門-ウエハース-#O88 2 " SSP、両方酸化 N100 280±15 280nm <0.05 25
パム-厦門-ウエハース-#O89 2 " SSP、両方酸化 P100 400±15 280nm <0.0015 25
パム-厦門-ウエハース-#O90 3 " SSP、両方酸化 N100 381±20 280nm <0.005 95
パム-厦門-ウエハース-#O91 6 " SSP、両方酸化 P100 675±10 300nm 1-100 47
パム-厦門-ウエハース-#O92 6 " SSP、両方酸化 P100 675±25 300nm 10-20 2
パム-厦門-ウエハース-#O93 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 280nmドライ酸素酸化 0.01-0.02 100
パム-厦門-ウエハース-#O94 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 100nmドライ酸素酸化 0.001-0.002 100
パム-厦門-ウエハース-#O95 4 " SSP、単一酸化 P100 525±25 105nm 0.001-0.005 50
パム-厦門-ウエハース-#O96 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 280nm 0.001-0.005 25
パム-厦門-ウエハース-#O97 2 " SSP、両方酸化 P100 400±15 6um標準 1-5 25
パム-厦門-ウエハース-#O98 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 1um 0.001-0.005 70
パム-厦門-ウエハース-#O99 6 " SSP、両方酸化 P100 675um 200nm 1-50 119
パム-厦門-ウエハース-#O100 6 " SSP、両方酸化 P100 675um 300nm 1-50 75
パム-厦門-ウエハース-#O101 6 " SSP、両方酸化 N100 675±25 300nm 1-100 75
PAM-厦門-ウエハース-#O102 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 25nm 1-10 22
PAM-厦門-ウエハース-#O103 4 " SSP、両方酸化 P100 525±25 25nm 0.001-0.002 16
PAM-厦門-ウエハース-#O104 4 " SSP、単一酸化 P100 500±25 500nm 1-10 3
PAM-厦門-ウエハース-#O105 4 " SSP、両方酸化 N100 450±20 50nm 0.01-0.02 25
PAM-厦門-ウエハース-#O106 4 " SSP、両方酸化 N100 500um 290nm正味酸化物 0.01-0.02 100
PAM-厦門-ウエハース-#O107 4 " SSP、両方酸化 N100 525±20 50nm 0.01-0.02 1

 

 

二酸化物を含むシリコンウェーハには、次の 2 種類があります。 湿式酸化物: 当社の湿式熱酸化プロセスは、乾式熱酸化に期待されるのと同じレベルの品質を維持しながら、より厚い酸化物層を成長させるように設計されています。 ドライ酸化物: 当社の超高純度ドライ酸化プロセスは、より薄い酸化物を必要とするアプリケーションに利用でき、最高品質の膜が確実に得られるように設計されています。 お客様のご要望に合わせたカスタム仕様のご提案もさせていただきます。

熱酸化物はシリコンウェーハにどのように適用されますか?
Regularly there are three detail application:
1/Grown Dry Oxidation – By default dry oxide is grown on just one side of the wafer.
2/Wet Oxidation Grown – Wave guides technology and Silicon on Insulator wafers (SOI) can benefit greatly from our thick Thermal Oxide layers. We provide thermal oxide up to 15um in thickness. Grown on both sides of the wafers by default.
3/Deposited CVD – When you cannot oxidize Silicon, then you can use Chemical Vapor Deposition to deposit the oxide on top of your substrate.
What is Purpose of Growing Thermal Oxide Onto Silicon?
There are below five main purpose: Gate oxide; Masking material during doping; Providing protection for the conductors; Isolate devices from each other; A dielectric for a capacitor

酸化物の成長に影響を与える要因は何ですか?
There are following factors:Using dry oxidation (Oxygen gas) or wet oxidation steam;Pressure;Temperature;Lattice Orientation (oxide grows faster on (111) oriented wafers then (100) oriented silicon wafers;

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PAM-XIAMEN は、テクノロジーとウェーハサポートを提供できます。
for more information, please visit our website:https://www.powerwaywafer.com,
send us email at sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com

2019-11-27

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Silicon Carbide List   4″ 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micropipe Density Surface Usable area 　  N-Type  S4H-100-N-SIC-350-A 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um A  <10/cm2 P/P >90% S4H-100-N-SIC-350-B 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-100-N-SIC-350-D 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um D  <100/cm2 P/P >75% S4H-100-N-SIC-370-L 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-100-N-SIC-440-AC 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 440±25um D * As-cut >75% S4H-100-N-SIC-C0510-AC-D 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-100-N-SIC-C1015-AC-C 4″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C  <50/cm2 As-cut * 3″ 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micropipe Density Surface Usable area 　          N-Type  S4H-76-N-SIC-350-A 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um A  <10/cm2 P/P >90% S4H-76-N-SIC-350-B 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-76-N-SIC-350-D 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 350±25um D  <100/cm2 P/P >75% S4H-76-N-SIC-370-L 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-76-N-SIC-410-AC 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S4H-76-N-SIC-C0510-AC-D 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C1015-AC-D 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C0510-AC-C 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C  <50/cm2 As-cut * S4H-76-N-SIC-C1015-AC-C 3″ 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C  <50/cm2 As-cut * 　 SEMI-INSULATING  S4H-76-SI-SIC-350-A 3″ 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um A  <10/cm2 P/P >90% S4H-76-SI-SIC-350-B 3″ 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um B < 30/cm2 P/P >85% S4H-76-SI-SIC-350-D 3″ 4H-SI 0°/4°±0.5° 350±25um D  <100/cm2 P/P >75% 2″ 4H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micropipe Density Surface Usable area 　 N-Type  S4H-51-N-SIC-330-A 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um A  <10/cm2 C/P >90% S4H-51-N-SIC-330-B 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S4H-51-N-SIC-330-D 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 330±25um D  <100/cm2 C/P >75% S4H-51-N-SIC-370-L 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S4H-51-N-SIC-410-AC 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S4H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D  <100/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C  <50/cm2 As-cut * S4H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2″ 4H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C  <50/cm2 As-cut * 2″ 6H Silicon Carbide Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micropipe Density Surface Usable area 　 N-Type  S6H-51-N-SIC-330-A 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um A  <10/cm2 C/P >90% S6H-51-N-SIC-330-B 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S6H-51-N-SIC-330-D 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 330±25um D  <100/cm2 C/P >75% S6H-51-N-SIC-370-L 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S6H-51-N-SIC-410-AC 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S6H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm D  <100/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 5~10mm C  <50/cm2 As-cut * S6H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2″ 6H-N 0°/4°±0.5° 10~15mm C  <50/cm2 As-cut * 　 SEMI-INSULATING  S6H-51-SI-SIC-330-A 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um A  <10/cm2 C/P >90% S6H-51-SI-SIC-330-B 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um B < 30/cm2 C/P >85% S6H-51-SI-SIC-330-D 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 330±25um D  <100/cm2 C/P >75% S6H-51-SI-SIC-370-L 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 370±25um D * L/L >75% S6H-51-SI-SIC-410-AC 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 410±25um D * As-cut >75% S6H-51-SI-SIC-C0510-AC-D 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 5~10mm D  <100/cm2 As-cut * S6H-51-SI-SIC-C1015-AC-D 2″ 6H-SI 0°/4°±0.5° 10~15mm D  <100/cm2 As-cut * Please see below sub-catalogue: 6H n type SiC 4H N Type SiC 4H Semi-insulating SiC SiC Ingots Lapped Wafers Polishing Wafer As a SiC wafer supplier,we offer Silicon carbide list for your reference, if you need price detail, please contact our sales team. Note: *** As manufacturer, we also accept small quantity for researcher or foundry. ***Delivery time: it depends on stock we have, if we have stock, we can ship to you soon.  

2018-05-23メタ著者
LNOI with Metal Electrode

Lithium Niobate(LNOI) with Metal Electrode There are metal electrode layers (Au, Pt, Al or other metals) between the SiO2 layer and the LN film. An electric field can be applied on the LN film between the metal electrode layer and the top electrode layer. Based on piezoelectric [...]

2018-08-22メタ著者
Ge Wafer Supplier

Ge Wafer Substrate-Germanium No. Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type   Dopant Prime flat EPD Ra (mm) (μm) Ω·cm Orientation /cm2 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.0138-0.02 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP ≥30 N/undoped N/A N/A <5A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 58.4-63.4 N/undoped N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 0.1-1 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500 SSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 1000 DSP >30 N/A (110) N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 2000 SSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 4000 SSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (111)/(110) 50.8 200000 N/A 5-20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 400 SSP <0.4 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)/(111) 50.8 4000±10 DSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 50.8 350 SSP 1-10 P/Ga (110) ≤5000 N/A PAMP20295 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 2-10 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.3-3 N/Sb (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 50.8 500±25 SSP 0.3-3 P/Ga (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (111) 60 1000 As cut >30 N/A (110) <3000 N/A 1-100 Ge (100) 100 N/A SSP <0.019 P/Ga (110) <500 N/A 1-100 Ge (100) 100 1000±25 SSP ≥30 N/undoped N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) off 6°or off 9° 100 500 SSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP 0.01-0.05 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP <0.01 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP <0.01 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP ≥35 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP ≥35 P/Ga N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 500 SSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A <5A 1-100 Ge (100) 100 500 DSP 0.1-0.05 P/Ga N/A N/A <5A 1-100 Ge (100)6°off (111) 100 185±15 DSP 0.01-0.05 N/A (110) ≤5000 <5A 1-100 Ge (100)6°off (110) 100 525±25 SSP 0.01-0.04 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100) 100 1000±15 SSP ≥30 N/A (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 100 750±25 SSP ≥30 N/A (110) ≤5000 N/A 1-100 Ge (100) 100 500±25 SSP 10-30 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <4000 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 N/Sb N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 160 DSP 0.05-0.1 N/Sb N/A <4000 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 190 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <500 N/A 1-100 Ge (100)/(111) 100 190 DSP 0.05-0.1 P/Ga N/A <4000 N/A 1-100 Ge (111) 100 500±25 SSP <0.4 N/Sb N/A N/A N/A 1-100 Ge (100)6°off-cut toward(111)A 100 175±25 SSP 0.003-0.009 P/Ga (0-1-1) (0-11) <100 N/A PAM210802 Ge (100) 100 175 DSP <0.02 P N/A N/A N/A 1-100 Ge (310)±0.1° 100 200±15 DSP >20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Ge (111) 150 600-700 N/A >30 N/A (110) N/A N/A   Germanium wafer list here is for your reference, if you need price detail, please contact our sales team. As a Ge wafer supplier, we also offer bulk Ge wafer with sepecial [...]

2018-05-23メタ著者
Glass Wafer

We are one of the world’s leading glass wafer suppliers, provide thin & ultra-thin glass wafers and substrates which are made of different materials, such as Borofloat, Fused Silica & Quartz, BK7, Soda Lime etc for MEMS, fiber optic AWG, LCD panels and OLED [...]

2018-07-11メタ著者
Wafers and Crystal Substrates

SAPPHIRE WAFERS 2 INCH ALUMINUM NITRIDE ALN TEMPLATE ON SAPPHIRE BARIUM FLUORIDE BAF2 CRYSTAL BATIO3 BTO BARIUM TITANATE CRYSTAL SUBSTRATES BGO BISMUTH GERMANATE BI4GE3O12 SCINTILLATION CRYSTAL CRYSTALS GRAPHENE CVD FILMS AND GRAPHENE OXIDE EU DOPED CALCIUM FLUORIDE EU: CAF2 CRYSTAL NON-LINEAR CRYSTAL CA4YO(BO3)3 YCOB CERIUM FLUORIDE CEF3 CRYSTAL CSI CESIUM IODIDE SCINTILLATION CRYSTAL [...]

2019-03-12メタ著者
シリコンウェーハ

Silicon Wafer Si wafer Substrate -Silicon Quantity Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Nc Mobility EPD PCS (mm) (μm) Ω·cm 　 a/cm3 cm2/Vs /cm2 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b (1-200)E16 N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525 N/A <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 350-500 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si with electrodes (100) 50.8 400 N/A <0.05 N/p 1E14-1E15 N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275±25 SSP 1~10 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 350±15 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 430±15 SSP 5000-8000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 410±15 SSP 1~20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 400-500 SSP >5000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 525±25 SSP 1~50 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 SSP 1~10 N  P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 76.2 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 SSP N/A N/P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 320 SSP >2500ohm·cm P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP 10~30 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 505±25 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 381 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si [...]

2012-03-06メタ著者