Wafer Foundry Services
PAM-XIAMEN は、高度な半導体プロセス技術を使用したウェーハ ファウンドリ サービスを提供し、基板とウェーハのエクスパキシの上流での経験から恩恵を受けます。
PAM-XIAMEN は、ファブレス企業、IDM、研究者向けに最先端のウェーハ技術とファウンドリ サービスを提供します。
- Description
製品説明
PAM-XIAMEN は、半導体製造におけるウェーハ ファウンドリ サービスを提供しています。
高度な半導体プロセス技術に感謝し、基板とウェーハの製造における上流の経験から恩恵を受けます。
PAM-XIAMEN は、ファブレス企業、IDM、研究者向けに最先端のウェーハ技術とファウンドリ サービスを提供します。
現在、微細加工用の200mmウェーハ製造施設（fab）があります。
ウェーハファウンドリサービス
| プロジェクト名 | Wafergroße (Zoll) | フェーヒケイト |
| シュリットフォトリソグラフィー | 6 | 0.40μm |
| フォトリソグラフィーの問い合わせ | 2,4 | 3um |
| トロッケネッツェン | 6 | Tiefe 100 um (Si)、メタル、GaN |
| ナッセ銀行 | 6,8 | 金属、SiO 2 、SiN、TEOS、ポリシリコン |
| PECVD | 6 | SiN SiO2.TEOS |
| LPCVD | 6 | SiN、SiO2、ポリシリジウム |
| ALD | 6 | Al2O3、AIN |
| スパッターン | 6 | Ti.Al、TiN、Ni、W.TiW.WN |
| エレクトロネンシュトラール | 4,6,8 | チタン、ニッケル、銀。 Al.Ta、Cr Pt.Mo、Co. |
| 移植 | 6 | B (20 – 200 KeV、1E13 – 115) .N |
| RTP | 6 | 最大900℃ |
| バックオーフェン | 6 | 最大400℃ |
ウェーハ製造のファウンドリサービス機能は次のとおりです。
最大8インチの金属プロセス：スパッタシステムまたはEビームシステムによるTi、Ni、Ag、Pt、Mo、Al、W、Crなどによるウェーハメタライゼーション
ALM、SAMCO RIE、またはICPエッチング装置による最大6インチのドライエッチングプロセス
フィルムプロセス：PECVD、DF＆LPCVD、ALDおよびUnitempRTPによるSiO2、SiN、Al2O3薄膜。
4. 2″ / 4″ / 6″のリソグラフィープロセス：最小。 ニコンステッパーによる線幅0.4um
投影リソグラフィー：CD 2um、精度1um
ULVACによる2″ / 4″ / 6″用のイオン注入装置（B +、BF2 +、P +、As +、Ar +、B ++、P ++）
ウェーハ製造プロセスは、生のウェーハを完成したチップに加工するために行われます。
従来のウェーハ製造プロセスには、抵抗器、トランジスタ、導体、
および半導体ウェーハ上で処理するその他の電子部品。
ナノリソグラフィー（フォトリソグラフィー）を提供できます：表面処理、フォトレジスト塗布、ソフトベイク、
アライメント、露光、現像、ハードベーク、現像検査、エッチング、フォトレジスト除去（ストリップ）、最終検査。
詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com/wafer-fabrication
にメールを送ってくださいsales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com
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