3C-SiC擬似基板上の高品質3C-SiC膜を目指して
ハイライト •SiC 基板上に滑らかな 3C-SiC 膜を作製。 ●(110)方位の場合はファセット面になりますが、(111)方位の場合はより滑らかになります。 • 3C-SiC 膜の粗さは、(111) 配向の場合 9 nm に制限されます。 •新しいMEMSデバイスの実現が可能。 •SiCの巨大な特性を完全に活用できる可能性があります。 炭化ケイ素の立方体ポリタイプは [...]
a軸4H-SiC基板上での塩化物ベースのSiC成長
ここ数年、SiC は高電圧用途のパワーデバイス材料としてますます重要になってきています。 厚い、低ドープの電圧対応エピタキシャル層は、通常、シラン (SiH4) とプロパン (C3H8) または [... ]
気液固三相エピタキシーによるSi基板上への3C-SiC膜の成長
立方晶系 SiC 膜 (3C-SiC) を、気液固体三相成長法により (111) Si 基板上に堆積しました。 このようなプロセスでは、成長前に Si 基板上に蒸着された薄い銅層がフラックスとして高温で溶解され、その後メタン (炭素源) が [...]