アトミック層堆積した二酸化チタンと酸化アルミニウム中間膜とのシリコンフルウェーハ結合
堆積した二酸化チタンおよび酸化アルミニウム中間膜を堆積させたシリコンフルウェーハ結合直接ウェーハ結合によって作られたシリコンオンインシュレータ(SOI)ウェーハは、マイクロエレクトロマシカルシステム(MEMS)の製造のための開始基板として広く使用されています。 SIO2 SOIの横に別のレイヤーを追加するか、別の素材に置き換えることは...
堆積した二酸化チタンおよび酸化アルミニウム中間膜を堆積させたシリコンフルウェーハ結合直接ウェーハ結合によって作られたシリコンオンインシュレータ(SOI)ウェーハは、マイクロエレクトロマシカルシステム(MEMS)の製造のための開始基板として広く使用されています。 SIO2 SOIの横に別のレイヤーを追加するか、別の素材に置き換えることは...
半導体のための国際技術ロードマップ(ITR)は、製造プロセスフィードバックループの設計と技術の改善における重要な要素として生産テストデータを識別します。大量の生産テストデータから作られた観察結果の1つは、体系的な障害のために故障する傾向があることです...
表面相互作用とコンタミンのハイライトのコンピューターモデリング•マイクロ/ナノトリンの表面からの汚染物質除去のダイナミクスがシミュレートされます。 •トレンチは長方形で、1つまたは2つの異なる材料でできています。 •モデルでは、さまざまな拡散性と表面特性が考慮されます。 •マルチマテリアルトレンチでは、ダイナミクスを強くクリーニングします...