Testing project: TTV/WARP/BOW:
A wafer flatness is measured by TTV/WARP/BOW, low value shows better wafer flatness, and the epi wafer would be better quality and wafer flatness, therefore its measurement is necessary.
Test equipment: Polarizing microscope
Test Standard: GB/T 30867-2014;GB/T 6620-2009.
Test result: μm(micron)
2018-08-07メタ著者
テスト プロジェクト: オリエンテーション ウェーハは、規則的な結晶構造を持つ結晶から成長します。 ウェーハが切断されると、表面は結晶方位と呼ばれるいくつかの相対的な方向のいずれかに整列します。 配向は、(0001) または (0001)4deg のミラー指数によって定義されます。 表面は最も [...]
2018-08-07メタ著者
テスト プロジェクト: 表面の粗さ 表面の粗さは通常、粗さと略され、表面テクスチャの構成要素です。 これは、実際のサーフェスの法線ベクトル方向の理想的な形状からのずれによって定量化されます。 これらの偏差が大きい場合、サーフェスは [...]
2018-08-07メタ著者
Testing project: Thickness
Wafer thickness uniformity and tolerance are measured for each wafer and shipment.
Test equipment: Thickness measuring instrument
Test Standard:
Test result: 150um~1.5mm
2018-08-07メタ著者
テスト プロジェクト: タイプ 電子ドナー原子をドープした非真性半導体は、結晶内のほとんどの電荷キャリアが負の電子であるため、n 型半導体と呼ばれます。 電子受容体ドーパントは、格子から電子を受け取る原子であり、電子が [...]
2018-08-07メタ著者
テスト プロジェクト: 抵抗率 抵抗率 (抵抗率、比抵抗または体積抵抗率とも呼ばれます) は、電流の流れに対する特定の材料の強度を定量化する基本的な特性です。 抵抗率が低いということは、電流が流れやすい材料であることを示しています。 抵抗率は通常 [...]
2018-08-07メタ著者
