エピタキシャルシリコンウェーハ

エピタキシャルシリコンウェーハ

シリコンエピタキシャルウェーハ(エピウェーハ)は、単結晶シリコンウェーハ上に堆積されたエピタキシャルシリコン単結晶の層です(注:高度にドープされた単結晶シリコンウェーハの上に多結晶シリコン層の層を成長させることができますが、バルクSi基板と最上部のエピタキシャルシリコン層の間にバッファ層(酸化物やポリSiなど)が必要です。薄膜トランジスタにも使用できます。

  • 説明

製品の説明

エピタキシャルシリコンウェーハ

シリコンエピタキシャルウェハ(エピウエハ)is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystalシリコンウエハ(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

The methods for preparing epitaxial silicon wafers include vapor phase epitaxy, liquid phase epitaxy, molecular beam epitaxy and so on. Among them, chemical vapor deposition (CVD)-based vapor phase epitaxy is the main silicon epitaxial growth process. Commonly used sources are SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 and SiH4.

In order to meet the needs of various semiconductor devices, various silicon epitaxial technologies have been generated for epitaxial silicon wafer production. In addition to the silicon epitaxial growth in low temperature epitaxy and reduced pressure epitaxy, there is also selective epitaxy that deposits a silicon epitaxial layer on a specific part of the silicon wafer.

基板の結晶構造を継続しながら、それが正確なドーピング濃度に、堆積されるエピタキシャル層をドープすることができます。

エピ層の抵抗:150オームcmへ<1オームセンチアップ

エピ層の厚さ:<1 umの150までのUM

構造:N / N +、N- / N / N +、N / P / N +、N / N + / P-、N / P / P +、P / P +、P- / P / P +。

ウエハアプリケーション:デジタル、リニア、パワー、MOS、BiCMOSのデバイス。

一目で私たちの利点

1.Advanced epitaxial growth equipment, test equipment and epitaxial silicon technology.

低欠陥密度と良好な表面粗さを持つ最高品質2.Offer。

当社の顧客のための研究チームのサポートと技術サポートを3.Strong

 

6」(150ミリメートル)ウェーハ仕様:

アイテム   仕様
基板 サブスペック号  
インゴット成長方法 CZ
導電型 N
ドーパント として
方向付け (100)が0.5°、±します
抵抗率 ≤0.005Ohm.cm
RRG ≤15%
[大井]コンテンツ 8〜18 PPMA
直径 150±0.2ミリメートル
プライマリフラット長 55〜60ミリメートル
プライマリフラット場所 {110}±1°
第二にフラット長 セミ
第二にフラット場所 セミ
厚さ 625±15ええと
特性の裏側:  
1、BSD /ポリ-Si(A) 1.BSD
2、SIO2 2.LTO:500 A±5000
3、エッジ除外 3.EE:?0.6ミリメートル
レーザーマーキング 無し
前面 鏡面研磨
エピ 構造 N / N +
ドーパント フォス
厚さ 3±0.2μmの
Thk.Uniformity ≤5%
測定位置 エッジから中心(1点)10ミリメートル(90度@ 4つのPTS)
計算 【のTmax-Tminを〕÷〔のTmax + Tminの] X 100%
抵抗率 2.5±0.2 Ohm.cm
Res.Uniformity ≤5%
測定位置 エッジから中心(1点)10ミリメートル(90度@ 4つのPTS)
計算 [さRmax-Rminの]÷[さRmax + Rminの] X 100%
スタック欠陥密度 ≤2(EA / cm 2)を
ヘイズ 無し
無し
クレーター、オレンジピール、 無し
エッジクラウン ≤1/ 3エピ厚さ
スリップ(ミリメートル) 全長≤1Dia
異物 無し
裏面の汚染 無し
合計点欠陥(粒子) [email protected]

シリコンエピウエハ販売-1

シリコンエピウエハ販売-2

6 "シリコンウェーハEPI

4 "シリコンウェーハEPI-1

4 "シリコンウエハEPI-2

4 "シリコンウェーハEPI-3

4「シリコンEPIウエハー4

4「シリコンEPIウェハ-5

4″ Silicon EPI Wafer-6

3「シリコンウェハEPI-1

3「シリコンウェハEPI-2

3「シリコンウェハEPI-3

4″ Epitaxial Silicon Wafer

Silicon Epitaxy Growth with Boron Dopant by VPE

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