PAM厦門は、ZnO /白金/チタンコーティングされたSiウェハを提供しています。

酸化亜鉛/ PT / Tiの被覆されたSiウェハ、4 "x0.525mm、1SP P型Bをドープした、亜鉛（ZnO = 150nmで、白金= 150nmでのTi = 20-40nm）

シリコンウェーハの仕様：

膜：Si上のZnO / PT / Tiの薄膜（100）（P型）基板、4 "x0.525mm、1SP
ZnO = 150nmで、ZnO膜：c軸、媒体（001）配向
Pt / Ti膜：高度に（111）配向のPt = 150nmでのTi（接着層）= 20〜40 nmの
抵抗率：1-10 ohm.cm
基板サイズ：4 "直径±0.5ミリメートル×0.525ミリメートル
ポーランド：片側研磨
表面粗さ：<20 A RMS
Pt膜の最大熱予算：〜750度C / 1時間

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com、
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com

1990年に発見、アモイPowerwayアドバンストマテリアル株式会社（PAM-厦門）は、中国での半導体材料のリーディングカンパニーです。PAM-厦門は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、操作基板および半導体装置を開発します。PAM-厦門の技術は、より高いパフォーマンスと半導体ウエハの低コストの製造を可能にします。

PAM-アモイのGa、アルにおいて、AsおよびPに基づいて、III-Vシリコンドープのn型半導体材料基板の成長およびエピタキシーで、高度な結晶成長およびエピタキシー技術を開発して第一世代ゲルマニウムウェハの範囲、第二世代ガリウム砒素第三世代へ、MBE又はMOCVDによって成長させた：炭化ケイ素と窒化ガリウムLED及びパワーデバイス用途のため。