MM波回路用のベンゾシクロブテンベースのウェーハ結合によるSige-bicmos統合に関する3次元INP-DHBT
ハイライト•ウェーハレベルでの不均一なSIからINP回路の製造スキームについて説明します。 •得られた結合後4〜8μmよりも優れたウェーハツーワーファーアライメント精度。 •最大220 GHzの優れたパフォーマンスを持つ相互接続が実証されています。 •ALベースのテクノロジーと金ベースのテクノロジーを組み合わせるときに必要なパラジウムバリア。要約INP-HBTとSIGE-BICMOSテクノロジーの両方の材料特性から利益を得るために...