タグ - 液相エピタキシー

気液固三相エピタキシーによるSi基板上への3C-SiC膜の成長

気液固三相エピタキシーによる Si 基板上への 3C-SiC 膜の成長 気液固三相成長法により、(111) Si 基板上に立方晶系 SiC 膜 (3C-SiC) を堆積しました。このようなプロセスでは、成長前に Si 基板上に蒸着された薄い銅層が高温で溶けてしまいます。