우리는 누구인가

1990 전에, 우리는 소유 응집 물질 물리학 연구 센터를 평가하고 있습니다. 1990 년, 센터 하문 Powerway 고급 재료 유한 공사 (PAM-하문)을 시작, 지금은 중국의 화합물 반도체 재료의 선도적 인 제조 업체입니다. PAM-XIAMEN 기판상의 에피 택셜 성장과 함께 1 세대 게르마늄 웨이퍼, 2 세대 갈륨 비소에서 고급 크리스탈 성장 에피 택시 기술 범위를 개발 ...

왜 우리를 선택 했죠

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좋은 판매 서비스

우리의 목표는 우리의 자격을 갖춘 제품과 만족스러운 서비스를 통해 모든 고객에 대한 지속적이고 수익성있는 성장을 유지하기 위해, 상관없이있을 수 있습니다 얼마나 작은 주문 및 방법 어려운 질문 당신의 요구 사항을 모두 충족하지 않는 것입니다.
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25+ 년 경험

화합물 반도체 소재 분야 및 수출 사업에 25 명 이상의 + 년간의 경험으로, 우리의 팀은 우리가 당신의 요구 사항을 이해하고 전문적으로 프로젝트를 처리 할 수 ​​있다고 말씀 드릴 수 있습니다.
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신뢰할 수있는 품질

품질은 우리의 첫 번째 우선 순위입니다. PAM-하문은 ISO9001되었습니다 : 2008, 소유하고 고객의 다양한 요구를 충족하기 위해 자격을 갖춘 제품의 꽤 큰 범위를 제공 할 수있는 주식을 사 현대 facories, 모든 순서는 우리의 엄격한 품질 시스템을 통해 처리 할 수 ​​있습니다. 시험 보고서는 각 선적을 위해 제공하고, 각 웨이퍼는 보증 있습니다됩니다.
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무료 및 전문 기술 지원

당신은 반도체 라인에 우리의 25 + 경험을 바탕으로 서비스 이후에 조회에서 우리의 무료 기술 서비스를받을 수 있습니다.
축적 및 개발의 20 년 후, 우리 회사는 기술 혁신과 인재 풀의 명백한 이점이있다.
미래에, 우리는 더 나은 제품과 서비스를 고객에게 제공하기 위해 실제 작업의 속도를 빠르게 할 필요가

의사 찬 - 하문 Powerway 고급 재료 유한 회사의 CEO

세계에서 가장 유명한 대학 및 회사 신탁 회사

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최근 뉴스

실리콘 카바이드에 단일 실리콘 빈방 결함의 생성을 온 디맨드

We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA),University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who [...]

LED는 GaN으로 SF6 플라즈마 RIE를 이용하여 제조

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RB-SiC를 /시에서 기계로드의 표면 손상 메커니즘에시의 역할

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탄소 이온 조사되어 구조적인 변형과 입방정의 AlN 박막의 밴드 갭을 튜닝

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선택된 영역 그는 + 이온의 응력 분포를 비파괴 평가 4H-SiC를 피조

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12 MeV의 이온 조사되어 실리콘으로 된 InGaN / GaN으로 다층 박막의 구조적 및 광학적 특성을 조정

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4H-SiC p–i–n diodes grown by sublimation epitaxy in vacuum (SEV) and their application as microwave diodes

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