SchottkyおよびOhmic Drainコンタクトを使用した高電圧Algan/Gan-on-Si Hemtsの温度依存の電気的特性評価

ハイライト

•SchottkyおよびOhmic Drain電極を使用して、HV Algan/Gan-on-Si Hemtsを製造しました。
•製造されたデバイスの電気パラメーターに対する温度の影響を調べます。
•Schottky Drainコンタクトを使用すると、505から900 Vに分解電圧が増加します。
•SD-HEMTは、温度が上昇するRONの増加の低下によって特徴付けられます。

---

抽象
この作業では、シリコン基板上のオームおよびショットキードレン電極を備えた高電圧アルガン/GAN高電子移動度トランジスタの電気パラメーターの特性評価の結果を示します。 Schottky-Drainコンタクトを使用すると、ブレークダウン電圧（VBR）が改善されます。これは、LGDでVBR = 900 Vで、OHMICドレイン接点の場合はVBR = 505 Vとは対照的です。両方のタイプのトランジスタは、500 mA/mmの排水電流密度と10μA/mmの漏れ電流を示します。温度依存性の特性評価により、温度が上昇すると排水電流密度が減少します。 Schottky-Drain Hemtsは、ショットキードレインHEMTSのオンセット電圧の減少による室温と比較して、オームドレンコンタクト（ΔRon= 200°CでΔRon= 340％）と比較して、Ronの低いRon（ΔRon= 250％）の低い増加（200°CでΔRon= 250％）によって特徴付けられます。

---

 

 

キーワード

• Algan/Gan-on-Silicon;
• パワーデバイス;
• HEMT;
• Schottky Drain

出典:サイエンスダイレクト

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。www.powerwaywafer.comまでメールをお送りください。[email protected]または[email protected].