VCSELレーザーウェーハチップ
PAM-XIAMEN は、テレコミュニケーション、ジェスチャ認識、3D イメージング、およびその他のアプリケーション向けに 850 nm、850 nm、および 940 nm VCSEL (垂直共振器面発光レーザー) エピタキシャル ウェーハを提供しており、GaAs/AlGaAs 多重量子井戸 ( MQWs) をアクティブなレイヤーとして使用します。
VCSEL エピタキシャル ウエハー (3 インチ、4 インチ)、VCSEL Uncleaved ウエハーだがテープアウトされてテスト済み、6 インチ (カットして直接使用できます)、VCSEL ウエハー ダイの 3 つのアイテムがあります。
1.VCSEL Uncleaved ウェーハですが、テープアウトしてテスト済み、6 インチ (カットして直接使用できます)、VCSEL Wafer Die。
| 波長 | チップパワー | VCSEL 切断されていないウェーハですが、テーピングされてテストされています |
| – | ウェーハダイ | 6インチサイズ |
| 808nmの | 1.2W | / |
| 波長850nm | 1.2W | / |
| 940nm | 2W | / |
| 940nm | 3W | / |
電力 1.2W
作業電流 1.8 A
中心波長 809.8 nm
スペクトル幅（FWHM）1.1 nm
試験温度 20℃
スポットサイズ 11um
スポット配置
最小ピッチ 23.3um
しきい値電流 0.43 A
動作電圧 2.1 V
遠発散 21.4 °
角度 –
スロープ効率 0.88 W/A
IPCE 31.1%
スポット数 297個
配列サイズ 631*535um2
1.2 1W の 850nm VCSEL ダイ
電力 1.3W
作業電流 1.8 A
中心波長 851.9 nm
スペクトル幅（FWHM） 2.1 nm
試験温度 20℃
スポットサイズ 11um
スポット配置
最小ピッチ 23.3um
しきい値電流 0.40 A
動作電圧 2.2 V
遠発散 23.7°
角度 –
スロープ効率 0.94 W/A
IPCE 33.2%
スポット数 297個
配列サイズ 631*535um2
1.3 2W の 940nm VCSEL ダイ
電力 2.1W
作業電流 2.8 A
中心波長 948.2 nm
スペクトル幅（FWHM） 1.3 nm
試験温度 50℃
スポットサイズ 11um
スポット配置
最小ピッチ 33um
しきい値電流 0.38 A
使用電圧 2.0V
遠発散 19.8 °
角度 –
スロープ効率 0.87 W/A
IPCE 36.8%
スポット数 305個
配列サイズ 815*715um2
1.4 3W の 940nm VCSEL ダイ
電力 2.7W
作業電流 3.5 A
中心波長 949.6 nm
スペクトル幅（FWHM） 1.1 nm
試験温度 50℃
スポットサイズ 11um
スポット配置
最小ピッチ 40 um
しきい電流 0.47A
使用電圧 2.0V
遠発散 20.8°
角度 –
スロープ効率 0.86 W/A
IPCE 36.7%
スポット数 364個
配列サイズ 1016*910um2
2.VCSEL エピタキシャルウェーハ(3”,4”)
2.1VCSEL エピタキシャルウェーハ構造:
p+-GaAs
P-AlGaAs
P-DBR
Al0.98GaAs
MQW
AlGaAs
n-DBR
n-GaAsバッファ層
n-GaAs基板
2.2VCSEL エピタキシャルウェーハパラメータ:
パラメータ 典型的な値
SB センター < ±10 nm
厚さの均一性 < ±2.5%
PL波長の均一性 < ±1.5 nm
ドーピング管理 < ±30%
モル分率 (x) 公差 < ±2%
2.3VCSEL デバイスの性能:
パラメータ 典型的な値
閾値電流@25℃ < 2 mA (15mm口径)
波長 845-855 nm
スロープ効率 > 0.5 W/A
使用温度 0℃～80℃
詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.comそして powerwaymaterial@gmail.com