Cドープ半絶縁ガリウムヒ素(GaAs)ウェハ

PAM-XIAMEN は C ドープ GaAs ウェーハを提供しています。半絶縁性GaAsウェハ。 C ドープガリウムヒ素ウェハはマイクロエレクトロニクスの分野に応用され、主に高周波 (RF) パワーデバイスの製造に使用されます。 GaAs単結晶の成長方法には、VGF、VB、LECなどがあります。

No1. CドープGaAsウェハ、2インチサイズ
直径:50.8 mm +/- 0.3 mm
方向: (100)+/-0.1 度。
半絶縁性、Cドープ
US セミスタンダードフラット
メジャーフラット長さ: 17+/-1mm
マイナーフラット長さ: 7+/-1mm
厚さ: 350+/-25um
抵抗率: >1E7 オーム*cm
移動度: >=4000 cm2/V*s
CC: 指定なし
EPD: <=5000 cm-2
片面研磨 (Ra < 5Å)、EPI 対応、
裏面エッチングあり
レーザーマーキングなし
パッケージング: 個別のスパイダースタイルのウェーハカセット、N2 ガスで密封、
クラス100のクリーンルーム梱包。

いいえ2。 CドープGaAsウェハ、3インチサイズ
直径: 76.2+/-0.3mm
方向: (100)+/-0.1 度。
半絶縁性、Cドープ
EJセミスタンダードフラット
主平坦長さ: 22+/-2 mm (0-1-1)
マイナーフラット長さ: 11+/-1 mm (0-11)
厚さ: 625+/-25um
抵抗率: >1E7 オーム*cm
移動度: >=4000 cm2/V*s
CC: 指定なし
EPD: <=5000 cm-2
片面研磨 (Ra < 5Å)、EPI 対応、
裏面エッチングあり
レーザーマーキングなし
パッケージング: 個別のスパイダースタイルのウェーハカセット、N2 ガスで密封、
クラス100のクリーンルーム梱包。

いいえ3。 CドープGaAsウェハ、4インチサイズ
直径: 100+/-0.3mm
方向: (100)+/-0.1 度。
半絶縁性、Cドープ
EJセミスタンダードフラット
主平坦長さ: 32.5+/-2 mm (0-1-1)
マイナーフラット長さ:18+/-1 mm (0-11)
厚さ: 625+/-25um
抵抗率: >1E7 オーム*cm
移動度: >=4000 cm2/V*s
CC: 指定なし
EPD: <=5000 cm-2
片面研磨 (Ra < 5Å)、EPI 対応、
裏面エッチングあり
レーザーマーキングなし
パッケージング: 個別のスパイダースタイルのウェーハカセット、N2 ガスで密封、
クラス100クリーンルーム梱包

いいえ4。Cドープガリウムヒ素基板（半絶縁体）

初期単結晶ガリウムヒ素の成長法＝VGF（垂直勾配凍結）

基板表面の結晶方位＝(100)方向

基板表面の方位精度 = +/- 0.5 度

炭素ドーピング

比抵抗 = 1 * 10 (7) Ohm * cm 以上

エッチピット密度 (EPD) の数によって制御される欠陥の表面密度 = 5000 cm-2 以下

直径50.8 + \ - 0.4mm

厚さ 350+\-25ミクロン

SEMI-E / J ベースカット方向

フェース面 = ポリッシュ、エピレディ

背面=磨かれています

包装 = 基板ごとに個別の容器、不活性ガスを充填した金属化ポリエチレン袋に梱包

リマーク：

1.一部のパラメータは調整可能です。たとえば、EJ フラットまたは US フラットの両方が利用可能です。必要に応じて、可動性を >5000cm2/Vs など高くすることができます。これは、詳細な用途や用途によって異なります。
2.アンドープのガリウムヒ素ウェハは、通常、太陽光発電/光検出器デバイスの製造に使用されます。GaAs HEMT構造、GaAs HBTウェハなどのマイクロエレクトロニクス
3.すべての仕様はSEMI規格に準拠しています。
SEMI M9 – 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様:
SEMI M9.1-0813 — 電子デバイス用途向けの円形 50.8 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様。アンドープ GaAs ウェハに使用されます。
SEMI M9.2-0813 — 電子デバイス用途向けの円形 76.2 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様。アンドープ GaAs ウェハに使用されます。
SEMI M9.3-0812 — n 型 GaAs ウェーハに使用される、光電用途向けの直径 2 インチの円形研磨単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様
SEMI M9.4-0812 — n 型 GaAs ウェーハに使用される、光電用途向けの直径 3 インチの円形研磨単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様
SEMI M9.5-0813 — 電子デバイス用途向けの円形 100 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様。アンドープ GaAs ウェハに使用されます。
SEMI M9.6-0813 — 直径 125 mm の円形研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様
SEMI M9.7-0914 — 直径 150 mm の円形研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハ (ノッチ付き) の仕様
SEMI M9.8-0306 (再承認 0812) — 円形 200 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハー (ノッチ付き) の仕様。現在、このサイズは製造できません。

詳細については、メールでお問い合わせください。[email protected] そして[email protected].