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GaAsまたはInPウェーハ上にエピタキシャルにInGaAsNを形成

GaAs基板をベースとした長波長InGaAsN量子井戸レーザーは、最も有望な開発方向の1つである。 InGaAsN レーザー構造は、通常、分子線エピタキシー (MBE) または有機金属気相成長 (MOCVD) によって成長されます。 InGaNAs 材料は、長波長垂直共振器レーザー用の有望な材料です。