ZnO上に成長させたGaN/InGaN P-I-N構造のケミカルリフトオフと直接ウェーハ接合
ハイライト • ZnO/サファイア テンプレート上での p-GaN/i-InGaN/n-GaN (PIN) 太陽電池の MOCVD 成長。 •ZnOのバックエッチングがないことを示す詳細な構造特性評価。 • フロートガラス上の構造の化学的リフトオフとウェーハ接着。 •ガラス上のデバイスの構造特性評価。要約 p-GaN/i-InGaN/n-GaN (PIN) 構造は、ZnO バッファー c サファイア基板上に、有機金属気相エピタキシーによってエピタキシャル成長されました。