Highlights •Fabrication scheme for heterogenous Si-to-InP circuits on wafer level is described. •Wafer-to-wafer alignment accuracy better than 4–8 μm after bonding obtained. •Interconnects with excellent performance up to 220 GHz demonstrated. •Palladium barrier necessary when combining Al-based technology with gold based one. Abstract In order to benefit from the material properties of both InP-HBT and SiGe-BiCMOS technologies [...]
InP（311）B基板上に成長させた1550 nmバンドマルチスタックQD-SOAのゲイン特性とフェムト秒光パルス応答この論文では、ひずみ補償によって成長させた155nmバンドマルチスタックQD-SOAを実証しました。 InP（311）B基板上での技術、および超高速への応用のための基本的なゲイン特性とフェムト秒の光パルス応答を評価しました[...]
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