GaAs (ガリウムヒ素) ウェーハ
GaAs基板の大手サプライヤーとして、PAM-XIAMENはプライムグレードとダミーグレードの半導体n型、半導体Cドープ、p型を含むエピ対応GaAs(ガリウムヒ素)ウェハ基板を製造しています。 GaAs基板の抵抗率はドーパントに依存し、SiドープまたはZnドープのものは(0.001～0.009)Ω・cm、Cドープのものは>=1E7Ω・cmです。 GaAs ウェーハの結晶方位は (100) および (111) である必要があります。 (100) 方向の場合、2°/6°/15° ずらすことができます。 GaAs ウェーハの EPD は通常、LED の場合は <5000/cm2、LD またはマイクロエレクトロニクスの場合は <500/cm2 です。
- 説明
製品説明
(ガリウムヒ素) GaAsウェーハ
PAM-XIAMEN は、化合物半導体基板であるガリウムヒ素結晶とウエハーを開発、製造しています。 当社は高度な結晶成長技術、垂直勾配凍結(VGF)、GaAsウェーハ製造プロセスを採用し、結晶成長から切断、研削、研磨加工までの生産ラインを確立し、GaAsウェーハの洗浄とパッケージングを行う100クラスのクリーンルームを構築しました。 当社の GaAs ウェーハには、LED、LD、マイクロエレクトロニクス用途向けの 2 ～ 6 インチのインゴット/ウェーハが含まれます。 当社は、現在使用されているGaAsウェーハ基板の品質向上と大型基板の開発に常に注力しています。 提供される GaAs ウェーハ サイズは 2 インチ、3 インチ、4 インチ、6 インチで、厚さは 220 ～ 700um です。 さらに、当社の GaAs ウェーハ価格は競争力があります。
1. GaAsウェーハ仕様
1.1（GaAs）ガリウムヒ素LEDアプリケーション用ウェーハ
| アイテム | 仕様 | 備考 |
| 伝導型 | SC / n型 | SC/p型 Znドープあり |
| 成長方法 | VGF | |
| ドーパント | シリコン | 亜鉛が利用可能 |
| ウェーハ直径 | 2、3、4インチ | インゴットまたはアズカットも利用可能 |
| 結晶方位 | （100）2°/6°/15°オフ (110) | その他の方向ずれも利用可能 |
| の | EJまたは米国 | |
| キャリア濃度 | (0.4~2.5)E18/cm3 | |
| 室温での抵抗率 | (1.5~9)E-3Ω・cm | |
| モビリティ | 1500～3000cm2/V・秒 | |
| エッチピット密度 | <5000 / cm2で | |
| レーザーマーキング | 要求に応じて | |
| 表面仕上げ | P / EまたはP / P | |
| 厚さ | 220〜450um | |
| エピタキシー準備完了 | はい | |
| パッケージ | 枚葉式ウェーハコンテナまたはカセット | |
1.2（GaAs）ガリウムヒ素LDアプリケーション用ウェーハ
| アイテム | 仕様 | 備考 |
| 伝導型 | SC / n型 | |
| 成長方法 | VGF | |
| ドーパント | シリコン | |
| ウェーハ直径 | 2、3、4インチ | インゴットまたはアズカットが利用可能 |
| 結晶方位 | （100）2°/6°/15°オフ (110) | その他の方向ずれも利用可能 |
| の | EJまたは米国 | |
| キャリア濃度 | (0.4~2.5)E18/cm3 | |
| 室温での抵抗率 | (1.5~9)E-3Ω・cm | |
| モビリティ | 1500~3000cm2/V・秒 | |
| エッチピット密度 | <500 / cm 2で | |
| レーザーマーキング | 要求に応じて | |
| 表面仕上げ | P / EまたはP / P | |
| 厚さ | 220〜350um | |
| エピタキシー準備完了 | はい | |
| パッケージ | 枚葉式ウェーハコンテナまたはカセット | |
1.3（GaAs）ガリウムヒ素ウエハ、マイクロエレクトロニクス用途向けの半絶縁ウエハ
| アイテム | 仕様 | 備考 |
| 伝導型 | 絶縁 | |
| 成長方法 | VGF | |
| ドーパント | Cドープ | |
| ウェーハ直径 | 2、3、4インチ | 利用可能なインゴット |
| 結晶方位 | (100)+/- 0.5° | |
| の | EJ、US、またはノッチ | |
| キャリア濃度 | N / A | |
| 室温での抵抗率 | >1E7 オーム・cm | |
| モビリティ | >5000 cm2/V.sec | |
| エッチピット密度 | <8000 / cm2で | |
| レーザーマーキング | 要求に応じて | |
| 表面仕上げ | P / P | |
| 厚さ | 350〜675um | |
| エピタキシー準備完了 | はい | |
| パッケージ | 枚葉式ウェーハコンテナまたはカセット | |
1.4 6インチ (150mm) (GaAs)ガリウムヒ素ウエハ、マイクロエレクトロニクス用途向けの半絶縁ウエハ
| アイテム | 仕様 | 備考 |
| 伝導型 | 半絶縁 | - |
| 成長メソッド | VGF | - |
| ドーパント | Cドープ | - |
| タイプ | N | - |
| 直径(mm) | 150±0.25 | - |
| オリエンテーション | (100)0°±3.0° | - |
| ノッチの向き | 〔010〕±2° | - |
| ノッチ深さ(mm) | (1-1.25)mm 89°-95° | - |
| キャリア濃度 | 営業チームにご相談ください | - |
| 抵抗率(Ω・cm) | ＞1.0×107 | - |
| 移動度(cm2/対) | 営業チームにご相談ください | - |
| 脱臼 | 営業チームにご相談ください | - |
| 厚さ(μm) | 675±25 | - |
| 弓と反りのエッジ除外(mm) | 営業チームにご相談ください | - |
| ボウ（ミクロン） | 営業チームにご相談ください | - |
| ワープ（ミクロン） | ≤20.0 | - |
| TTV（ミクロン） | ≤10.0 | - |
| TIR（ミクロン） | ≤10.0 | - |
| LFPD（ミクロン） | 営業チームにご相談ください | - |
| 研磨 | P/P エピ対応 | - |
1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (低温成長ガリウムヒ素) ウェハ仕様
| アイテム | 仕様 |
| 伝導型 | 半絶縁 |
| 成長メソッド | VGF |
| ドーパント | サブ：Cドープ / エピ：アンドープ |
| タイプ | N |
| 直径(mm) | 150±0.25 |
| オリエンテーション | (100)0°±3.0° |
| ノッチの向き | 〔010〕±2° |
| ノッチ深さ(mm) | (1-1.25)mm 89°-95° |
| キャリア濃度 | 営業チームにご相談ください |
| 抵抗率(Ω・cm) | ＞1.0×107または0.8-9×10-3 |
| 移動度(cm2/対) | 営業チームにご相談ください |
| 脱臼 | 営業チームにご相談ください |
| 厚さ(μm) | 675±25 |
| 弓と反りのエッジ除外(mm) | 営業チームにご相談ください |
| ボウ（ミクロン） | 営業チームにご相談ください |
| ワープ（ミクロン） | ≤20.0 |
| TTV（ミクロン） | ≤10.0 |
| TIR（ミクロン） | ≤10.0 |
| LFPD（ミクロン） | 営業チームにご相談ください |
| 研磨 | P/P エピ対応 |
2. GaAsウェーハ市場と応用
ガリウムヒ素は重要な半導体材料です。 III-V族化合物半導体に属し、閃亜鉛鉱結晶格子構造に属し、格子定数は5.65×10-10m、融点は1237℃、バンドギャップは1.4電子ボルトです。 ガリウムヒ素は半絶縁性の高抵抗材料に加工でき、集積回路基板、赤外線検出器、ガンマ光子検出器などの製造に使用できます。その電子移動度はシリコンの5～6倍であるため、SI GaAs基板はマイクロ波デバイスや高速デジタル回路の製造に重要に使用されています。 ガリウムヒ素で製造された半導体デバイスは、高周波、高温、低温性能、低ノイズ、強い放射線耐性などの利点を備えており、これがGaAs基板市場を拡大させています。
3. GaAs ウェーハのテスト証明書には、必要に応じて以下の分析を含めることができます。
1/ガリウムヒ素の表面と裏面を含む表面粗さ(ナノメートル)。
2/ガリウムヒ素のドーピング濃度(cm-3)
3/ガリウムヒ素のEPD(cm-2)
4/ガリウムアーセンディの移動度(V.sec)
５／ガリウムヒ素のＸ線回折解析（ロッキングカーブ）：回折反射曲線半値幅
6/ガリウムヒ素の低温フォトルミネッセンス (0.7 ～ 1.0 μm の範囲の発光スペクトル): 温度 4K または 5K および光励起密度1W/cm2
7/透過率または吸収係数: 現時点では、1064nm でのドープされていない単結晶 GaAs の吸収係数を測定できます: <0.6423 cm-1。これは、1064nm で正確に 6.5 mm 厚のブランクの透過最小値 33.2% に相当します。
述べる：
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料（GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど）およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日より、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解とご協力をお願いいたします。
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