Wafer Foundry Services
PAM-XIAMEN provides wafer foundry services with advanced semiconductor process technology and benefit from our upstream experiences of substrate and wafer expaxy,
PAM-XIAMEN is to be the most advanced wafer technology and foundry services for fabless companies,IDMs and researchers.
- Description
製品の説明
PAM-XIAMEN provides wafer foundry services in semiconductor manufacturing.
Thanks for advanced semiconductor process technology and benefit from our upstream experiences of substrate and wafer expaxy,
PAM-XIAMEN is to be the most advanced wafer technology and foundry services for fabless companies,IDMs and researchers.
現在、微細加工用の200mmウェーハ製造施設(fab)があります。
Wafer Foundry Service
Prozessname | Wafergröße (Zoll) | Fähigkeit |
Schrittphotolithographie | 6 | 0,40 um |
Kontaktierte Fotolithografie | 2,4 | 3um |
Trockenätzen | 6 | Tiefe 100 um (Si),Metall, GaN |
Nasse Bank | 6,8 | Metall, SiO 2, SiN, TEOS, Polysilicium |
PECVD | 6 | SiN SiO2.TEOS |
LPCVD | 6 | SiN, SiO2.Poly-Silizium |
ALD | 6 | Al 2 O 3, AIN |
Sputtern | 6 | Ti.Al, TiN, Ni, W. TiW.WN |
Elektronenstrahl | 4,6,8 | Ti, Ni, Ag. Al.Ta, Cr Pt.Mo, Co. |
移植 | 6 | B (20 – 200 KeV, 1E13 – 115) .N |
RTP | 6 | 最大900℃ |
Backofen | 6 | 最大400℃ |
ウェーハ製造のファウンドリサービス機能は次のとおりです。
最大8インチの金属プロセス:スパッタシステムまたはEビームシステムによるTi、Ni、Ag、Pt、Mo、Al、W、Crなどによるウェーハメタライゼーション
ALM、SAMCO RIE、またはICPエッチング装置による最大6インチのドライエッチングプロセス
フィルムプロセス:PECVD、DF&LPCVD、ALDおよびUnitempRTPによるSiO2、SiN、Al2O3薄膜。
4. 2″ / 4″ / 6″のリソグラフィープロセス:最小。 ニコンステッパーによる線幅0.4um
投影リソグラフィー:CD 2um、精度1um
ULVACによる2″ / 4″ / 6″用のイオン注入装置(B +、BF2 +、P +、As +、Ar +、B ++、P ++)
ウェーハ製造プロセスは、生のウェーハを完成したチップに加工するために行われます。
従来のウェーハ製造プロセスには、抵抗器、トランジスタ、導体、
および半導体ウェーハ上で処理するその他の電子部品。
ナノリソグラフィー(フォトリソグラフィー)を提供できます:表面処理、フォトレジスト塗布、ソフトベイク、
Alignment, Exposure, Development, Hard bake, Develop inspect, Etch, Photoresist removal(strip), Final inspection.
For more information, please visit our website:https://www.powerwaywafer.com/wafer-fabrication
で、私達に電子メールを送ります [email protected] と [email protected]