12″ Silicon Wafers 300mm TOX ( Si Thermal Oxidation Wafer )
Pam-Xiamenは、300mmの酸化シリコンウェーハと二酸化物ウェーハを提供しています。熱酸化物シリコンウェーハまたは二酸化シリコンウェーハは、乾燥または湿った酸化プロセスによって成長した酸化層を備えたむき出しのシリコンウェーハです。シリコンウェーハの熱酸化物層は通常、水平チューブ炉で成長し、シリコンウェーハ酸化物温度範囲は一般に900〜1200°です。 CVD酸化物層と比較して、シリコンウェーハ酸化物層は、均一性が高く、コンパクトさが高く、誘電体強度が高く、品質が向上しています。
- Description
説明
Pam-Xiamenは、300mmの酸化シリコンウェーハと二酸化物ウェーハを提供しています。熱酸化物シリコンウェーハまたは二酸化シリコンウェーハは、乾燥または湿った酸化プロセスによって成長した酸化層を備えたむき出しのシリコンウェーハです。シリコンウェーハの熱酸化物層は通常、水平チューブ炉で成長し、シリコンウェーハ酸化物温度範囲は一般に900〜1200°です。 CVD酸化物層と比較して、シリコンウェーハ酸化物層は、均一性が高く、コンパクトさが高く、誘電体強度が高く、品質が向上しています。
1。酸化シリコンウェーハのパラメーター
| パラメータ | 値 |
| インゴットの種類 | Czochralskiメソッドに従って成長しました |
| 直径、mm | 300±0,2 |
| ウェーハの寿命、月 | 12 |
| 導電性の種類 | P |
| ドーパント | B（ボロン） |
| オキシジェンマックス、OLD-PPMA | 40 |
| カーボン、PPMA | 1 |
| エッジゾーンの除外、mm | 3 |
| 結晶配向 | <100> |
| 特定の結晶面からの表面配向の偏差、程度 | 0,5 |
| 体積抵抗率、オーム・cm | 10-40 |
| 転位の数、CM-2 | 0 |
| ポイントエッチング欠陥の数、CM-2 | 0 |
| 点酸化欠陥の数、CM -2 | 500 |
| ボリュームの最大鉄含有量、E10AT/CC | 10 |
| 一次ノッチ | はい |
| ノッチの位置 | 110 |
| ノッチサイズ、mm | 2,3 |
| ノッチフォーム | V |
| ウェーハの厚さ、ミクロン | 775±25 |
| マーキングの種類 | レーザ |
| マーキング位置 | 裏側 |
| エッジプロファイル | SEMI T/4 より |
| 前面の傷 | ありません |
| 総ウェーハの厚さ変化（TTV）、ミクロン | 5 |
| たわみ、ミクロン | 60 |
| ウェーハは、厚さ、ミクロンに酸化されます | 0,1-1 |
| 0.09ミクロンを超える表面上の粒子の数 | 50 |
| 裏面の汚れ | ありません |
| アルミニウムの表面含有量、E10AT/CM2 | 1 |
| カルシウムの表面含有量、E10AT/CM2 | 1 |
| クロム、E10AT/CM2の表面含有量 | 1 |
| 銅の表面含有量、E10AT/CM2 | 1 |
| 鉄の表面含有量、E10AT/CM2 | 1 |
| カリウムの表面含有量、E10AT/CM2 | 1 |
| Natriumの表面含有量、E10AT/CM2 | 1 |
| ニッケルの表面含有量、E10AT/CM2 | 1 |
| 亜鉛の表面含有量、E10AT/CM2 | 1 |
| 平坦性の精度の要件、ミクロン | 0,3 |
| 平坦性を測定するときのエッジゾーンの除外、mm | 3 |
梱包要件:
| パラメーター | |
| 梱包の種類 | MW300GT-A |
| 内容器材質 | ポリエチレン |
| 外装梱包材 | アルミニウム |
| 1つのパッケージのピースの数 | 25 |
| 再利用性 | はい |
2. 酸化方法
乾燥酸化と湿潤酸化は、酸化物ウェーハでシリコンを栽培するための最も重要な方法です。
2.1乾燥酸化シリコンウェーハ
乾燥酸素酸化シリコンは、850-1200の温度で酸素と反応します。酸化熱成長の速度は低くなりますが、品質は良好なので、MOS絶縁ゲートの成長に使用できます。シリコンウェーハ酸化物の厚さは10nm〜300nmです。
2.2濡れた酸素酸化ウェーハ
高温では、水蒸気を使用して炉管に入り、シリコンウェーハの表面に酸化物層を形成します。湿潤酸素酸化の密度は、乾燥酸素酸化の密度よりもわずかに悪化していますが、湿潤酸素酸化の利点は、500 nmを超えるフィルムの成長に適した成長率が高いことです。湿潤酸化能力：100nm〜6um。
シリコンウェーハ酸化プロセス中、熱酸化物シリコンウェーハは絶縁体として優れた誘電体層です。多くのシリコンベースのデバイスでは、熱酸化物層がドーピング予防層と表面誘電体として重要な役割を果たします。
3. よくある質問:
添付の写真としてパッケージMW300GT-Aを受け入れるかどうかを確認してください。
— はい、どうぞ。
Pam-Xiamenは、テクノロジーとウェーハサポートを提供できます。
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,
にメールを送ってください[email protected]と[email protected]
2インチの単結晶シリコンウェーハは、絶縁酸化物を備えています
4インチの単結晶シリコンウェーハは、絶縁酸化物を備えています
