テストプロジェクト: タイプ
電子供与体原子がドープされた非真性半導体は、結晶内の電荷キャリアのほとんどが負の電子であるため、n 型半導体と呼ばれます。 電子アクセプタードーパントは、格子から電子を受け取る原子であり、電子が正に帯電した粒子のように結晶を通過できる正孔と呼ぶべき空の空間を生成します。 電子受容体原子がドープされた外部半導体は、結晶内のほとんどの電荷キャリアが空洞であるため、p 型半導体と呼ばれます。
試験装置：ラマンスペクトル装置
試験規格：Q/DXHJC0009－2014
テスト結果: テストポイントのラマンスペクトルの結果を表示します。 または、さまざまなタイプのウェーハの面積パーセンテージ。
サファイア基板上での 2 インチ GaN テンプレートのエピタキシー