三重接合太陽電池
当社は、MOCVD 技術によって製造され、非常に高い効率を実現する高品質の III-V 族化合物材料で作られた GaInP/GaAs/Ge 三重接合セルを実行しています。従来の太陽電池と比較して、多接合太陽電池はより効率的ですが、製造コストも高くなります。三重接合セルはコスト効率が高くなります。これらは宇宙用途で使用されます。そして現在、当社は次のような GaInP/GaAs/Ge エピ ウェーハ構造を提供しています。
1. GaInP/GaAs/Ge エピウェーハの仕様
| 厚さ (μm) | ||||||
| 層 | 材料 | モル | モル | タイプ | CVレベル(cm-3） | |
| 分数 (x) | 分数 (y) | |||||
| 15 | ゲイン（X）と | 0.016 | 0.2 | N | > 5.00e18 | |
| 14 | ら（X）のInP | 0.04 | N | 5.00E+17 | ||
| 13 | ゲイン（X）P | 0.1 | N | 2.00E+18 | ||
| 12 | ゲイン（X）P | 0.5 | P | |||
| 11 | アリン（X）P | 0.1 | P | |||
| 10 | ら（X）のGaAs | 0.015 | P | |||
| 9 | GaAsの | 0.015 | N | |||
| 8 | ゲイン（X）P | 0.554 | 0.1 | N | ||
| 7 | ゲイン（X）と | 0.016 | 0.1 | N | ||
| 6 | ゲイン（X）と | 0.016 | 3 | P | 1-2e17 | |
| 5 | ゲイン（X）P | 0.554 | 0.1 | P | 1-2e18 | |
| 4 | ら（X）のGaAs | 0.4 | 0.03 | P | 5.00E+19 | |
| 3 | GaAsの | 0.03 | N | 2.00E+19 | ||
| 2 | ゲイン（X）と | 0.016 | 0.5 | N | 2.00E+18 | |
| 1 | ゲイン（X）P | 0.554 | 0.06 | N |
当社は、太陽電池用途向けに GaAs 上に成長させたさまざまな構造のエピタキシャル層 (AlGaAs、InGaP) を備えた、単接合および二重接合 InGaP/GaAs 太陽電池のエピ ウェーハも提供しています。太陽電池用InGaP/GaAsエピウエハ
2. GaInP/GaAs/GeウェハのXRD
図a、bはGaInP/GaAs/Geウェーハの結晶品質のXRDを示しています。
ａ．
b.
出典:パムアモイ
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