12 "のシリコンウェーハ300ミリメートルTOX(Siの熱酸化ウエハ)

12インチシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)

PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • 説明

製品の説明

PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

 

1. Parameters of Silicon Oxide Wafer

パラメータ
インゴットの種類 チョクラルスキー法に従って成長
直径、mm 300±0,2
ウェーハライフタイム、月 12
導電型 P
ドーパント B(ボロン)
Oxigen max、OLD-PPMA 40
カーボン、PPMA 1
エッジゾーンの除外、mm 3
結晶方位 <100>
与えられた結晶面、度からの面方位の偏差 0,5
体積抵抗率、オーム・cm 10-40
転位の数、cm-2 0
ポイントエッチング欠陥の数、cm-2 0
ポイント酸化欠陥の数、cm -2 500
ボリュームの最大鉄含有量、E10AT / CC 10
一次ノッチ はい
ノッチ位置 110
ノッチサイズ、mm 2,3
ノッチフォーム V
ウェーハ厚、ミクロン 775±25
マーキングの種類 レーザ
マーキング場所 裏側
エッジプロファイル SEMI T / 4による
フロントキズ ありません
総ウェーハ厚変化(TTV)、ミクロン 5
たわみ、ミクロン 60
ウェーハは厚さ、ミクロンに酸化されます 0,1-1
0.09ミクロンより大きい表面上の粒子の数 50
裏側の汚れ ありません
アルミニウムの表面含有量、E10AT / CM2 1
カルシウムの表面含有量、E10AT / CM2 1
クロムの表面含有量、E10AT / CM2 1
銅の表面含有量、E10AT / CM2 1
鉄の表面含有量、E10AT / CM2 1
カリウムの表面含有量、E10AT / CM2 1
ナトリウムの表面含有量、E10AT / CM2 1
ニッケルの表面含有量、E10AT / CM2 1
亜鉛の表面含有量、E10AT / CM2 1
平面度、ミクロンの精度の要件 0,3
平面度、mmを測定する際のエッジゾーンの除外 3

 

梱包要件:

パラメーター  
包装の種類 MW300GT-A
内容器素材 ポリエチレン
外装材 アルミニウム
1パッケージの個数 25
再利用性 はい

 

2. 酸化方法

ドライ酸化とウェット酸化は、酸化物ウェーハ上にシリコンを成長させるための最も重要な方法です。

2.1 ドライ酸化シリコンウェーハ

ドライ酸素酸化シリコンは850~1200℃の温度で酸素と反応し、熱酸化膜成長シリコンウェーハの速度は遅いですが品質が良いため、MOS絶縁ゲート成長に使用できます。 シリコンウェーハの酸化膜厚は10nm~300nmです。

2.2 湿式酸素酸化ウェーハ

高温では、水蒸気が炉管に入り、シリコンウェーハの表面に酸化物層を形成するために使用されます。 ウェット酸素酸化の密度はドライ酸素酸化よりもわずかに劣りますが、ウェット酸素酸化の利点は成長速度が高いことであり、500 nm を超える膜の成長に適しています。 ウェット酸化能力: 100nm~6um。

シリコンウェーハの酸化プロセス中、熱酸化シリコンウェーハは絶縁体として優れた誘電体層となります。 多くのシリコンベースのデバイスでは、熱酸化層はドーピング防止層および表面誘電体として重要な役割を果たします。

 

3. よくある質問:

MW300GT-Aのパッケージを添付の画像として受け入れるかどうか確認していただけますか?

— はい、どうぞ。

300 mmシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)用のMW300GT-Aのパッケージング

300 mmシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)用のMW300GT-Aのパッケージング

 

 

 

 

 

 

 

 

300 mmシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)用のMW300GT-Aのパッケージング

300 mmシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)用のMW300GT-Aのパッケージング

 

 

 

 

 

 

 

 

PAM-XIAMENは、テクノロジーとウェーハサポートを提供します。

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,

で、私達に電子メールを送りますsales@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

 

絶縁酸化物を含む2インチ単結晶シリコンウェーハ

熱酸化膜20nmを備えた2インチ単結晶シリコンウェーハ

絶縁酸化物を備えた4インチ単結晶シリコンウェーハ

熱酸化物 20nm の 4 インチ単結晶シリコン ウェーハ

絶縁酸化物を含む6インチ単結晶シリコンウェーハ

熱酸化物 20nm を備えた 6 インチ単結晶シリコンウェーハ

2インチ酸化シリコンウェーハ

3インチ酸化シリコンウェーハ

4インチ酸化シリコンウェーハ