熱酸化膜ウェーハ、2 ～ 4 インチ研究グレード 4

PAM XIAMEN は、2 ～ 4 インチの研究グレードの熱酸化膜ウェーハを提供しています。

熱酸化物または二酸化ケイ素層は、900°C ～ 1200°C の温度範囲で裸のシリコン表面に形成されます。 CVD 堆積酸化物層と比較して、熱酸化物は均一性が高く、絶縁耐力も高くなります。ほとんどのシリコンベースのデバイスでは、熱酸化層はシリコン表面を平らにし、ドーピングバリアおよび表面誘電体として機能する重要な役割を果たします。

熱酸化物ウェーハ直径 4 インチ

1、熱酸化膜ウェーハ直径 4 インチ – アンドープ N タイプ

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.50 mm t、アンドープ N タイプ、1SP R:>10000 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.50 mm t、アンドープ N タイプ、1SP R:>5000 ohm.cm

2、熱酸化物ウェーハ 4 インチ直径ドープ N 型

熱酸化物ウェハ: Si (100) 上の 100 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm、N タイプ、P ドープ、1SP R: 0.1-1.0ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 285 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.5 mm t、N タイプ、P ドープ、1SP R: 1 ～ 10 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 285nm SiO2 層 (片面)、4 インチ直径 x 0.5 mm t、N 型 P ドープ、1SP R: 1-10 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm t、N タイプ、As ドープ 1SP、R: 0.001 ～ 0.005 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (111) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm t、N 型、Sb ドープ 1SP R:0.018 ～ 0.02 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 500 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.50 mm t、N 型、P ドープ 1sp、0.01 ～ 0.1 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 100 nm SiO2、直径 4 インチ x 0.525 mm、N タイプ、As ドープ 1SP、R< 0.005 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 厚さ 0.50 mm、N タイプ、1SP R:1-10 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm t、N タイプ、P ドープ 1SP R: 0.1 ～ 1.0 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300nm SiO2 層、4 インチ直径 x0.5mm t、N 型、Sb ドープ 1SP R:0.01-0.02 ohm-cm

熱酸化物ウェハ: Si (100) 上の 1000 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm t、N 型、P ドープ 1sp、R: 1 ～ 10 ohm.cm

3、熱酸化物ウェーハ 4 インチ直径 – ドープされた P タイプ

熱酸化ウェハ: Si (100) の前面に 100 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 厚さ 0.525 mm、P 型、B ドープ 1SP R: 0.001 ～ 0.005 ohm.cm

熱酸化物ウェハ: Si (100) 上の 100 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.50 mm t、P 型、B ドープ 1SP R:1-10 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 100 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm t、P 型、B ドープ 1SP R:< 0.005 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 1000 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm t、P タイプ、1SP、R:1-20 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 90 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 厚さ 0.50 mm、P 型、B ドープ 1SP R:1-10ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm t、P タイプ、1SP R:0.001 ～ 0.005 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 0.525 mm t、P タイプ、1SP R:0.01-0.05 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 厚さ 0.525 mm、P タイプ、1SP R:1-10 ohm.cm

熱酸化ウェハ: Si (100) 上の 300 nm SiO2 層、直径 4 インチ x 厚さ 0.525 mm、P タイプ、2SP R:1-20 ohm.cm

詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com、
にメールを送ってください[email protected] と [email protected]

1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Materials Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。PAM-XIAMEN は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、加工基板および半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMEN の技術により、半導体ウェーハの高性能化と低コストの製造が可能になります。

PAM-Xiamenは、第1世代のゲルマニウムウェーハ、第2世代のアルセニド、基質の成長と第2世代のガリウムアルセニド、III-VシリコンドープドーポドNタイプの半導体材料を備えた高度な結晶の成長とエピタキシー技術を開発します。応用。