Gan/Sapphireテンプレートおよび自立型Gan基板上のほぼ格子型のAlinn合金の金属性有機蒸気エピタキシーと特性評価
金属製の蒸気相エピタキシー（MOVPE）によって2種類の基質で成長した異なるインジウム含有量を持つ高品質のN型アリン合金のエピタキシー最適化研究が実行されました。成長率とv/IIIモル比の効果、成長速度、インジウム含有量、およびこれらのmovpe成長したアリンの表面形態...
誘導結合プラズマエッチングを介して、自立型GAN基質のウェーハ弓を調節する方法
自立した結合プラズマエッチングを介して自立GAN基質のウェーハ弓を調節する方法は、自立型GAN基質のお辞儀の曲率を0.67から0.056 M-1にほぼ直線的に減少させました（つまり、屈折半径は1.5から17.8 mに増加しました）。
ZnOで成長したGan/Ingan P – I – N構造の化学リフトオフおよび直接ウェーハ結合
ハイライト•ZnO/Sapphireテンプレート上のP-GAN/I-Ingan/N-Gan（PIN）太陽電池のMOCVD成長。 •ZnOの後退を示さない詳細な構造特性。 •フロートガラスの構造の化学リフトオフとウェーハボンディング。 •ガラス上のデバイスの構造的特性。抽象的なp-gan/i-ingan/n-gan（pin）構造は、...
自立型Gan基板上の血漿支援分子ビームエピタキシーによって栽培されたN極性inaln薄膜におけるインジウム取り込みダイナミクス
ハイライト•N極性イナン薄膜は、分子ビームエピタキシーによってGan基板上で栽培されました。 •表面の形態は、高温で準3Dからステップフローに遷移しました。 •インジウム飽和度は、高温でインジウムフラックスを増加させるために観察されました。 •アルミニウムフラックスの増加は、インジウムの取り込み効率を高めるのに役立ちました。 •0.19 nm rmsの粗さを備えたN-極Inalnフィルムが実証されました。抽象的なn-極は薄い...
バルクガン基板上で成長したインガンブルーレーザーダイオードの特性
バルクGAN基板上で成長したインガンブルーレーザーダイオードの特性溶液からの高圧成長は、現在、真のバルクGAN単結晶を提供できる唯一の方法です。この論文では、小規模でセンチメートルの範囲のサイズにもかかわらず、技術的なプラットフォームになることができることを実証したいと思います...