Si+SiO2+Ti(またはTiO2)+Pt薄膜

PAM XIAMEN は Si+SiO2+Ti(TiO2)+Pt (多結晶または単結晶) 薄膜を提供しています。仕様は次のとおりです。

1. コーティングシリコンウェーハの仕様

Si+SiO2 +Ti(または TiO2)+Pt (111) 高配向多結晶

Si 基板上の SiO2+Ti+Pt (111) 薄膜、5x5x0.525mm、1sp、P 型、B ドープ、(SiO2=300nm、Ti=10nm、Pt(111)=150nm)
Si基板上のSiO2+Ti+Pt(111)薄膜、10x10x0.525mm、1sp P型Bドープ、(SiO2=300nm、Ti=10nm、Pt(111)=150nm)
Si 基板上の SiO2+Ti+Pt(111) 薄膜、2''x0.279mm、1sp P 型 — SI-SO-Ti-Pt (111) 50D0279C1
Si基板上のSiO2+Ti+Pt(111)薄膜、4インチx0.525mm、1sp P型Bドープ、(SiO2=300nm、Ti=10nm、Pt(111)=150nm)
Si基板上のSiO2+Ti+Pt(111)薄膜、4インチx0.525mm、1sp P型Bドープ、(SiO2=300nm、Ti=3nm、Pt(111)=60nm)
Si基板上のSiO2+TiO2+Pt(111)薄膜、4インチx0.525mm、1sp N型アンドープ、(SiO2=300nm、TiO2=20nm、Pt(111)=150nm)
Si基板上のSiO2+TiO2+Pt(111)薄膜、4インチx0.525mm、1sp P型Bドープ、(SiO2=300nm、TiO2=20nm、Pt(111)=150nm)
ZnO/Pt/Ti コーティング Si ウェハ、4 インチ x0.525mm、1sp P 型 B ドープ、( ZnO=150nm、Pt=150nm Ti=20-40nm)

Si+SiO2+Ti+PT多結晶

BiFeO3 フィルム（400nm）（Pt/Ti/SiO2/Si）上、10x10x0.5mm – BiFeO3-Pt-101005S1
Si（Bドープ）基板上のSiO2+Pt薄膜、10x10x0.5mm、1sp（SiO2=500nm、Pt=60nm）

2. コーティングシリコンウェーハに関するよくある質問

Q1：Si+SiO2+Ti(またはTiO2)+Pt薄膜はどのような分野で使用される予定ですか?

：Si+SiO2+Ti(またはTiO2)+Pt薄膜を電極として使用します。

Q2:SiO2 はシリオン基板上でどのように成長するのでしょうか?

：当社のSiO2薄膜は熱酸化によりSiウエハ上に堆積されます。

Q3:Ti+Pt 膜はどのようにして Si ウェハ上に析出するのでしょうか?

：スパッタリング法を用いて、Siウエハー上にTi、Pt薄膜をエピタキシャル成膜します。

Q4:TiO2 はどのようにして SiO2 ウェーハ上に成長するのでしょうか?

：TiO2膜はスパッタリングにより成膜します。

Q5:シリコン上にスパッタリングしたプラチナの純度はどれくらいですか?

：シリコン上にスパッタリングした Pt 純度は 99.99% です。

詳細については、メールでお問い合わせください。[email protected] と [email protected].

1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Materials Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。PAM-XIAMEN は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、加工基板および半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMEN の技術により、半導体ウェーハの高性能化と低コストの製造が可能になります。

1990 年以前は、私たちは物性物理学研究センターを所有していました。 1990 年に、同センターはアモイ パワーウェイ アドバンスト マテリアル Co., Ltd (PAM-XIAMEN) を設立し、現在では中国の化合物半導体材料の大手メーカーとなっています。