12 "のシリコンウェーハ300ミリメートルTOX(Siの熱酸化ウエハ)

12インチシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)

PAM-XIAMENは、300mmの酸化ケイ素ウェーハと二酸化ケイ素ウェーハを提供しています。 熱酸化シリコンウェーハまたは二酸化シリコンウェーハは、乾式または湿式酸化プロセスによって成長した酸化物層を備えた裸のシリコンウェーハです。 シリコンウェーハの熱酸化物層は通常、水平管状炉で成長し、シリコンウェーハ酸化物の温度範囲は一般に900℃〜1200℃です。 CVD酸化物層と比較して、シリコンウェーハ酸化物層は、より高い均一性、より優れたコンパクト性、より高い絶縁耐力およびより優れた品質を有する。

  • 説明

製品の説明

PAM-XIAMENは、300mmの酸化ケイ素ウェーハと二酸化ケイ素ウェーハを提供しています。 熱酸化シリコンウェーハまたは二酸化シリコンウェーハは、乾式または湿式酸化プロセスによって成長した酸化物層を備えた裸のシリコンウェーハです。 シリコンウェーハの熱酸化物層は通常、水平管状炉で成長し、シリコンウェーハ酸化物の温度範囲は一般に900℃〜1200℃です。 CVD酸化物層と比較して、シリコンウェーハ酸化物層は、より高い均一性、より優れたコンパクト性、より高い絶縁耐力およびより優れた品質を有する。

 

1. Parameters of Silicon Oxide Wafer

パラメータ
インゴットの種類 チョクラルスキー法に従って成長
直径、mm 300±0,2
ウェーハライフタイム、月 12
導電型 P
ドーパント B(ボロン)
Oxigen max、OLD-PPMA 40
カーボン、PPMA 1
エッジゾーンの除外、mm 3
結晶方位 <100>
与えられた結晶面、度からの面方位の偏差 0,5
体積抵抗率、オーム・cm 10-40
転位の数、cm-2 0
ポイントエッチング欠陥の数、cm-2 0
ポイント酸化欠陥の数、cm -2 500
ボリュームの最大鉄含有量、E10AT / CC 10
一次ノッチ はい
ノッチ位置 110
ノッチサイズ、mm 2,3
ノッチフォーム V
ウェーハ厚、ミクロン 775±25
マーキングの種類 レーザ
マーキング場所 裏側
エッジプロファイル SEMI T / 4による
フロントキズ ありません
総ウェーハ厚変化(TTV)、ミクロン 5
たわみ、ミクロン 60
ウェーハは厚さ、ミクロンに酸化されます 0,1-1
0.09ミクロンより大きい表面上の粒子の数 50
裏側の汚れ ありません
アルミニウムの表面含有量、E10AT / CM2 1
カルシウムの表面含有量、E10AT / CM2 1
クロムの表面含有量、E10AT / CM2 1
銅の表面含有量、E10AT / CM2 1
鉄の表面含有量、E10AT / CM2 1
カリウムの表面含有量、E10AT / CM2 1
ナトリウムの表面含有量、E10AT / CM2 1
ニッケルの表面含有量、E10AT / CM2 1
亜鉛の表面含有量、E10AT / CM2 1
平面度、ミクロンの精度の要件 0,3
平面度、mmを測定する際のエッジゾーンの除外 3

 

梱包要件:

パラメーター  
包装の種類 MW300GT-A
内容器素材 ポリエチレン
外装材 アルミニウム
1パッケージの個数 25
再利用性 はい

 

2. Oxidation Methods

Dry oxidation and wet oxidation are the most important methods for growing silicon on oxide wafer.

2.1 Dry oxidation silicon wafer

Dry oxygen oxidation silicon reacts with oxygen at the temperature of 850-1200 ℃, the rate of thermal oxide growth silicon wafers is low but the quality is good, so it can be used for MOS insulated gate growth. Silicon wafer oxide thickness is 10nm~300nm.

2.2 Wet oxygen oxidation wafer 

At high temperature, water vapor is used to enter the furnace tube and form oxide layer on the surface of silicon wafer. The density of wet oxygen oxidation is slightly worse than that of dry oxygen oxidation, but the advantage of wet oxygen oxidation is that it has a higher growth rate, which is suitable for the film growth above 500 nm. Wet oxidation capacity: 100nm~6um.

During the silicon wafer oxidation process, the thermal silicon oxide wafer is an excellent dielectric layer as an insulator. In many silicon-based devices, the thermal oxide layer plays an important role as a doping prevention layer and a surface dielectric.

 

3. FAQ: 

MW300GT-Aのパッケージを添付の画像として受け入れるかどうか確認していただけますか?

— Yes, please go ahead.

300 mmシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)用のMW300GT-Aのパッケージング

300 mmシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)用のMW300GT-Aのパッケージング

 

 

 

 

 

 

 

 

300 mmシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)用のMW300GT-Aのパッケージング

300 mmシリコンウェーハ300mm TOX(Si熱酸化ウェーハ)用のMW300GT-Aのパッケージング

 

 

 

 

 

 

 

 

PAM-XIAMENは、テクノロジーとウェーハサポートを提供します。

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,

で、私達に電子メールを送ります[email protected][email protected]

 

絶縁酸化物を含む2インチ単結晶シリコンウェーハ

2″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm

絶縁酸化物を備えた4インチ単結晶シリコンウェーハ

4″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal oxide 20nm

絶縁酸化物を含む6インチ単結晶シリコンウェーハ

6″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm

2インチ酸化シリコンウェーハ

3インチ酸化シリコンウェーハ

4インチ酸化シリコンウェーハ