SWIR(短波赤外線)検出器は、航空宇宙リモートセンシング、低照度暗視、医療診断、農業、セキュリティ監視などの分野で広く使用されています。 短波赤外線InGaAs検出器は、高い検出率、高い均一性、高い安定性という特徴を備えており、小型化、低電力、高信頼性の短波赤外線オプトエレクトロニクスシステムの開発に理想的な選択肢の1つです。 従来の波長のInGaAs焦点面に関しては、256×1、512×1エレメントの等値線から、320×256、640×512、1280×1024、およびその他のエリアアレイの仕様に発展しました。 そして、検出可能性と暗電流は継続的に改善されます。PAM-厦門は、320×256、640×512、および1280×1024のピクセルを持つInGaAsに基づくSWIR検出器を提供できます。その他のパラメータについては、以下のデータシートを参照してください。
1.InGaAsSWIR検出器のデータセット
1.1 640 x 512 InGaAs(シミュレーション)赤外線検出器
製品 | 主なパラメータ | |
MW 640 x 512 InGaAs(シミュレーション)赤外線検出器 | ピクセル数 | 640 x 512 |
ピクセルピッチ | 15 um | |
ピクセル操作性 | 99% | |
応答の不均一性 | ≤6% | |
検出器のスペクトル応答範囲 | 0.9 um〜1.7 um | |
最大フレームレート | ≥300 Hz@8Passageway | |
出力信号 | シミュレーション | |
利得 | 3本のバー | |
出力チャンネル | 2/4/8 | |
統合 | ITRまたはIWR | |
量子効率 | ≥70%@(1.0-1.6 um) | |
デバイス暗電流 | ≤20fA@-0.1V, 273k | |
典型的な消費電力 | 280mW | |
運転温度 | -40℃-+50℃ | |
保管温度 | -55℃-+70℃ | |
重さ | ≤20g | |
その他の機能 | 内部CDS、ウィンドウオープニング |
1.2 InGaAsベースのIR検出器、640 x 512(数値)
製品 | 主なパラメータ | |
MW 640 x 512 InGaAs(数値)赤外線検出器 | ピクセル数 | 640 x 512 |
ピクセルピッチ | 15 um | |
ピクセル操作性 | 99% | |
応答の不均一性 | ≤6% | |
検出器のスペクトル応答範囲 | 0.9 um〜1.7 um | |
最大フレームレート | ≥60Hz | |
出力信号 | 数字 | |
利得 | 2本のバー | |
出力チャンネル | 2 | |
統合 | ITRまたはIWR | |
量子効率 | ≥70%@(1.0-1.6 um) | |
デバイス暗電流 | ≤20fA@-0.1V, 273K | |
典型的な消費電力 | 300 mW | |
運転温度 | -40℃-+50℃ | |
保管温度 | -55℃-+70℃ | |
重さ | ≤20g | |
その他の機能 | 14ビットADCを内蔵 |
1.3 320 x 256 InGaAs検出器(シミュレーション)
製品 | 主なパラメータ | |
MW 320 x 256 InGaAs(シミュレーション)赤外線検出器 | ピクセル数 | 320 x 256 |
ピクセルピッチ | 30 um | |
ピクセル操作性 | 99% | |
応答の不均一性 | ≤6% | |
検出器のスペクトル応答範囲 | 0.9 um〜1.7 um | |
最大フレームレート | ≥300 Hz@4Passageway | |
出力信号 | シミュレーション | |
利得 | 2本のバー | |
出力チャンネル | 1/2/4 | |
統合 | ITRまたはIWR | |
量子効率 | ≥70%@(1.0-1.6 um) | |
デバイス暗電流 | ≤100fA@-0.1V, 273k | |
典型的な消費電力 | 280mW | |
運転温度 | -40℃-+50℃ | |
保管温度 | -55℃-+70℃ | |
重さ | ≤20g | |
その他の機能 | 内部CDS、ウィンドウオープニング |
1.4 1280 x1024ピクセル(数値)の拡張InGaAsSWIR検出器
製品 | 主なパラメータ | |
MW 1280 x 1024 InGaAs(数値)赤外線検出器 | ピクセル数 | 1280 x 1024 |
ピクセルピッチ | 10ええと | |
ピクセル操作性 | 99% | |
応答の不均一性 | ≤6% | |
検出器のスペクトル応答範囲 | 0.9 um〜1.7 um | |
最大フレームレート | ≥50 Hz@4Passageway | |
出力信号 | 数字 | |
利得 | ≥2バー | |
出力チャンネル | 4 | |
統合 | ITRまたはIWR | |
量子効率 | ≥70%@(1.0-1.6 um) | |
デバイス暗電流 | ≤10fA@-0.1V, 273k | |
典型的な消費電力 | 370mW | |
運転温度 | -40℃-+50℃ | |
保管温度 | -55℃-+70℃ | |
重さ | ≤20g | |
その他の機能 | 内蔵15ビットADC、ダイナミックレンジ≥80dB |
2.SWIR検出器アレイに基づくイメージング技術の特徴
SWIR InGaAsイメージャには、主に次の特性があります。
1)SWIRイメージングは、主にターゲット反射光イメージングの原理に基づいています。 イメージングには、高いイメージングコントラストとターゲットの明確な詳細の特徴があります。
2)SWIR量子ドットをベースにしたイメージャは、有効検出距離が長く、大気散乱の影響を受けにくく、霧、霞、煙を透過する強力な能力を備えています。 SWIR検出器の気候条件や戦場環境への適応性は、可視光イメージングよりも優れています。
3)光子放射照度は、主に暗視で1.0〜1.8 umのSWIR帯域に分散されるため、暗視用のSWIR InGaAs検出器は、可視光暗視イメージングよりも強力です。
4) Since the maturity of laser light source technology, SWIR InGaAs focal plane imaging has an obvious comparative advantage in stealth active imaging.
詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.