光線力学療法を含む医療および科学用途向けに2インチUVLEDウェーハおよびAlNウェーハを提供することも、高出力および高磁束密度LEDの恩恵を受けます。
1.UVLEDウェーハの特徴と寸法
成長技術– MOCVD
基板材料：サファイア基板（Al2O3）
基板の伝導：絶縁
基板の向き：c平面（0001）0.2°±0.1
直径：50.8mm±0.15mm
厚さ：430μm±20μm
波長：395nm-405nm
2.サファイア上のInGaN/GaN構造の物理的パラメータ
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構造
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サファイアEPIウェーハ上のInGaN/GaN構造
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PN電極
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金
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チップサイズ
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8mil×10mil（200±5µm×250×5µm）
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チップの厚さ
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3.15mil（80±5µm）
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パッドサイズ
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2.95mil（75±5µm）
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3. GaN LEDウェーハに基づく光電パラメータ（IF= 20mA、Tc = 22℃）
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パラメーター
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シンボル
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条件
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最小値
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標準値
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最大値
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順方向電圧（V）
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VF
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IF= 20mA
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2.8
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3.2
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3.8
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逆電流（µA）
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IR
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VR= 5V
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0
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≤0.1
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1
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波長範囲（nm）
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λP
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IF= 20mA
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370
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400
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420
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光度（mw）
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IV
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IF= 20mA
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0.1
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15
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25
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半波幅（nm）
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Δλ
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IF= 20mA
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≤30
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最大電流（mA）
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IMAX
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DC
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30
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4.UVLED市場について
業界筋によると、ＵＶ ＬＥＤ市場は、昨年の約４７０億ウォンから2017年には２８００億ウォンまで、年平均４３％で指数関数的に成長すると予測されている。 UVランプ市場は昨年の12.7％から2017年には34.7％に成長すると予想されています。
紫外線とは、可視光線よりも短い約100〜400ナノメートルの短波長の光を意味します。 波長帯に応じて、UVは滅菌、精製、硬化（液体状態の材料の固化）などの機能を提供します。 また、医療、表面コーティング、印刷など、さまざまな用途があります。 将来的には、その用途はさらに拡大し、廃水の浄化を含む環境産業を含むようになるでしょう。
5.UVLEDについて
UV LEDは紫外線放射装置であり、水銀灯の代わりに半導体化合物であるLEDを使用した光源です。 LED製造の過程で、UV LEDは、医療、家電製品、コーティングの硬化など、それぞれの用途に必要な有効波長のみを放射するように設計できます。
一方、UV LEDは、紫外線を提示する光層を形成するのが難しいため、非常に高い技術障壁をもたらします。 技術的な障壁によるUVLEDの高価格と低屈折力は、以前は市場の拡大に障害をもたらしていました。
LED技術のこれらの改善により現在サポートされている多くのUV-LEDアプリケーションのいくつかは、空気、表面および水の滅菌（殺菌）、農薬検出、最適な植物成長のためのUVBの供給、より環境に優しい硬化製剤によるUV硬化、偽造検出、ブラックライト– UV-LED製造技術が向上し続けるにつれて、リストは増え続けています。
6.サファイアのUVLEDウェーハに関するFAQ
Q：私があなたとそれらを共有する必要があるいくつかの問題があります。
まず第一に、UV LEDはパターン化されたサファイア上にあるため、レーザーリフトオフプロセスの信頼性が低くなります。
第二に、私はUV LEDのすべての製造プロセスを実行しましたが、発光はUV範囲にありません。 一般的に、次の2つのプロセスが使用されます。
–n接点の上面から2umをエッチングし、p接点はNi / Au（15/15 nm）です。
–他の基板に転写しましたが、LEDの裏側はn接点です。
実際、プロセスは青色LEDで非常にうまく機能しています。 UV LEDの場合、UV光を得るのは非常に困難です。 問題を見つけるのを手伝っていただけませんか。
：これは次のように行う必要があると考えています。垂直エッチングではなく、1.4umの平面エッチングを行ってから、n電極を行う必要があります。 しかし、あなたの垂直エッチングは何のためですか？ 垂直方向の結果は、レーザーのストリッピングとボンディングで困難であり、基礎となる構造は同じではありません。ストリッピングプロセスは下部と一致する必要があります。ストリッピングプロセスが何のためのものかわからない場合は、レーザー出力を調整する必要があります。AlGaNの剥離不良。
詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.