ガリウムヒ素基板の再利用とフレキシブルエレクトロニクスのためのエピタキシャルリフトオフプロセス
エピタキシャルリフトオフプロセスは、ガリウムヒ素基板からIII-Vデバイス層を分離することを可能にし、基板を再利用することでIII-Vデバイスの高コストを回避するために広く研究されてきました。従来のエピタキシャルリフトオフプロセスでは、基板をエピレディ状態に戻すためにいくつかの後処理ステップが必要です。ここではエピタキシャル...
ガリウムヒ素ウェーハのゲートメタルエッチングプロセスの開発
ガリウム砒素ウェーハのゲート金属エッチングプロセスの開発 ガリウム砒素デバイスウェーハのゲート金属として使用される TiWN の反応性イオンエッチングが、13.56 MHz の周波数で動作する平行平板枚葉式プラズマリアクターで研究されました。 ...を開発するために設計された実験プログラムについて説明します。
ガリウムヒ素結晶ウェーハ中のヒ素の電量分析
ガリウムヒ素結晶ウェーハ中のヒ素の電量測定 アンドープの半絶縁性ガリウムヒ素の化学量論の小さな変動は、定電流電量測定を使用することで測定できます。ウェーハから採取したサンプルは HF でエッチングされ、NaOH 過酸化物溶液に溶解され、クエン酸バッファーで処理されます。に...